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公开(公告)号：CN102328791A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110142875.1
申请日：2011-05-30
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： B65D79/02 , B65D2203/10 , G01N33/0062 , G01N33/02
摘要： 本发明提供了一种用于容纳易腐物品的容器，该容器具有容器壁，容器壁具有内侧和外侧。容器壁具有在内侧与外侧之间延伸的导电层。内侧面对着容纳物品的空间。容器包括电子电路，电子电路具有用于感测物品的物理特性或物理状况的传感器，以及用于向容器外部的接收机传送RF信号的天线。RF信号指示所感测到的物理特性或物理状况。传感器被放置为在容器的操作使用中暴露于容纳物品的空间。天线被放置在外侧，或者被放置在外侧与导电层之间，天线与导电层电绝缘。
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公开(公告)号：CN101960570A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106290.5
申请日：2009-02-17
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 吉尔贝托·库拉托拉 , 帕拉哈特·阿加瓦尔 , 马克·J·H·范达尔 , 维贾亚拉格哈万·马达克西拉
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7854 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/775
摘要： 公开了一种制造半导体器件的方法，包括：提供绝缘载体(10)，例如氧化物晶片；在所述载体上形成在源极结构(12)与漏极结构(14)之间的沟道结构(20)；选择性地去除沟道结构(20)的一部分，从而在沟道结构(20)与载体(10)之间形成凹入部(22)；将器件外露于退火步骤，使得沟道结构(20’)获得实质上圆柱形形状；形成围绕实质上圆柱形沟道结构(20’)的限制层(40)；生长围绕限制层(40)的氧化层(50)；以及形成围绕氧化层(50)的栅极结构(60)。所述实质上圆柱形沟道结构20’可以包括半导体层30。还公开了相应的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102239562B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980148820.2
申请日：2009-10-12
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 吉尔贝托·库拉托拉 , 马库斯·J·H·范达纶
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/165 , H01L21/334 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L21/26586 , H01L21/2815 , H01L29/0657 , H01L29/165 , H01L29/42356 , H01L29/42376 , H01L29/66356 , H01L29/66977
摘要： 公开了一种制造隧穿场效应晶体管的方法。所述方法包括：使用图案化的硬掩模(102)在硅衬底(100)中形成两台阶剖面，所述图案化的硬掩模(102)覆盖剖面的较高台阶；形成抵靠较高台阶的侧壁的栅极叠层(114，116)；在栅极叠层(118)的每一侧形成间隔物(122)；以及在较高台阶中注入第一类型杂质(124)并且在相邻的较低台阶(120)中注入相反类型杂质，其中在去除图案化的硬掩模(104)之后使用成角度的注入步骤来注入至少第一类型杂质。在优选实施例中，所述方法还包括：形成牺牲间隔物(108)，所述牺牲间隔物(108)抵靠较高台阶的侧壁和硬掩模(104)的侧壁；进一步蚀刻靠近间隔物(108)的较低台阶(106，110)，随后在较低台阶上生长另外的半导体部分(112)；以及在栅极叠层形成之前去除间隔物(108)。另外还公开了一种包括根据该方法制造的隧穿晶体管的IC。
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公开(公告)号：CN102608547A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110429504.1
申请日：2011-12-20
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： G01R33/06 , G01R33/066 , H01L27/22 , H01L29/82 , H01L43/00
摘要： 根据本发明的场效应磁传感器促进了高灵敏的磁场检测。根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
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公开(公告)号：CN101558497B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200780046404.2
申请日：2007-12-10
申请人： NXP股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7391 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/41791 , H01L29/785
摘要： 一种晶体管器件(10)，该晶体管器件(10)包括：衬底(11，14)；在衬底(11，14)上沿着水平方向成一条直线的鳍(3，3A)；鳍(3，3A)中的第一种电导类型的第一源极/漏极区域(4)；鳍(3，3A)中的第二种电导类型的第二源极/漏极区域(5)，其中第一种电导类型不同于第二种电导类型；在鳍(3，3A)中介于第一源极/漏极区域(4)与第二源极/漏极区域(5)之间的沟道区域(33)；沟道区域(33)上的栅极绝缘体(6)；和在栅极绝缘体(6)上的栅极结构(7，8)，其中第一源极/漏极区域(4)、沟道区域(33)和第二源极/漏极区域(5)的序列沿着水平方向成一条直线。
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公开(公告)号：CN101668866A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013336.4
申请日：2008-04-15
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 马蒂亚斯·默茨 , 尤里·V·波诺马廖夫 , 吉尔贝托·库拉托拉
IPC分类号： C12Q1/68 , G01N15/12 , G01N27/414
CPC分类号： G01N33/48721 , C12Q1/6869 , G01N27/414 , C12Q2565/631
摘要： 一种检测器装置，包括：基底(50)；源极区(S)和漏极区(D)；和在源极区与漏极区之间的沟道区(65)。纳米孔(54)穿过沟道区并将处在该纳米孔相对两端上的液体室(56，58)相连接；在液体室、源极与漏极之间提供偏压，并感测源极区与漏极区之间的电荷流。该装置使用纳米孔用以限定接近传感器的待测样本(例如核苷酸)。传感器的尺寸可以做成近似于DNA链中相邻核苷酸的间距。通过这种方式，可以避免用于DNA测序的基于PCR的技术的缺点，并可以得到单个核苷酸的解。
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公开(公告)号：CN101523607A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036958.4
申请日：2007-10-03
申请人： NXP股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/165 , H01L29/201
CPC分类号： H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7391
摘要： 穿隧式晶体管包括与漏极扩散部分(6)的导电类型相反的源极扩散部分(4)，从而在低掺杂区域(8)中的源极扩散部分和漏极扩散部分之间形成耗尽层。绝缘栅极(16)控制耗尽层的位置和厚度。该器件包括形成在积累层(20)中的量子阱，积累层(20)以不同于底层(2)和盖层(22)的材料制成。
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公开(公告)号：CN102608547B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110429504.1
申请日：2011-12-20
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： G01R33/06 , G01R33/066 , H01L27/22 , H01L29/82 , H01L43/00
摘要： 根据本发明的场效应磁传感器促进了高灵敏的磁场检测。根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
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公开(公告)号：CN101668866B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN200880013336.4
申请日：2008-04-15
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 马蒂亚斯·默茨 , 尤里·V·波诺马廖夫 , 吉尔贝托·库拉托拉
IPC分类号： C12Q1/68 , G01N15/12 , G01N27/414
CPC分类号： G01N33/48721 , C12Q1/6869 , G01N27/414 , C12Q2565/631
摘要： 一种检测器装置，包括：基底(50)；源极区(S)和漏极区(D)；和在源极区与漏极区之间的沟道区(65)。纳米孔(54)穿过沟道区并将处在该纳米孔相对两端上的液体室(56，58)相连接；在液体室、源极与漏极之间提供偏压，并感测源极区与漏极区之间的电荷流。该装置使用纳米孔用以限定接近传感器的待测样本(例如核苷酸)。传感器的尺寸可以做成近似于DNA链中相邻核苷酸的间距。通过这种方式，可以避免用于DNA测序的基于PCR的技术的缺点，并可以得到单个核苷酸的解。
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公开(公告)号：CN102132154A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133183.1
申请日：2009-08-24
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 马蒂亚斯·梅兹 , 尤里·V·波诺玛廖夫 , 吉尔贝托·库拉托拉
IPC分类号： G01N27/403 , G01N27/333 , G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4148 , G01N27/4145
摘要： 本发明涉及一种用于确定分析物(100)中带电颗粒浓度的方法，所述方法包括以下步骤：i)确定表面电势对界面温度曲线(c1、c2、c3、c4)的至少两个测量点，其中从所述第一离子敏感电介质(Fsd)和分析物(100)之间的第一界面和第二离子敏感电介质(Ssd)和分析物(100)之间的第二界面之间的温度差来获得所述界面温度，并且从其上分别设置了所述第一离子敏感电介质(Fsd)和第二离子敏感电介质(Ssd)的第一电极(Fe)和第二电极(Se)之间的电势差来获得所述表面电势；以及ii)根据所述曲线(c1、c2、c3、c4)的至少两个测量点的位置来计算所述带电颗粒浓度。仍然是电势电化学测量方法的这种方法使用了分析物中的离子敏感电介质的表面电势的温度依赖性。本发明还提出了一种电化学传感器，用于确定分析物中的带电颗粒浓度。本发明还提出了可以用于确定带电颗粒浓度的各种传感器，即EGFET和EIS电容器。
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