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公开(公告)号：CN1236995A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99105682.5
申请日：1999-02-12
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H01L29/66984 , G11C11/22 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , G11C2211/5616 , H01L43/08
摘要： 公开了一种无需外加磁场即可控制磁化的元件。铁磁性材料形成的磁化区域被包含磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域所分隔。对隔离区域外加激励,改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用,以控制磁化区域的磁化。另外,提供由包含导电材料的导电层和多个磁性层构成的层状组合,使导电层配置在磁性层之间。使电流流过导电层,改变磁性层之间的磁性耦合状态,以控制磁性层之间的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1121252A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
摘要： 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN1126127C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
摘要： 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN1405777A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02128645.0
申请日：2002-08-09
申请人： 惠普公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , G11C2211/5616 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/222
摘要： 一种磁存储单元(10)包括串连的第一和第二磁阻器件(12，14)。第一和第二磁阻器件(12，14)具有不同的矫顽磁力(L1，L2)的第一和第二传感层(18，14)。磁随机存取存储器(MRAM)器件(812)可以包括这些存储单元(10)的阵列。
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公开(公告)号：CN1319070C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN01111226.3
申请日：2001-03-09
申请人： 惠普公司
发明人： M·K·巴塔查里亚
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , G11C2211/5616
摘要： 多位磁存储单元(400)包含第一(410)和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对(430，450)介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中，第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层(420，460)从而将第一和第二数据层与反铁磁耦合层对分隔开来。在一个实施例中，介于反铁磁耦合层对之间的耦合层(440)是一种可导、包含钌(Ru)或铜(Cu)的金属材料。在一个实施例中，介于每一个第一、第二数据层和反铁磁耦合层对之间的分隔层(420，460)是不可导的，这样的单元是自旋相关隧道磁阻(TMR)单元。作为选择，分隔层(420，460)是可导的，则这种单元是巨磁阻(GMR)单元。
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公开(公告)号：CN1199278C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN99105682.5
申请日：1999-02-12
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H01L29/66984 , G11C11/22 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , G11C2211/5616 , H01L43/08
摘要： 公开了一种无需外加磁场即可控制磁化的元件。铁磁性材料形成的磁化区域被包含磁性材料和半导体材料的复合材料的隔离区域所分隔。对隔离区域外加激励，改变分隔的磁化区域之间的磁交互作用，以控制磁化区域的磁化。另外，提供由包含导电材料的导电层和多个磁性层构成的层状组合，使导电层配置在磁性层之间。使电流流过导电层，改变磁性层之间的磁性耦合状态，以控制磁性层之间的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1316746A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01111226.3
申请日：2001-03-09
申请人： 惠普公司
发明人： M·K·巴塔查里亚
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , G11C2211/5616
摘要： 多位磁存储单元(400)包含第一(410)和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对(430,450)介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中，第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层(420,460)从而将第一和第二数据层与反铁磁耦合层对分隔开来。在一个实施例中，介于反铁磁耦合层对之间的耦合层(440)是一种可导、包含钌(Ru)或铜(Cu)的金属材料。在一个实施例中，介于每一个第一、第二数据层和反铁磁耦合层对之间的分隔层(420,460)是不可导的，这样的单元是自旋相关隧道磁阻(TMR)单元。作为选择，分隔层(420,460)是可导的，则这种单元是巨磁阻(GMR)单元。
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