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公开(公告)号：CN111766151A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010781810.0
申请日：2020-08-06
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶硅棒抗拉强度的检测装置及其方法，包括两个夹具、四个石墨卡瓣和两个拉力机拉头；每个夹具通过两片对称的夹具框抱合后四周固定而成；夹具框内壁设有用于放置石墨卡瓣的凹槽；石墨卡瓣两个为一组，抱合于对应夹具的凹槽内；石墨卡瓣的内壁设有卡合单晶硅棒端部的凹槽；单晶硅棒由两端凸起的硅棒端部以及中部的硅棒测试段所组成；待测试的单晶硅棒位于两侧的夹具之间，两端的硅棒端部分别卡合于两侧的夹具内；夹具远离单晶硅棒的端部，分别与对应的拉力机拉头固定连接，通过两个拉力机拉头施加的水平拉力，拉动两个夹具朝着水平相反方向移动，直至将单晶硅棒的硅棒测试段拉断。
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公开(公告)号：CN106222736B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610900559.9
申请日：2016-10-17
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
发明人： 潘永娥
摘要： 本发明涉及一种用于直拉单晶的加热器，包括圆筒状的加热器本体，所述加热器本体从上向下分布有第一高温部、低温部，在加热器本体安装到坩埚的外围后，第一高温部和低温部分别对应坩埚的上部和中部；加热器本体通电后，第一高温部产生的温度高于低温部产生的温度。本申请的好处在于:第一高温部和低温部分别对应坩埚的上部和中部；加热器本体通电后，第一高温部产生的温度高于低温部产生的温度，使得在温差的作用下，坩埚上部的高氧硅液会流向坩埚中部，导致硅液表面即结晶面的氧含量很低，降氧效果相对于现有技术更好。
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公开(公告)号：CN106676621A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710094187.X
申请日：2017-02-21
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
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公开(公告)号：CN106222746A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610905601.6
申请日：2016-10-17
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
发明人： 潘永娥
摘要： 本发明涉及单晶炉熔料时间缩短装置及方法，单晶炉熔料时间缩短装置包括石墨坩埚，所述石墨坩埚的外表面上绕有感应线圈，所述感应线圈具有电路接线端。单晶炉熔料时间缩短方法，包括单晶炉、装有硅料的石英坩埚、加热装置、单晶炉熔料时间缩短装置，在熔料开始时，打开加热装置，并且接通感应线圈，待硅料融化后，关闭感应线圈。通过在石墨坩埚的外表面上绕感应线圈，可以在开始熔化硅料的时候，将感应线圈通电，与现有的单晶炉内的加热装置一起对硅料进行加热，提高加热效率，缩短硅料融化时间，提高单晶棒的生产效率。
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公开(公告)号：CN113070298A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110307867.1
申请日：2021-03-23
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种自旋式热屏快速清理装置和使用方法，所述装置包括挂钩组件、第一腔体、第二腔体和第三腔体，挂钩组件贯穿第一腔体的一端面，与第一腔体转动连接；第一腔体的另一端面与第二腔体的一端面固定连接；第二腔体的另一端面与第三腔体的一端面固定连接；第二腔体包括氩气腔体、排气腔体和固定在氩气腔体和排气腔体间的隔板；氩气腔体的侧面固定连接有进气阀，排气腔体与第三腔体连通；隔板上固定连接有热敏开关控制阀，热敏开关控制阀固定连接有回旋式排气道；第三腔体内固定连接有涡轮式导气盘，第三腔体侧面开设有两个以上的排气孔。使用该装置能够将热屏内壁的硅粉清理干净，避免拉晶时硅粉掉落对于炉台成晶的影响。
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公开(公告)号：CN111778550A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010685133.2
申请日：2020-07-16
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶炉用炉底加热器，包括发热体和加热器脚板；所述发热体包括若干条状的发热部，所述发热部以同一圆心呈发射状分布，每个发热部的端部彼此连接，从而形成一环形的回路，且发热体的中心留空；每个发热部的内侧一端水平，从而构成一圆形的支撑面，中部向外侧的部分逐渐向上倾斜，外侧的端部设有一垂直向下的支撑面；所述加热器脚板设置于发热体相对的两侧，其为水平的板面，与对应的发热部外端支撑面相连接，且位于支撑面的底部，与其他发热部外端支撑面底部持平；所述加热器脚板上设有用于连接电极的石墨螺栓孔。
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公开(公告)号：CN106222736A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610900559.9
申请日：2016-10-17
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
发明人： 潘永娥
摘要： 本发明涉及一种用于直拉单晶的加热器，包括圆筒状的加热器本体，所述加热器本体从上向下分布有第一高温部、低温部，在加热器本体安装到坩埚的外围后，第一高温部和低温部分别对应坩埚的上部和中部；加热器本体通电后，第一高温部产生的温度高于低温部产生的温度。本申请的好处在于:第一高温部和低温部分别对应坩埚的上部和中部；加热器本体通电后，第一高温部产生的温度高于低温部产生的温度，使得在温差的作用下，坩埚上部的高氧硅液会流向坩埚中部，导致硅液表面即结晶面的氧含量很低，降氧效果相对于现有技术更好。
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公开(公告)号：CN113430645A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110709832.0
申请日：2021-06-25
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
发明人： 郑伟扬
摘要： 本发明公开了一种直拉单晶装料方法，首先在石英坩埚底部先装填小料，形成80‑120mm厚度的小料底层；然后在小料底层上部，依次堆叠大料，并每堆叠一层大料时，再用小料填充大料的间隙，直至填充至坩埚高度的2/3，形成大小料复合层；随后在大小料复合层的上方外围，紧贴坩埚内壁铺设大料，形成大料围合层，同时在大料围合层中间填充小料，形成小料填充层，直至距离石英坩埚顶部50‑60mm；最后在大料围合层和小料填充层上部平铺两层以上的片状原料，形成片状料覆盖层。本发明直拉单晶装料方法采用区域化原料配置实现快速化料及避免事故的目的。引入片状硅料封堵坩埚顶部减少热量损失避免低温氩气进入硅料间隙带走热量实现加快化料速度的目的。
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公开(公告)号：CN111635702A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010520644.9
申请日：2020-06-09
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开一种石墨修补剂及其制备方法和应用，本发明还公开了一种石墨件再生利用方法，将ZS-1071型耐高温无机粘合剂和工业酒精混合后搅拌均匀，将器皿密封放置在温度在15-30℃环境中20-30min进行固化即得石墨修补剂；将有裂缝或断裂的石墨件取出，打磨，将打磨好的石墨件移植专门的石墨件修补间，再将断裂处的浮灰全部擦拭干净；涂上调制好的石墨修补剂，修补完成后将修补好的石墨件先在常温放置，再用高温烘烤修补部分。本发明将石墨坩埚件断裂处直接采用石墨胶进行粘合，能延长各个石墨件的使用寿命10～20炉。本发明方法操作简单，实施方便，成本低廉；不受石墨件结构限制，适用于任何各种结构的石墨件；不受热场尺寸限制，适用于任何尺寸热场石墨件。
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公开(公告)号：CN106676621B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710094187.X
申请日：2017-02-21
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
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