公开(公告)号：CN109690728A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055121.8

申请日：2017-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： 盛殊然 ,  阿部忍 ,  桑原庆太 ,  崔苏河

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32715 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32577

摘要： 本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器，所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。

公开(公告)号：CN106997842A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710048220.5

申请日：2017-01-20

申请人： 应用材料公司

发明人： J·罗杰斯

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32605 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3288 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32532

摘要： 本公开总体上涉及控制边缘环的射频(RF)振幅的装置和方法。装置和方法包括通过可变电容器耦接到接地的电极。所述电极可以是环形的并且嵌入在基板支撑件中，所述基板支撑件包括静电卡盘。所述电极可定位于基板和/或所述边缘环的周边下方。当等离子体壳层由于边缘环侵蚀而相邻于所述边缘环下降时，调整可变电容器的电容以便影响靠近所述基板边缘的RF振幅。经由所述电极和可变电容器对RF振幅的调整引起所述基板周边附近的等离子体壳层的调整。

公开(公告)号：CN106282974A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610457284.6

申请日：2016-06-22

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 佐藤羊治 ,  佐藤贵康 ,  中田博道 ,  橘和孝 ,  有屋田修 ,  高野裕二 ,  鹤本谅

IPC分类号： C23C16/517

CPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32577 ,  C23C16/517

摘要： 等离子化学气相沉积装置包括腔室(12)、具有伸长形状的第一导体(20)、具有管状形状的第二导体(30)、高频输出装置(45)和直流电源的第一连接部(23)以及第一导体(20)的与直流电源(46)连接的第二连接部(24)均被放置在腔室(12)的外侧。从第一导体(20)的一端到第一连接部(23)的距离短于从第一导体(20)的所述一端到第二连接部(24)的距离。在第一导体(20)中在第一连接部(23)和第二连接部(24)之间设置阻抗变化部(25)，阻抗变化部具有的阻抗不同于在第一导体(20)的所述一端与第一连接部(23)之间的阻抗。(46)。第一导体(20)的与高频输出装置(45)连接

公开(公告)号：CN103582720B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280002957.9

申请日：2012-06-05

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 安永裕介 ,  后藤昭弘 ,  寺本浩行 ,  鹫见信行

IPC分类号： C23C26/00

CPC分类号： B05C11/00 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/32825 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

摘要： 放电电极及工件与电容器并联连接，在极间产生的放电脉冲电流的起始处形成有高峰值短脉宽的电流部分的情况下，通过在切换为随后的低电流值长脉宽的电流部分时，对反转电流进行抑制或阻止，从而使放电脉冲电流的波形形成为不对覆膜的生成产生影响的电流波形。

公开(公告)号：CN105593968A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480052606.8

申请日：2014-09-25

申请人： 依狄奥特股份公司

发明人： O.R.肖杰伊 ,  J.施米特 ,  F.珍内雷特

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32568 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321

摘要： 等离子体反应器容器（100）包括真空腔室（30）；在所述真空腔室（30）中的第一电极（2）；在所述真空腔室（30）中、与所述第一电极（2）相对并且与所述第一电极（2）间隔的第二电极（8）；电连接至所述第一或第二电极的其中之一的电源（33）；包括导电材料的基板载体（13），所述基板载体（13）配置为与所述第二电极（8）电接触并且保持基板（11），使得所述基板的上表面和下表面的至少大部分未被所述等离子体反应器的任何部分触摸并且可以暴露于所述等离子体；其中，所述反应器容器（100）还包括第三电极（16），所述第三电极（16）包括在所述基板载体（13）与所述第二电极（8）之间，其中所述第三电极（16）与所述第二电极（8）电绝缘；以及其中所述第三电极（16）和所述基板载体（13）布置为使得，在所述基板载体（13）保持基板（11）时，第一隙距（12）包括在所述基板（11）与所述第三电极（16）之间。还提供了对应组件以及用于执行等离子体处理的方法。

公开(公告)号：CN105316639A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC分类号： C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN104485303A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201510001892.1

申请日：2015-01-04

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 井杨坤 ,  武兴

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01J37/32715 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种吸附装置及其工作方法，所述吸附装置包括承载模块、电源模块、温度检测模块和电压控制模块，所述承载模块用于吸附并承载基片，所述电源模块用于向所述承载模块加载直流电压以使所述承载模块产生吸附力，所述温度检测模块用于检测所述承载模块的温度，所述电压控制模块用于根据所述温度控制所述电源模块输出的直流电压，以保证所述吸附力为恒定值，从而使得所述吸附装置的吸附力与所述吸附装置的温度无关，避免所述吸附装置的温度变化引起吸附力的变化。

公开(公告)号：CN102460649B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080026164.1

申请日：2010-05-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 崔寿永 ,  S·安瓦尔 ,  古田学 ,  朴范秀 ,  R·L·蒂纳 ,  J·M·怀特 ,  栗田真一

IPC分类号： H01L21/205 ,  H05H1/34

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32577

摘要： 本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。

公开(公告)号：CN103474327A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310337212.4

申请日：2009-05-20

申请人： 诺信公司

发明人： 托马斯·V·博尔登二世 ,  路易斯·费耶罗 ,  詹姆士·D·格蒂

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/50 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J15/02 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577

摘要： 具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接。用于利用从源气体产生的等离子体处理产品的设备。所述设备包括真空室、在所述真空室内布置成邻近的对的多个并置电极、和与所述电极电联接的等离子体激励源。所述设备可包括导电构件，所述导电构件延伸到每个电极的内部中以形成与所述等离子体激励源的对应的电连接。所述设备可包括气体分配歧管和与所述气体分配歧管联接的多个气体输送管。每个气体输送管具有喷射端口，所述喷射端口构造成在电极的每个邻近的对之间喷射所述源气体。所述设备还可包括流限制构件，所述流限制构件用于部分阻塞电极的每个邻近的对之间的周边间隙，这限制所述源气体漏出电极的每个邻近的对之间的处理室。

公开(公告)号：CN101346492B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN200680048606.6

申请日：2006-12-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  安瓦尔·侯赛因

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32532 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069

摘要： 公开一种配置为为等离子处理系统的等离子处理室提供接地路径的电极总成。该设备包括配置为暴露于等离子的电极。该设备还包括设置在该电极上面的加热板，其中该加热板配置为加热该电极。该设备进一步包括设在该加热板上面的冷却板，其中该冷却板配置为冷却该电极。该设备还包括等离子室盖，配置为将等离子限制在该等离子室中，其中该等离子室盖包括接地。该设备进一步包括夹紧环，配置为将该电极、该加热板和该冷却板固定到该等离子室盖，该夹紧环进一步配置为提供从电极到室盖的接地路径。