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公开(公告)号:CN102257727A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN200980151309.8
申请日:2009-12-21
申请人: 高通股份有限公司
CPC分类号: H03F3/45183 , H03F1/307
摘要: 本发明描述一种具有电阻式电平移位电路的AB类放大器。在一个示范性设计中,所述AB类放大器包括输入级、电阻式电平移位级、AB类输出级和偏压电路。所述输入级接收输入信号并提供第一驱动信号。所述电阻式电平移位级接收所述第一驱动信号并提供第二驱动信号。所述输出级接收所述第一和第二驱动信号并提供输出信号。所述偏压电路产生用于所述电阻式电平移位级的偏电压以获得用于所述输出级的所要静态电流。在一个示范性设计中,所述电阻式电平移位级包括晶体管和电阻器。所述晶体管接收所述偏电压并提供所述第二驱动信号。所述电阻器耦合到所述晶体管并提供在所述第一与第二驱动信号之间的电压降。
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公开(公告)号:CN101278477B
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200680036154.X
申请日:2006-10-24
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 文炳敏
IPC分类号: H03F3/217
CPC分类号: H03F3/2173 , H03F1/0227 , H03F1/303 , H03F1/307 , H03F1/34 , H03F1/52 , H03F3/217 , H03F2200/03 , H03F2200/351 , H03F2200/504 , H03F2200/541
摘要: 提供了一种数字音频信号放大器及其数字音频信号放大方法。更具体地,提供了一种通过将开关模式电源和数字音频放大器集成为一体而实现安全性和功率效率两者的数字音频信号放大器,以及一种适于该放大器的数字音频信号放大方法。该数字音频放大器包括:脉冲调制单元,其通过对输入音频信号进行脉冲调制而生成脉冲调制后的音频信号;开关单元,其基于脉冲调制后的音频信号切换DC电压;隔离变压器,其对开关单元的输出进行变压并且输出变压的结果;以及低通滤波器,其通过对隔离变压器的输出进行低通滤波而获得对应于输入音频信号的音频信号,并且输出所输出的音频信号。通过将开关模式电源和数字音频放大器集成为一体,该数字音频放大器满足隔离需求并同时增加功率效率。
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公开(公告)号:CN1457146A
公开(公告)日:2003-11-19
申请号:CN03123092.X
申请日:2003-04-30
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H03F1/0261 , H03F1/307 , H03F3/3022
摘要: 本发明公开了一种控制静态电流的AB类缓冲放大器。该AB类缓冲放大器包括一个第一电流控制器和一个第二电流控制器。第一电流控制器响应第一信号的第一逻辑电平把电流供应到输出节点,并且响应第一信号的第二逻辑电平将输入电压缓冲和输出到输出节点。第二电流控制器响应第二信号的第二逻辑电平从输出节点吸收电流,并且响应第二信号的第一逻辑电平将输入电压缓冲并输出到输出节点。如果输入电压高于输出电压,则以第一逻辑电平产生第一和第二信号;如果输入电压低于输出电压,则以第二逻辑电平产生第一和第二信号。所以,AB类缓冲放大器通过自由控制静态电流量并容易地供应和吸收流入放大器输出节点的静态电流。
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公开(公告)号:CN101278477A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200680036154.X
申请日:2006-10-24
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 文炳敏
IPC分类号: H03F3/217
CPC分类号: H03F3/2173 , H03F1/0227 , H03F1/303 , H03F1/307 , H03F1/34 , H03F1/52 , H03F3/217 , H03F2200/03 , H03F2200/351 , H03F2200/504 , H03F2200/541
摘要: 提供了一种数字音频信号放大器及其数字音频信号放大方法。更具体地,提供了一种通过将开关模式电源和数字音频放大器集成为一体而实现安全性和功率效率两者的数字音频信号放大器,以及一种适于该放大器的数字音频信号放大方法。该数字音频放大器包括:脉冲调制单元,其通过对输入音频信号进行脉冲调制而生成脉冲调制后的音频信号;开关单元,其基于脉冲调制后的音频信号切换DC电压;隔离变压器,其对开关单元的输出进行变压并且输出变压的结果;以及低通滤波器,其通过对隔离变压器的输出进行低通滤波而获得对应于输入音频信号的音频信号,并且输出所输出的音频信号。通过将开关模式电源和数字音频放大器集成为一体,该数字音频放大器满足隔离需求并同时增加功率效率。
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公开(公告)号:CN101002380A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200580027252.2
申请日:2005-07-25
申请人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人: F·K·I·梅尔斯
CPC分类号: H03F3/217 , H03F1/02 , H03F1/0272 , H03F1/307 , H03F1/32 , H03F1/34 , H03F3/3066 , H03F2200/03
摘要: 本发明涉及一种用于音频信号的双模功率放大器,其在该音频信号的较低电平下操作在线性模式中,并且在该音频信号的较高电平下操作在开关模式(D类)中。
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公开(公告)号:CN1132434A
公开(公告)日:1996-10-02
申请号:CN95119091.1
申请日:1995-12-27
申请人: 汤姆森消费电子有限公司
发明人: C·M·怀特
IPC分类号: H04N3/00
CPC分类号: H03F1/307 , H03F3/3066 , H03F3/3076 , H04N3/32
摘要: 一种波束扫描速度调制(BSVM)驱动器电路,包括以推挽构型相连接的第一和第二晶体管(Q1,Q2),分别具有:输入信号电极用以接收具有视频带宽的BSVM信号(vac);互相耦合的对应电极,且与一BSVM线圈(LOAD)连接;和各自的主要导电路径。分别与所述主要导电路径相接的偏压电路(1,2)包括非线性器件(CR3,CR4),取决于一阈值电压而具有导电状态和非导电状态,且当所述第一和第二晶体管(Q1,Q2)处于静态时,偏压电路(1,2)分别建立起近似等于阈值电压的偏压阈值。
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公开(公告)号:CN104467711B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201410474523.X
申请日:2014-09-17
申请人: 索尼公司
发明人: 塩原秀明
IPC分类号: H03F3/30
CPC分类号: H03F3/211 , H03F1/307 , H03F1/34 , H03F3/181 , H03F3/3077 , H03F3/3079 , H03F3/45475 , H03F2200/03 , H03F2200/447 , H03F2200/96 , H03F2203/21142
摘要: 一种放大电路,包括:第一电源;集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管;一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻;集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管;第二电源;集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管;一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻;以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管。第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极,由此成为输出端。
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公开(公告)号:CN100350738C
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN03123092.X
申请日:2003-04-30
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H03F1/0261 , H03F1/307 , H03F3/3022
摘要: 本发明公开了一种控制静态电流的AB类缓冲放大器。该AB类缓冲放大器包括一个第一电流控制器和一个第二电流控制器。第一电流控制器响应第一信号的第一逻辑电平把电流供应到输出节点,并且响应第一信号的第二逻辑电平将输入电压缓冲和输出到输出节点。第二电流控制器响应第二信号的第二逻辑电平从输出节点吸收电流,并且响应第二信号的第一逻辑电平将输入电压缓冲并输出到输出节点。如果输入电压高于输出电压,则以第一逻辑电平产生第一和第二信号;如果输入电压低于输出电压,则以第二逻辑电平产生第一和第二信号。所以,AB类缓冲放大器通过自由控制静态电流量并容易地供应和吸收流入放大器输出节点的静态电流。
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公开(公告)号:CN1284298C
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN200410043142.2
申请日:2004-05-12
申请人: 日本胜利株式会社
发明人: 栗林泰治
CPC分类号: H03F3/211 , H03F1/0211 , H03F1/0255 , H03F1/30 , H03F1/307 , H03F3/183 , H03F3/217 , H03F3/3069 , H03F2200/411 , H03F2200/516
摘要: 开关器件用于选择性连接低压电源或高压电源到功率放大器。响应从功率放大器输出的电压产生信号电压。基准电压产生电路用于产生正电路侧基准电压和负电路侧基准电压。控制电路用于将信号电压与基准电压进行比较并且响应比较结果控制开关器件。基准电压产生电路包括:连接在低压电源的正侧和施加了负电位的第一电路点之间的第一电压调节电路,以产生正电路侧基准电压,以及连接在低压电源的负侧和施加了正电位的第一电路点之间的第二电压调节电路,以产生负电路侧基准电压。
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公开(公告)号:CN108616261A
公开(公告)日:2018-10-02
申请号:CN201711292440.9
申请日:2017-12-08
申请人: 格芯公司
CPC分类号: H03F1/523 , H03F1/22 , H03F1/307 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/265 , H03F3/3022 , H03F3/45 , H03F3/45071 , H03F3/45183 , H03F3/45188 , H03F2200/451 , H03F2203/45154 , H03F2203/45228 , H03F2203/45311 , H03F2203/45481 , H03F2203/45662 , H03F2203/45686 , H03F2203/45731
摘要: 本发明揭露涉及完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器,其一般是关于半导体结构,并且尤其是关于具有独特的偏压及电压驻波比保护的完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器及制造的方法。该结构包含伪差动共源极放大器;连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力的第一级串迭装置;连接至该第一级串迭装置及提供差动输出的第二级串迭装置;以及从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置的至少一个回路。
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