-
-
公开(公告)号：CN108069717A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710888647.6
申请日：2017-09-27
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明所要解决的技术课题在于提供可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有斜方晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝32.0°附近检测到的峰值强度为γ，在衍射角2θ＝32.8°附近检测到的峰值强度为δ时，峰值强度比γ/δ为0％以上、150％以下。
-
公开(公告)号：CN116868316A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015978.8
申请日：2022-03-17
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明中公开了可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。复合结构物具备：基材；及结构物，设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面，所述结构物作为主成分而含有Y4Al2O9，而且晶格常数及/或X射线衍射的特定峰值的强度比满足特定条件，这样的复合结构物抗粒子性出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。
-
公开(公告)号：CN108069718A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710889750.2
申请日：2017-09-27
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明所要解决的技术课题在于提供包含钇氧氟化物且可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有菱面体晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝13.8°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r1，在衍射角2θ＝36.1°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r2，比值γ1为γ1(％)＝r2/r1×100时，所述比值γ1为0％以上、小于100％。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108069717B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710888647.6
申请日：2017-09-27
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明所要解决的技术课题在于提供可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有斜方晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝32.0°附近检测到的峰值强度为γ，在衍射角2θ＝32.8°附近检测到的峰值强度为δ时，峰值强度比γ/δ为0％以上、150％以下。
-
公开(公告)号：CN108069718B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710889750.2
申请日：2017-09-27
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明所要解决的技术课题在于提供包含钇氧氟化物且可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有菱面体晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝13.8°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r1，在衍射角2θ＝36.1°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r2，比值γ1为γ1(％)＝r2/r1×100时，所述比值γ1为0％以上、小于100％。
-
公开(公告)号：CN101283118B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680037553.8
申请日：2006-10-10
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C23C24/04
CPC classification number: C23C30/00 , B22F2998/00 , C23C24/04 , B22F7/04
Abstract: 提供一种复合结构物，其提高了形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的机械强度。本发明中，形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的主要成分为氧化钇多晶体，在构成结构物的晶体之间的界面基本上不存在由玻璃质形成的晶界层，进而使氧化钇多晶体的晶体结构中混合存在立方晶系(cubic)和单斜晶系(monoclinic)，由此可使形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的硬度比氧化钇烧结体的硬度更大。
-
公开(公告)号：CN101547770A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780035521.9
申请日：2007-09-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , TOTO株式会社
IPC: B24B53/12 , B24B37/00 , B24D3/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B53/12 , B24D3/08 , B24D18/00
Abstract: 本发明提供在磨粒周边部分具有优异耐腐蚀性的CMP修整器。对于在一面形成了磨粒固定于金属结合相中而成的磨粒层的磨石基体，在磨粒层的金属结合相表面利用溶胶凝胶法形成包含氧化物的第一保护层，接着向第一保护层的表面喷射在气体中分散脆性材料的微粒而成的气溶胶并使其碰撞来形成包含氧化物厚膜的第二保护层。
-
公开(公告)号：CN101283118A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037553.8
申请日：2006-10-10
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C23C24/04
CPC classification number: C23C30/00 , B22F2998/00 , C23C24/04 , B22F7/04
Abstract: 提供一种复合结构物，其提高了形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的机械强度。本发明中，形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的主要成分为氧化钇多晶体，在构成结构物的晶体之间的界面基本上不存在由玻璃质形成的晶界层，进而使氧化钇多晶体的晶体结构中混合存在立方晶系(cubic)和单斜晶系(monoclinic)，由此可使形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的硬度比氧化钇烧结体的硬度更大。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.034 seconds)
