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公开(公告)号：CN108431299B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201580085291.1
申请日：2015-12-25
申请人： TOTO株式会社
发明人： 岩泽顺一
IPC分类号： C23C24/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： 本发明在于提供一种耐等离子体性部件，其特征在于，具备基材以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物，构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不藉由异相而接合，构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构，构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0％、60％以下。
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公开(公告)号：CN116895608A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310681240.1
申请日：2019-03-07
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , C23C24/04 , G01N27/62 , G01N23/203 , C04B41/87
摘要： 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN116895607A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310681234.6
申请日：2019-03-07
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , C23C24/04 , G01N27/62 , G01N23/203 , C04B41/87
摘要： 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN106460190B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580033596.8
申请日：2015-06-19
申请人： TOTO株式会社
发明人： 岩泽顺一
CPC分类号： C04B35/505 , C04B35/62222 , C04B41/009 , C04B41/5045 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2235/3225 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C04B2235/80 , C23C4/12 , C23C24/04 , Y02T50/6765 , C04B35/10 , C04B41/4545
摘要： 本发明的课题在于提供一种耐等离子体性构件，其特征在于，具备基材及层状结构物，层状结构物含有用气溶胶沉积法在前述基材表面形成的三氧化二钇多晶体并具有耐等离子体性，构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体具有立方晶和单斜晶混合存在的晶体结构，在构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体中，单斜晶相对于立方晶的比例为0％以上、60％以下，构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体的微晶尺寸为8nm以上、50nm以下。
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公开(公告)号：CN110246811A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910171153.5
申请日：2019-03-07
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , C04B41/87 , C23C24/04 , G01N23/203 , G01N27/62
摘要： 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN108431299A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201580085291.1
申请日：2015-12-25
申请人： TOTO株式会社
发明人： 岩泽顺一
IPC分类号： C23C24/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： 本发明在于提供一种耐等离子体性部件，其特征在于，具备基材以及在所述基材的表面形成的包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子体性的层状结构物，构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体所包含的结晶彼此并不介由异相而接合，构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体具有仅包含立方晶的结晶结构或者立方晶与单斜晶混在的结晶结构，构成所述层状结构物的氧化钇多结晶体中的相对于立方晶的单斜晶的比例的平均值大于0％、60％以下。
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公开(公告)号：CN101283118B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680037553.8
申请日：2006-10-10
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C23C24/04
CPC分类号： C23C30/00 , B22F2998/00 , C23C24/04 , B22F7/04
摘要： 提供一种复合结构物，其提高了形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的机械强度。本发明中，形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的主要成分为氧化钇多晶体，在构成结构物的晶体之间的界面基本上不存在由玻璃质形成的晶界层，进而使氧化钇多晶体的晶体结构中混合存在立方晶系(cubic)和单斜晶系(monoclinic)，由此可使形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的硬度比氧化钇烧结体的硬度更大。
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公开(公告)号：CN101283118A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037553.8
申请日：2006-10-10
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C23C24/04
CPC分类号： C23C30/00 , B22F2998/00 , C23C24/04 , B22F7/04
摘要： 提供一种复合结构物，其提高了形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的机械强度。本发明中，形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的主要成分为氧化钇多晶体，在构成结构物的晶体之间的界面基本上不存在由玻璃质形成的晶界层，进而使氧化钇多晶体的晶体结构中混合存在立方晶系(cubic)和单斜晶系(monoclinic)，由此可使形成在基材表面上的由氧化钇形成的结构物的硬度比氧化钇烧结体的硬度更大。
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公开(公告)号：CN116884926A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310681163.X
申请日：2019-03-07
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , C23C24/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , C04B41/87
摘要： 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN110246811B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910171153.5
申请日：2019-03-07
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , C04B41/87 , C23C24/04 , G01N23/203 , G01N27/62
摘要： 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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