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    曝光机的曝光量自动调节系统及方法
    1.
    发明公开
    曝光机的曝光量自动调节系统及方法 有权

    公开(公告)号：CN107908082A

    公开(公告)日：2018-04-13

    申请号：CN201711479352.X

    申请日：2017-12-29

    申请人： 武汉华星光电技术有限公司

    发明人： 丛晓东

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/7055

    摘要： 本发明公开了一种曝光机的曝光量自动调节系统，包括：获取单元，用于获取系统预设的预设线距；建模单元，用于建立预设线距和与之所对应的曝光后的测量线距之间的函数模型；计算单元，用于将检测到的当前预设线距带入该函数模型，获得当前的测量线距；曝光量调节单元，用于根据当前的测量线距调节曝光机的曝光量。本发明还公开了一种曝光机的曝光量自动调节方法。本发明通过采用曝光前后基板图案的线距之间的关系确定出预设线距与测量的实际线距之间的对应关系，通过该对应关系结合实时采集的系统预设线距，确定其曝光后应有的测量线距，然后根据该测量线距调节曝光量，实现了曝光量的自动调节，使得曝光量始终能够实现预期的制程参数。

    利用变角度曝光制备复合周期的多级结构的方法及应用
    2.
    发明公开
    利用变角度曝光制备复合周期的多级结构的方法及应用 有权 许可

    公开(公告)号：CN106773545A

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：CN201710000471.6

    申请日：2017-01-03

    申请人： 吉林大学

    发明人： 孙洪波 ,  王磊 ,  陈岐岱

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70408 ,  G03F7/7055

    摘要： 本发明公开了一种利用变角度曝光制备复合周期的多级结构的方法及应用，属于激光加工技术领域，具体涉及利用双光束干涉制备具有复合周期的微米－纳米跨尺度多级结构，通过在制备过程中改变双光束干涉的曝光角来同时获得复合周期和多级微纳结构，并利用从微米到纳米的跨尺度多级结构和复合周期，来获得超输水表面和模仿昆虫翅膀的结构色。本发明利用变角度曝光，仅通过双光束干涉一种加工技术即得到多级结构，突破了现有技术必须结合多种方法制备多级结构的局限性，该方法具有高扩展性和产率高、效率高等优势。

    一种跨尺度结构协同工作的无掩模光刻系统
    3.
    发明公开
    一种跨尺度结构协同工作的无掩模光刻系统 有权

    公开(公告)号：CN106707692A

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：CN201510446458.4

    申请日：2015-07-27

    申请人： 中国科学院理化技术研究所

    发明人： 段宣明 ,  董贤子 ,  郑美玲

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/2053 ,  B23K26/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/7055

    摘要： 本发明提供了一种跨尺度结构协同工作的无掩模光刻系统，包括：激光逐点扫描曝光单元，面投影曝光单元，移动台和计算控制单元，其中，计算控制单元将待曝光图形进行分解，以使得精度要求在预定阈值以下的图形由激光逐点扫描单元实现曝光，精度要求大于预定阈值的图形由面投影曝光单元实现曝光；在对该移动台上的样品进行激光逐点扫描曝光时，根据该精度要求在预定阈值以下的图形，该激光逐点扫描曝光单元出射的光相对该样品移动，从而实现对该样品的激光逐点扫描曝光；在对样品进行面投影曝光时，面投影曝光单元根据精度要求大于预定阈值的图形出射具有对应图形形状的光到样品上，以实现对样品的面投影曝光。

    光直写成像设备以及系统
    4.
    发明公开
    光直写成像设备以及系统 无效

    公开(公告)号：CN106647178A

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：CN201611051329.6

    申请日：2016-11-25

    申请人： 天津津芯微电子科技有限公司

    发明人： 王喜宝

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70383 ,  G03F7/7055

    摘要： 本发明提供了一种光直写成像设备以及系统，涉及光刻技术领域，包括精密位移平台、精密位移平台控制器、空间光调制器、空间光调制器控制模块、光源、光源控制器；精密位移平台每移动一个设定的触发距离，精密位移平台控制器分别向空间光调制器控制模块与光源控制器输出一个脉冲信号；空间光调制器控制模块根据每次接收到的脉冲信号的触发沿，控制空间光调制器的内部镜片装置运行一个固定时间的过渡过程；光源控制器根据每次接收到的脉冲信号的触发沿，控制光源发出脉冲光的占空比。实现了在镜片装置微镜翻转的过渡过程中，关闭光源输出，减少了成像系统杂散光，提高了印制电路板的曝光效果。

    光刻设备、传感器以及方法
    5.
    发明授权
    光刻设备、传感器以及方法 有权

    公开(公告)号：CN104204951B

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：CN201380015349.6

    申请日：2013-02-21

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： F·伊万格利斯塔 ,  D·克伦德 ,  C·德布瑞吉恩

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/7055 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/429 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70958

    摘要： 一种光刻设备包括配置成调节辐射束的照射系统，构造成支撑图案化装置的支撑件，能够在其剖视面中将图案赋予辐射束以形成图案化辐射束的图案化装置；构造以固定衬底的衬底基台，配置成将图案化辐射束投影至衬底的目标部分上的投影系统，以及传感器。传感器(S)包括，位于光刻设备操作期间辐射束朝向其引导的半导体衬底(4)的表面(8)上的光电二极管(2)，位于半导体衬底的表面上光电二极管周围的第一辐射阻挡材料(10)，以及第二辐射阻挡材料(12)位于光刻设备操作期间辐射束入射其上的半导体衬底的侧部(14)上。

    光刻设备、传感器以及方法
    7.
    发明公开
    光刻设备、传感器以及方法 有权

    公开(公告)号：CN104204951A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201380015349.6

    申请日：2013-02-21

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： F·伊万格利斯塔 ,  D·克伦德 ,  C·德布瑞吉恩

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/7055 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/429 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70958

    摘要： 一种光刻设备包括配置成调节辐射束的照射系统，构造成支撑图案化装置的支撑件，能够在其剖视面中将图案赋予辐射束以形成图案化辐射束的图案化装置；构造以固定衬底的衬底基台，配置成将图案化辐射束投影至衬底的目标部分上的投影系统，以及传感器。传感器(S)包括，位于光刻设备操作期间辐射束朝向其引导的半导体衬底(4)的表面(8)上的光电二极管(2)，位于半导体衬底的表面上光电二极管周围的第一辐射阻挡材料(10)，以及第二辐射阻挡材料(12)位于光刻设备操作期间辐射束入射其上的半导体衬底的侧部(14)上。

    一种曝光系统
    8.
    发明公开
    一种曝光系统 有权

    公开(公告)号：CN103885299A

    公开(公告)日：2014-06-25

    申请号：CN201410099166.3

    申请日：2014-03-17

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

    发明人： 史大为 ,  郭建

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70608 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625

    摘要： 本发明提供一种曝光系统。该曝光系统包括光源和载台，光源和载台相对设置，载台用于放置待曝光膜，光源发出的光线能对待曝光膜进行曝光，还包括厚度测量单元和光强调节单元，厚度测量单元和光强调节单元电连接；厚度测量单元用于测量不同区域的待曝光膜的厚度；光强调节单元用于根据不同区域的待曝光膜的厚度，对相应区域的待曝光膜的曝光光强进行调节。该曝光系统通过设置厚度测量单元和光强调节单元，能够改善由于不同区域的待曝光膜的厚度不均从而导致的经曝光后待曝光膜上形成的图形尺寸均一性差的问题，从而使得显示产品显示面板中各功能层的图形尺寸更加均一，进而使得显示产品的性能更加稳定。

    投影曝光装置
    9.
    发明公开
    投影曝光装置 有权

    公开(公告)号：CN103098171A

    公开(公告)日：2013-05-08

    申请号：CN201180043551.0

    申请日：2011-06-23

    申请人： 株式会社ORC制作所

    发明人： 中本裕见

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/7055 ,  G01B11/14 ,  G01B11/27 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7015

    摘要： 本发明提供一种投影曝光装置，其具有遮光单元，该遮光单元使伴随基板的运入运出的遮光部件的安装和卸下的所需时间变短。投影曝光装置具有：投影光学系统，其将包含紫外线的光线照射在光掩模上，将通过了光掩模的光线投影在涂布了光致抗蚀剂的基板上；基板台，其载置基板；以及遮光单元，其遮盖基板的周边部而遮住光线。而且，遮光单元（80）具有：第1遮光部件和第2遮光部件（84、86），它们分别具有大致半圆形的开口部；以及移动单元（82、83），它们移动第1遮光部件和第2遮光部件，使两者相互接近或远离。因此，当第1遮光部件和第2遮光部件相互接近时，第1遮光部件和第2遮光部件形成环状，来遮盖基板（CB）的周边部。