公开(公告)号：CN1121252A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95106521.1

申请日：1995-05-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  入江庸介 ,  里见三男 ,  川分康博

IPC: H01F10/12 ,  G11B5/31 ,  G11C11/15

CPC classification number: H03F7/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3925 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5616 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/222 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。

公开(公告)号：CN1126127C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN95106521.1

申请日：1995-05-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  入江庸介 ,  里见三男 ,  川分康博

IPC: H01F10/12 ,  G11B5/31 ,  G11C11/15

CPC classification number: H03F7/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3925 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5616 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/222 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。