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公开(公告)号：CN106688080A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480081818.9
申请日：2014-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: F27D5/0037 , F27D7/06 , F27D2007/063 , H01L21/046 , H01L21/26513 , H01L21/67109 , H01L21/67757
Abstract: 半导体退火装置具有：腔室；管，其设置于所述腔室的内侧；晶舟，其以能够进退的方式设置在所述管的内侧；装载区域，其是所述晶舟退出至所述管之外时所述晶舟所处的区域；碳氢化合物供给单元，其将碳氢化合物气体供给至所述管的内侧；加热单元，其对所述管的内侧进行加热；以及氧供给单元，其将氧供给至所述管的内侧。所述管及所述晶舟是蓝宝石制、或者通过All－CVD形成的SiC制。
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公开(公告)号：CN104282686B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410320367.1
申请日：2014-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L29/7815
Abstract: 本发明提供一种宽带隙半导体装置，其能够抑制栅极电极与源极电极之间的静电破坏，而不会增加芯片成本。本发明的宽带隙半导体装置具备：第2源极层(n+源极层(4A))，其在p基极层(3A)的表层夹着场绝缘膜(11)形成，且与n+源极层(4)在同一工序中形成；第2栅极电极(栅极多晶硅(7A))，其至少形成于场绝缘膜(11)上，且与栅极多晶硅(7)为同一层；第3栅极电极(栅极电极(12))，其形成于一侧的第2源极层上，与第2栅极电极电连接；以及第2源极电极(源极电极(9A))，其形成于另一侧的第2源极层上。
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公开(公告)号：CN105556669A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201380079660.7
申请日：2013-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/8213 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7803
Abstract: 本发明涉及一种使用了宽带隙半导体的半导体装置，其具有：第1导电型的第1MOS晶体管(SM)，其第1主电极(D)与第1电位连接，第2主电极(S)与第2电位连接；以及第2导电型的第2 MOS晶体管(LM)，其第1主电极(D)与第1 MOS晶体管的控制电极(G)连接，第2主电极(S)与第2电位连接，第1 MOS晶体管的控制电极与第2 MOS晶体管的控制电极(G)被共通地连接，第1以及第2 MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，第1 MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，第2 MOS晶体管构成为，主电流相对于宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。
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公开(公告)号：CN102798738B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210068143.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/04 , G01R1/06777 , G01R31/129 , G01R31/2879 , G01R31/2886 , G01R31/2887 , H01L22/14
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在测试时能够防止在半导体的终端部的放电的半导体测试夹具。本发明的半导体测试夹具的特征在于，具备：台座（1），配设有探针（3）和以在平面视图中包围探针（3）的方式设置的绝缘物（2）；载物台（6），与台座（1）的配设有探针（3）以及绝缘物（2）的一侧的面对置地配置并且能够在台座（1）侧的面上载置被检体（4），在载物台（6）载置被检体（4）并且台座（1）和载物台（6）向接近的方向移动时，探针（3）与形成于被检体（4）的电极接触，并且，绝缘物（2）接触到被检体（4）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105556669B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201380079660.7
申请日：2013-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/8213 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7803
Abstract: 本发明涉及一种使用了宽带隙半导体的半导体装置，其具有：第1导电型的第1MOS晶体管(SM)，其第1主电极(D)与第1电位连接，第2主电极(S)与第2电位连接；以及第2导电型的第2 MOS晶体管(LM)，其第1主电极(D)与第1 MOS晶体管的控制电极(G)连接，第2主电极(S)与第2电位连接，第1 MOS晶体管的控制电极与第2 MOS晶体管的控制电极(G)被共通地连接，第1以及第2 MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，第1 MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，第2 MOS晶体管构成为，主电流相对于宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。
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公开(公告)号：CN107037332A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710088355.4
申请日：2012-06-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 池上雅明
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R31/129 , G01R31/261 , G01R31/2623
Abstract: 本发明的目的在于提供能够不产生大气放电而廉价地对半导体芯片进行耐压测定的半导体测试夹具及使用了该夹具的耐压测定方法。本发明的半导体测试夹具具有：基座(1)，配设有探针(3)和以在平面视图中包围探针(3)的方式设置绝缘物(2)；下电极载置台(7)，与基座(1)的配设有探针(3)及绝缘物(2)的一侧的面对置配置，能够在基座(1)侧的面上载置半导体芯片(4)，在下电极载置台(7)上载置半导体芯片(4)，在使基座(1)和下电极载置台(7)向彼此接近的方向移动时，探针(3)与在半导体芯片(4)上形成的表面电极(5)接触，并且绝缘物(2)与半导体芯片(4)以及下电极载置台(7)这二者接触。
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公开(公告)号：CN104282686A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410320367.1
申请日：2014-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L29/7815
Abstract: 本发明提供一种宽带隙半导体装置，其能够抑制栅极电极与源极电极之间的静电破坏，而不会增加芯片成本。本发明的宽带隙半导体装置具备：第2源极层(n+源极层(4A))，其在p基极层(3A)的表层夹着场绝缘膜(11)形成，且与n+源极层(4)在同一工序中形成；第2栅极电极(栅极多晶硅(7A))，其至少形成于场绝缘膜(11)上，且与栅极多晶硅(7)为同一层；第3栅极电极(栅极电极(12))，其形成于一侧的第2源极层上，与第2栅极电极电连接；以及第2源极电极(源极电极(9A))，其形成于另一侧的第2源极层上。
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公开(公告)号：CN103091515A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210200517.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 池上雅明
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R31/129 , G01R31/261 , G01R31/2623
Abstract: 本发明的目的在于提供能够不产生大气放电而廉价地对半导体芯片进行耐压测定的半导体测试夹具及使用了该夹具的耐压测定方法。本发明的半导体测试夹具具有：基座（1），配设有探针（3）和以在平面视图中包围探针（3）的方式设置绝缘物（2）；下电极载置台（7），与基座（1）的配设有探针（3）及绝缘物（2）的一侧的面对置配置，能够在基座（1）侧的面上载置半导体芯片（4），在下电极载置台（7）上载置半导体芯片（4），在使基座（1）和下电极载置台（7）向彼此接近的方向移动时，探针（3）与在半导体芯片（4）上形成的表面电极（5）接触，并且绝缘物（2）与半导体芯片（4）以及下电极载置台（7）这二者接触。
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公开(公告)号：CN102798738A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210068143.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/04 , G01R1/06777 , G01R31/129 , G01R31/2879 , G01R31/2886 , G01R31/2887 , H01L22/14
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在测试时能够防止在半导体的终端部的放电的半导体测试夹具。本发明的半导体测试夹具的特征在于，具备：台座（1），配设有探针（3）和以在平面视图中包围探针（3）的方式设置的绝缘物（2）；载物台（6），与台座（1）的配设有探针（3）以及绝缘物（2）的一侧的面对置地配置并且能够在台座（1）侧的面上载置被检体（4），在载物台（6）载置被检体（4）并且台座（1）和载物台（6）向接近的方向移动时，探针（3）与形成于被检体（4）的电极接触，并且，绝缘物（2）接触到被检体（4）。
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