公开(公告)号：CN1933264A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610125774.2

申请日：2006-05-31

申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司

发明人： D·P·布尔 ,  J·朱

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/0175 ,  G02F2001/01758

摘要： 一种光调制器包括第一波导层和势垒层、以及夹在该第一波导层和该势垒层之间的量子阱层，其中该量子阱层具有渐变组分，该渐变组分在最小带隙能量和该第一波导层和势垒层中至少一个的带隙能量之间改变该量子阱层的带隙能量。

公开(公告)号：CN104977770B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201410791118.0

申请日：2014-12-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

发明人： 赵龙哲 ,  李用卓 ,  罗炳勋 ,  朴昌泳 ,  周建佑 ,  朴勇和

IPC分类号： G02F1/17

CPC分类号： G02F1/01725 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133605 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2001/01733 ,  G02F2001/0175 ,  G02F2001/01766 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L31/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  Y02E10/548 ,  Y10S977/755

摘要： 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。

公开(公告)号：CN104977770A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410791118.0

申请日：2014-12-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

发明人： 赵龙哲 ,  李用卓 ,  罗炳勋 ,  朴昌泳 ,  周建佑 ,  朴勇和

IPC分类号： G02F1/17

CPC分类号： G02F1/01725 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133605 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2001/01733 ,  G02F2001/0175 ,  G02F2001/01766 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L31/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  Y02E10/548 ,  Y10S977/755

摘要： 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。

公开(公告)号：CN1332241C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03810399.0

申请日：2003-03-14

申请人： 英坦斯有限公司

发明人： 约翰·H·马什

IPC分类号： G02F1/017

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2001/0175 ,  G02F2201/16

摘要： 一种电吸收调制器，包括具有多个部分(201-205)的波导结构，每个部分具有不同的禁带隙以及至少一个用于为所述部分独立施加电偏置的单独电极，其中所述波导结构的多个部分设置成串联构造。通过对一个或多个所述部分施加调制信号，并以一种方式用偏置电压电偏置一个或多个部分，以实现参数啁啾、调制深度和插入损耗中任意一个或多个的预制水平，可使用多个单独可寻址部分对通过所述波导结构的光信号进行调制。

公开(公告)号：CN1653375A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810399.0

申请日：2003-03-14

申请人： 英坦斯光子学有限公司

发明人： 约翰·H·马什

IPC分类号： G02F1/017

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2001/0175 ,  G02F2201/16

摘要： 一种电吸收调制器，包括具有多个部分(201－205)的波导结构，每个部分具有不同的禁带隙以及至少一个用于为所述部分施加电偏置的电极。通过对一个或多个所述部分施加调制信号，并以一种方式用偏置电压电偏置一个或多个部分，以实现参数啁啾、调制深度和插入损耗中任意一个或多个的预制水平，可使用多个单独可寻址部分对通过所述波导结构的光信号进行调制。