公开(公告)号：CN105316639A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC分类号： C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN104004997B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201410063566.9

申请日：2014-02-25

申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司

发明人： J.维特 ,  S.埃斯塞 ,  J.米勒 ,  G.埃肯斯

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/32669 ,  C23C14/325 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/345

摘要： 本发明涉及一种圆筒状蒸发源（1），所述蒸发源在圆筒外壁（2）处包括待蒸发的靶材（3）以及第一磁场源（401）和第二磁场源（402），所述第一磁场源和所述第二磁场源形成磁体系统（400）的至少一部分并且被布置在用于产生磁场的圆筒状蒸发源（1）的内部中。在这一方面，第一磁场源（401）和第二磁场源（402）被设置在载体系统（500）处，从而使得磁场的形状和/或强度能够根据预先定义的计划被设置在预先定义的空间区域中。根据本发明，所述载体系统（500）被构造用于设置所述载体系统（500）的所述磁场的形状和/或强度，从而使得所述第一磁场源（401）被布置在第一载体臂（501）处且能够相对于第一枢转轴线（5011）枢转预先定义的第一枢转角度（α1）。

公开(公告)号：CN105316639B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC分类号： C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN104004997A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410063566.9

申请日：2014-02-25

申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司

发明人： J.维特 ,  S.埃斯塞 ,  J.米勒 ,  G.埃肯斯

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/32669 ,  C23C14/325 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/345

摘要： 本发明涉及一种圆筒状蒸发源（1），所述蒸发源在圆筒外壁（2）处包括待蒸发的靶材（3）以及第一磁场源（401）和第二磁场源（402），所述第一磁场源和所述第二磁场源形成磁体系统（400）的至少一部分并且被布置在用于产生磁场的圆筒状蒸发源（1）的内部中。在这一方面，第一磁场源（401）和第二磁场源（402）被设置在载体系统（500）处，从而使得磁场的形状和/或强度能够根据预先定义的计划被设置在预先定义的空间区域中。根据本发明，所述载体系统（500）被构造用于设置所述载体系统（500）的所述磁场的形状和/或强度，从而使得所述第一磁场源（401）被布置在第一载体臂（501）处且能够相对于第一枢转轴线（5011）枢转预先定义的第一枢转角度（α1）。