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公开(公告)号：CN102376715B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010251514.6
申请日：2010-08-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/8242
摘要： 本发明公开了一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法。无电容动态随机访问存储器结构在满足高碰撞电离率所要求的高漏压的前提下，通过对源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度增大了该区域的栅介质的电学厚度，从而有效降低了垂直方向的电场，同时通过在沟道中央区域的薄的氧化层或者采用高K材料，从而提高了栅控能力并抑制了短沟道效应。该发明结构能够有效抑制栅介质退化、提高存储单元的可靠性(耐久性)、有利于器件的按比例缩小，同时该无电容结构完全避免了常规1T1C结构中的电容结构的复杂工艺。其采用的制造工艺与常规的逻辑工艺完全兼容，也有利于高密度三维的工艺集成。
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公开(公告)号：CN102339833B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010235059.0
申请日：2010-07-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构，该结构包括选择晶体管和存储器晶体管，且该选择晶体管和该存储器晶体管共用衬底区域和源漏掺杂区，同时存储器晶体管具有堆栈结构，信息存储在栅极区域下面的电荷存储层中。本发明采用应力硅/锗硅的双层或者多层衬底，综合利用了应力硅沟道所带来的一次碰撞电离的高碰撞电离率和SixGe1-x层的引入所带来的高碰撞电离率以及由此产生的电子横向的较宽分布，将有力提高分裂栅结构的编程效率，降低编程电压，提高器件的数据保持特性，利于器件的高可靠运作。本发明的电荷俘获型分裂栅存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，利于广泛应用。
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公开(公告)号：CN101557366A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810240272.3
申请日：2008-12-18
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种基于正交频分复用系统的信道估计方法，包括：根据接收到的频率域离散导频信号，在一个时隙的时间内动态地估计出多普勒最大频率值R；根据所述多普勒最大频率值R，动态地得出系统所处信道类型；根据所述信道类型，动态地选取信道估计中导频时间轴内插的系数。本发明提供的方法可以实时判断信道变化，选取合理的插值系数，从而有效降低了由于多普勒扩展带来的系统性能损失。
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公开(公告)号：CN102456746B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010527589.2
申请日：2010-10-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法。该存储单元包括：衬底；源区和漏区，形成于衬底上部沟道的两侧，非挥发性半导体存储单元周边；栅堆栈，形成于衬底上部沟道之上，与源区和漏区相连通，其中栅堆栈包括作为存储层的金属性薄膜浮栅。本发明的存储单元及器件中，金属性薄膜浮栅代替现有技术中的多晶硅浮栅，从而能够增加电荷的存储能力，有利于存储单元的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN102075182B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910238759.2
申请日：2009-11-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种快速锁定的电荷泵锁相环，该锁相环由依次连接的鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器构成，且分频器还连接于鉴频鉴相器，使鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器连接成一个环路，该快速锁定的锁相环的输入信号是参考频率信号Fref，输出信号是锁相环生成的期待的频率信号Fout。相比传统电荷泵锁相环，本发明电荷泵锁相环有效地减小了锁定时间，并且结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN102456746A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010527589.2
申请日：2010-10-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法。该存储单元包括：衬底；源区和漏区，形成于衬底上部沟道的两侧，非挥发性半导体存储单元周边；栅堆栈，形成于衬底上部沟道之上，与源区和漏区相连通，其中栅堆栈包括作为存储层的金属性薄膜浮栅。本发明的存储单元及器件中，金属性薄膜浮栅代替现有技术中的多晶硅浮栅，从而能够增加电荷的存储能力，有利于存储单元的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN102299748A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010210675.0
申请日：2010-06-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种认知无线电网络中的频谱检测方法，将频谱检测时段分为多个时隙，将每个时隙中授权用户的出现或离开的随机过程看作维纳过程，多个时隙的似然比函数之和看成维纳过程中的随机游走，当该随机游走达到一定门限值时，我们判决此时或者之前的某一个较邻近的时刻在该频谱的使用上发生了变化，或者之前没有主用户信号，此时出现了信号，或者之前存在主用户，此时主用户退出，信号消失，通过对其性能的分析，可以证明该算法中的判断时延是很小的，可以达到快速感知、监测的要求。
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公开(公告)号：CN102075182A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910238759.2
申请日：2009-11-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种快速锁定的电荷泵锁相环，该锁相环由依次连接的鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器构成，且分频器还连接于鉴频鉴相器，使鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器连接成一个环路，该快速锁定的锁相环的输入信号是参考频率信号Fref，输出信号是锁相环生成的期待的频率信号Fout。相比传统电荷泵锁相环，本发明电荷泵锁相环有效地减小了锁定时间，并且结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN101557366B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810240272.3
申请日：2008-12-18
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种基于正交频分复用系统的信道估计方法，包括：根据接收到的频率域离散导频信号，在一个时隙的时间内动态地估计出多普勒最大频率值R；根据所述多普勒最大频率值R，动态地得出系统所处信道类型；根据所述信道类型，动态地选取信道估计中导频时间轴内插的系数。本发明提供的方法可以实时判断信道变化，选取合理的插值系数，从而有效降低了由于多普勒扩展带来的系统性能损失。
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公开(公告)号：CN102376715A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010251514.6
申请日：2010-08-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/8242
摘要： 本发明公开了一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法。无电容动态随机访问存储器结构在满足高碰撞电离率所要求的高漏压的前提下，通过对源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度增大了该区域的栅介质的电学厚度，从而有效降低了垂直方向的电场，同时通过在沟道中央区域的薄的氧化层或者采用高K材料，从而提高了栅控能力并抑制了短沟道效应。该发明结构能够有效抑制栅介质退化、提高存储单元的可靠性(耐久性)、有利于器件的按比例缩小，同时该无电容结构完全避免了常规1T1C结构中的电容结构的复杂工艺。其采用的制造工艺与常规的逻辑工艺完全兼容，也有利于高密度三维的工艺集成。
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