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公开(公告)号：CN1689716A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510074277.X
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B08B3/02
CPC classification number: B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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公开(公告)号：CN1130693C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN96111903.9
申请日：1996-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , G11C11/14
Abstract: 用小磁场显示大磁电阻变化的磁电阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板(1)上设置半导体膜(2)，在半导体膜(2)上设置半导体膜(3)，在半导体膜(3)上设置非磁性金属膜(4)。非磁性金属膜(4)上设有良好方型磁化曲线的磁性膜(5)。在基板(1)下设置电极(6)，在磁性膜(7)上设置电极。将激光照射到半导体膜(2)上，在半导体膜(3)中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜(5)的界面处电子散射依赖于磁性膜(5)的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
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公开(公告)号：CN1126127C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN100387365C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510074277.X
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B08B3/02
CPC classification number: B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。一种利用加压流体的清洗方法，在通过使加压流体(380)与被清洗物(214)接触以去除附着在上述被清洗物表面的杂质(381)的清洗方法中，上述被清洗物的密度在上述流体的液体密度以下，通过变化上述流体的压力、温度中的至少一个条件，反复上述流体密度对于上述被清洗物密度的高低，使上述被清洗物在上述流体中上下运动，产生搅拌效果，使上述被清洗物与上述流体接触，从而去除附着在上述被清洗物表面的杂质。
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公开(公告)号：CN1320966C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN03811605.7
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B08B7/0021
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1318837A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01111940.3
申请日：2001-02-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的致动器包括形状保持片,整体地设在形状保持片上的压电薄膜,和一对电极,做成用来夹持压电元件,其中形状保持片由合成树脂形成。由于压电部件薄,通过合成树脂制成的形状保持片使刚性增加,这样可以调整谐振频率。
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公开(公告)号：CN101147909A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152843.3
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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公开(公告)号：CN1333386C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN99810988.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/484 , G11B5/5552
Abstract: 一种信息记录/重现设备，包括：头支撑机构，它包括头和用于携带该头的滑动器；主驱动装置，该头支撑机构还包括：负载梁；多个薄板，包括第一薄板和第二薄板；支撑该滑动器的部件；第一驱动子装置，包括固定在第一薄板上的第一薄膜；第二驱动子装置，包括固定在第二薄板上的第二薄膜，驱动子装置利用薄膜的挠性变形使得头作微小移动。
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公开(公告)号：CN1148234A
公开(公告)日：1997-04-23
申请号：CN96111903.9
申请日：1996-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , G11C11/14
Abstract: 用小磁场显示大磁阻变化的磁阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板1上设置半导体膜2，在半导体膜2上设置半导体膜3，在半导体膜3上设置非磁性金属膜4，非磁性金属膜4上设有良好方型磁化曲线的磁性膜5，在基板1下设置电极6，在磁性膜7上设置电极7。将激光照射到半导体膜2上，在半导体膜3中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜5的界面处电子散射依赖于磁性膜5的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
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公开(公告)号：CN1121252A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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