有机抗反射聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1699436A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200410092956.5

    申请日:2000-06-26

    摘要: 本发明涉及适用于采用193nm ArF辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物,抗反射涂料组合物,及其制备方法。所述聚合物含有在193nm波长处具有高吸收的苯基侧基。当本发明的抗反射涂料用于形成超细图案时,消除了在晶片下层的光学性质及其上的光敏薄膜厚度的改变而引起的驻波,也可防止光从下层衍射及反射而引起临界尺寸变化。本发明的抗反射涂料可稳定地生成适用于半导体器件的超细图案,且产率大大提高。

    有机抗反射聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1290712A

    公开(公告)日:2001-04-11

    申请号:CN00107857.7

    申请日:2000-06-26

    摘要: 本发明涉及适用于采用193nm ArF辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物,抗反射涂料组合物,及其制备方法。所述聚合物含有在193nm波长处具有高吸收的苯基侧基。当本发明的抗反射涂料用于形成超细图案时,消除了在晶片下层的光学性质及其上的光敏薄膜厚度的改变而引起的驻波,也可防止光从下层衍射及反射而引起临界尺寸变化。本发明的抗反射涂料可稳定地生成适用于半导体器件的超细图案,且产率大大提高。