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公开(公告)号：CN106676621A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710094187.X
申请日：2017-02-21
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
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公开(公告)号：CN111635702A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010520644.9
申请日：2020-06-09
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开一种石墨修补剂及其制备方法和应用，本发明还公开了一种石墨件再生利用方法，将ZS-1071型耐高温无机粘合剂和工业酒精混合后搅拌均匀，将器皿密封放置在温度在15-30℃环境中20-30min进行固化即得石墨修补剂；将有裂缝或断裂的石墨件取出，打磨，将打磨好的石墨件移植专门的石墨件修补间，再将断裂处的浮灰全部擦拭干净；涂上调制好的石墨修补剂，修补完成后将修补好的石墨件先在常温放置，再用高温烘烤修补部分。本发明将石墨坩埚件断裂处直接采用石墨胶进行粘合，能延长各个石墨件的使用寿命10～20炉。本发明方法操作简单，实施方便，成本低廉；不受石墨件结构限制，适用于任何各种结构的石墨件；不受热场尺寸限制，适用于任何尺寸热场石墨件。
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公开(公告)号：CN106676621B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710094187.X
申请日：2017-02-21
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
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公开(公告)号：CN107099842A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710327143.7
申请日：2017-05-10
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种单晶硅的制备方法，其包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。上述单晶硅的制备方法，由于事先在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；碳酸钡最终可在石英坩埚的内壁上形成一层致密微小的釉层。随着硅液面的上升，最终在石英坩埚内壁与硅液接触的地方均形成这种釉层。由于形成致密微小的釉层的保护层，有效抑制了析晶，因此可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。这种致密微小的釉层的保护层很难使硅液渗入而剥落。另外，保护层可增加石英坩埚的强度，从而减少高温软化现象。还有，钡在硅中的平衡偏析系数非常小，故而不会影响到硅晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN113070298A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110307867.1
申请日：2021-03-23
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种自旋式热屏快速清理装置和使用方法，所述装置包括挂钩组件、第一腔体、第二腔体和第三腔体，挂钩组件贯穿第一腔体的一端面，与第一腔体转动连接；第一腔体的另一端面与第二腔体的一端面固定连接；第二腔体的另一端面与第三腔体的一端面固定连接；第二腔体包括氩气腔体、排气腔体和固定在氩气腔体和排气腔体间的隔板；氩气腔体的侧面固定连接有进气阀，排气腔体与第三腔体连通；隔板上固定连接有热敏开关控制阀，热敏开关控制阀固定连接有回旋式排气道；第三腔体内固定连接有涡轮式导气盘，第三腔体侧面开设有两个以上的排气孔。使用该装置能够将热屏内壁的硅粉清理干净，避免拉晶时硅粉掉落对于炉台成晶的影响。
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公开(公告)号：CN111778550A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010685133.2
申请日：2020-07-16
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶炉用炉底加热器，包括发热体和加热器脚板；所述发热体包括若干条状的发热部，所述发热部以同一圆心呈发射状分布，每个发热部的端部彼此连接，从而形成一环形的回路，且发热体的中心留空；每个发热部的内侧一端水平，从而构成一圆形的支撑面，中部向外侧的部分逐渐向上倾斜，外侧的端部设有一垂直向下的支撑面；所述加热器脚板设置于发热体相对的两侧，其为水平的板面，与对应的发热部外端支撑面相连接，且位于支撑面的底部，与其他发热部外端支撑面底部持平；所述加热器脚板上设有用于连接电极的石墨螺栓孔。
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公开(公告)号：CN214937958U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121657438.9
申请日：2021-07-20
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种增大单晶硅棒纵向温度梯度的装置，包括自外向内依次套设的热屏外导、真空内导以及水冷屏；所述热屏外导的底部中心设有陶瓷支撑环，所述的真空内导设置在陶瓷支撑环的上方；所述的水冷屏卡合在真空内导的内壁；热屏外导与真空内导之间形成一空腔，该空腔内填充有保温毡，热屏外导的顶部设有用于密封该空腔的固毡绝热环，固毡绝热环内壁与真空内导外壁紧密贴合；所述固毡绝热环的顶部盖合有石墨保温环进行固定。真空内导包括内壁和外壁，且内壁和外壁之间具有一中空腔体。该装置能够增强保温及隔绝热量，提高水冷屏冷却效果，增大纵向温度梯度提高等径拉速，同时可减少内导自生杂质对于晶棒品质的影响。
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公开(公告)号：CN212713851U
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202021521810.9
申请日：2020-07-28
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种单晶炉炉底加热器，包括发热体、加热器脚板以及电极固定板；所述发热体为环形，其两侧与加热器脚板一体成型；所述加热器脚板为一对，分别位于发热体相对的两侧；所述电极固定板为一对，分别与发热体两侧的加热器脚板可拆卸地连接。该单晶炉炉底加热器通过电极固定板在加热器脚板上的远近安装，实现电极距可调，从而满足不同电极距炉型的使用需求；通过电极固定板与加热器脚板的可拆卸安装方式，实现电极固定板与发热区分离，部件损坏后可仅更换损坏部件降低石墨件成本；加热器的发热体整体为圆形设计，可满足主加与底加任意角度匹配安装。
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公开(公告)号：CN212713835U
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202021450379.3
申请日：2020-07-21
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种用于单晶生产的高拉速水冷屏，包括中部上下贯穿的筒体、位于筒体筒壁中的冷却水水道、以及连接于筒体顶部一侧的进水管管道和连接于筒体顶部另一侧的出水管管道；所述进水管管道、筒体筒壁中的冷却水水道、以及出水管管道依次连通；所述筒体的筒壁包括外壁和内壁，冷却水水道设置于外壁和内壁之间；所述内壁为具有凹凸褶皱的折面。通过筒体内壁折面设计可有效增大散热面积，折面结构增大了水冷屏腔体，进一步增加该水冷屏对于晶棒的冷却效果，实现等径拉速的提高。内壁折面高度及角度的特殊设计可防止水冷屏内壁遮挡CCD及观察窗测径，同时折面向内延伸更加靠近晶棒增加冷却效果。
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公开(公告)号：CN214881922U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202120143340.5
申请日：2021-01-19
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种单晶炉用排气护套，包括排气管罩和排气套管；所述排气套管的底部与炉底单晶炉排气管连接；所述排气管罩通过可拆卸的方式卡接于排气套管的顶部，排气管罩的侧面环向均匀布置有两个以上的气流通道。该单晶炉用排气护套顶部采用排气管罩设计，实现气流的环向多角度横向进入利于炉内气流的稳定同时可避免漏硅时硅液进入排气管烧损设备；中部采用排气套管设计，避免堵塞，满足热场底部保温不同高度的调节；下部采用排气管隔离环设计，可有效避免热量向下传导，实现节能降耗的目的。
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