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公开(公告)号：CN106990344A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710345487.0
申请日：2017-05-17
Applicant: 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司
Inventor： 米夏埃尔·沃尔特贝格
CPC classification number: G01R31/3278 , G01R31/2621 , G01R31/2623 , G01R31/3277 , G01R31/2601 , G01R31/27
Abstract: 本发明涉及监测装置和监测方法。本发明公开了一种用于半导体开关元件(2、32)的监测装置(1、31)，所述开关元件具有控制输入(3、33)、功率输入(4、34)和功率输出(5、35)，所述监测装置包括实施为通过电荷载体(7)对所述开关元件(2、32)的控制输入(3、33)进行充电的电荷载体源(6、36)，并且包括设计成检测来自所述开关元件(2、32)的控制输入(3、33)的电荷载体泄漏(9)并且当所述电荷载体泄漏(9)位于指定的阈值(10)以上时则发出警告信号(12)的测量装置(8)。本发明还公开了一种相应的监测方法。
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公开(公告)号：CN103389443A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210140914.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
CPC classification number: G01R31/2623 , H01L22/14
Abstract: 本发明涉及一种SOI MOS器件动态击穿电压的测试方法，包括先后对漏极施加逐渐递增的漏极电压循环进行击穿测试的步骤，其中击穿测试包括：步骤A，对栅极施加电压Vg，量测漏极电流；步骤B，判断当前漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上，若是，则将当前漏极电压作为动态击穿电压进行记录，结束测试；否则执行步骤C；步骤C，判断当前漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下，若是，则将当前漏极电压作为烧毁电压进行记录，结束测试；否则执行步骤D；步骤D，判断Vg是否达到上限，若是，则进入下一漏极电压下的击穿测试循环，否则将当前Vg增大后返回步骤A。本发明能够准确测得烧毁电压，准确地反映器件对电压的承受能力。
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公开(公告)号：CN103105570A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310024912.8
申请日：2013-01-23
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , G01R31/2623
Abstract: 本发明公开了一种开启电压的测试方法及系统，包括：开启电压的粗扫描：快速确定漏端电流第一次大于目标电流时的栅端电压值，即开启电压；开启电压的精扫描：不断缩小扫描步长直到所述扫描步长小于设定步长，在每一次缩小扫描步长时，在前一次确定的开启电压的基础上，以当前缩小后的扫描步长进行扫描，再次确定在当前缩小后的扫描步长下的开启电压。本发明的技术方案，通过在第二次扫描测试时加入高分辨率、高精度测试转换，自动对扫描电压进行增减，使得开启电压的测试更高效、更精确。
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公开(公告)号：CN104347611B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410389342.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: G01R31/041 , G01R1/0491 , G01R19/0092 , G01R21/06 , G01R31/261 , G01R31/2623 , G01R31/265 , H01L23/495 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化配线作业的半导体装置。半导体装置PM1具有：半导体元件(绝缘栅型双极晶体管IGBT)(10a)，其具有发射极主电极(N)以及发射极感应电极(ES)；集成电路(IC1)，其具有检测用端子(CIN)；塑膜树脂体(PKG)，其对半导体元件(10a)以及集成电路(IC1)进行封装；以及引线(RD1)。引线(RD1)具有：内部引线部分(31)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极感应电极(ES)电气连接；内部引线部分(30)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极主电极(N)电气连接；以及外部引线部分(40)，其在塑膜树脂体(PKG)的外侧露出，一侧与内部引线部分(31)连接，另一侧与内部引线部分(30)连接。
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公开(公告)号：CN103105570B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310024912.8
申请日：2013-01-23
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , G01R31/2623
Abstract: 本发明公开了一种开启电压的测试方法及系统，包括：开启电压的粗扫描：快速确定漏端电流第一次大于目标电流时的栅端电压值，即开启电压；开启电压的精扫描：不断缩小扫描步长直到所述扫描步长小于设定步长，在每一次缩小扫描步长时，在前一次确定的开启电压的基础上，以当前缩小后的扫描步长进行扫描，再次确定在当前缩小后的扫描步长下的开启电压。本发明的技术方案，通过在第二次扫描测试时加入高分辨率、高精度测试转换，自动对扫描电压进行增减，使得开启电压的测试更高效、更精确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101995536A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010243614.4
申请日：2010-08-03
Applicant: 索尼公司
Inventor： 辻川真平
CPC classification number: G01R31/2623 , G01R31/2639 , G01R31/2642
Abstract: 本发明公开了栅极绝缘膜介质击穿寿命评估方法、评估装置及评估程序，以用于评估MOS型元件的栅极绝缘膜的介质击穿寿命。所述评估方法包括如下步骤：确定直到达到所述MOS型元件的栅极绝缘膜的软击穿为止的寿命分布的威布尔斜率；在上述步骤之后根据所确定的威布尔斜率来确定所述软击穿的检测条件；以及利用所确定的检测条件来执行介质击穿试验。所述评估装置包括：电压供给单元，它向所述MOS型元件提供电压以向所述MOS型元件施加电应力；电流测定单元，它测定流过所述栅极绝缘膜的漏电流；以及温度保持单元，它将包含所述MOS型元件的试验元件保持在室温以下。根据本发明的评估方法、评估装置及评估程序，能够适当地判定介质击穿寿命。
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公开(公告)号：CN108828422A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810537438.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 西安易恩电气科技有限公司
Inventor： 杨炜光
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , G01R31/2623
Abstract: 雪崩耐量测试电路，进线端连接10A的保险丝，整体与后路耦合连接；电阻KM1和电阻R01串联连接后并整体串联二极管组B16；二极管组B16并联连接于电阻R02和开关CJ2-3；然后串联连接于电阻R03，分别并联连接于电阻R04和电阻R04-1；并整体并联连接于电压采样单元；电压采样单元整体并联连接于低感连接单元；低感连接单元串联经由测试开关QS组连接示波器；示波器连接于触发板及低感连接单元，低感连接单元连接于第二电压采样单元；第二电压采样单元经由二极管组B12-15串联连接于电阻R05；然后整体耦合连接220V的进线端。雪崩耐量测试电路通过可控开关型功率器件，实现对待测二极管的雪崩耐量的测试，可以快速、准确地测量半导体二极管的雪崩耐量，经济实用。
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公开(公告)号：CN104347611A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410389342.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中村宏之
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: G01R31/041 , G01R1/0491 , G01R19/0092 , G01R21/06 , G01R31/261 , G01R31/2623 , G01R31/265 , H01L23/495 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化配线作业的半导体装置。半导体装置PM1具有：半导体元件(绝缘栅型双极晶体管IGBT)(10a)，其具有发射极主电极(N)以及发射极感应电极(ES)；集成电路(IC1)，其具有检测用端子(CIN)；塑膜树脂体(PKG)，其对半导体元件(10a)以及集成电路(IC1)进行封装；以及引线(RD1)。引线(RD1)具有：内部引线部分(31)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极感应电极(ES)电气连接；内部引线部分(30)，其被塑膜树脂体(PKG)封装，并与发射极主电极(N)电气连接；以及外部引线部分(40)，其在塑膜树脂体(PKG)的外侧露出，一侧与内部引线部分(31)连接，另一侧与内部引线部分(30)连接。
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公开(公告)号：CN102741992A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200980100751.8
申请日：2009-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/2623 , G01R31/20 , H01L22/14
Abstract: 本发明的耐压测定方法，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，包括：将所述晶片固定到载置台的步骤(A)；利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖从所述多个半导体元件选择的一个半导体元件上设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，并且使探头与所述一个以上电极接触的步骤(B)；和对从所述一个以上电极及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定的步骤(C)。
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公开(公告)号：CN107037332A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710088355.4
申请日：2012-06-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 池上雅明
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R31/129 , G01R31/261 , G01R31/2623
Abstract: 本发明的目的在于提供能够不产生大气放电而廉价地对半导体芯片进行耐压测定的半导体测试夹具及使用了该夹具的耐压测定方法。本发明的半导体测试夹具具有：基座(1)，配设有探针(3)和以在平面视图中包围探针(3)的方式设置绝缘物(2)；下电极载置台(7)，与基座(1)的配设有探针(3)及绝缘物(2)的一侧的面对置配置，能够在基座(1)侧的面上载置半导体芯片(4)，在下电极载置台(7)上载置半导体芯片(4)，在使基座(1)和下电极载置台(7)向彼此接近的方向移动时，探针(3)与在半导体芯片(4)上形成的表面电极(5)接触，并且绝缘物(2)与半导体芯片(4)以及下电极载置台(7)这二者接触。
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