偏差消除装置、IC芯片以及驱动IC

    公开(公告)号:CN101290739B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200810082924.5

    申请日:2008-03-07

    发明人: 樋口钢儿

    IPC分类号: G09G3/20 H03F3/45

    摘要: 本发明提供一种即使在电容元件或电阻元件与运算放大器的外部连接的情况下也能消除偏差,并且还可在消除偏差的动作中进行信号输出的偏差消除装置、IC芯片以及驱动IC。具有包含多个输出电路(428、628)的IC芯片(602、610)(也存在其他IC芯片),IC芯片(602、610)具有偏差消除功能。在该偏差消除时,对多个输出电路(428、628)进行N分割(N是自然数),由第1基准输出电路(424)生成偏差消除用的REFIO信号(基准信号)。然后,选择该分割单位(以IC芯片作为1个单位)中的一个,将利用所分割的单位生成的偏差消除用的基准信号用作其他单位的偏差消除用的基准信号。

    避免启动放大器时不希望的噪声的方法及装置

    公开(公告)号:CN1985438B

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN200580015648.5

    申请日:2005-05-09

    发明人: M·伯克霍特

    IPC分类号: H03F1/30

    摘要: 本发明涉及一种在启动放大装置时避免不希望的噪声的方法和信号转换装置以及一种包括该信号转换装置的放大装置。该信号转换装置(12)包括:可变增益提供单元(Q3、Q4、Q5、Q6);电压-电流转换器(Q1、Q2、R1、R2);可变增益控制单元(22),其控制该可变增益提供单元的可变增益,以及偏置电流控制单元(20),其用于控制该电压-电流转换器的第一偏置电流(IB1),以用于避免来源于DC偏移的噪声以及来源于该信号转换装置的各组件的噪声。

    半导体集成电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1414631A

    公开(公告)日:2003-04-30

    申请号:CN02147020.0

    申请日:2002-10-22

    发明人: 椎名正弘

    IPC分类号: H01L23/52 H01L27/00

    摘要: 提供一种半导体集成电路的排布方法,通过使各布线的分层构造中具有规则性,来提高电路特性。在相对于差动放大器(1)的中心线的线对称位置,分别配置各个发射极跟随器电路(22、23)。由此,没有布线之间的交叉区域,所以可以用一层金属布线(3)来连接电路块内的布线和接地线Vss。由此,可以消除因布线之间的交叉造成的串音问题。还可以使差动放大器(1)和发射极跟随器电路(22、23)之间的布线(6、7)的长度相等。而且,电路块间的信号布线由双层金属布线(4)构成,作为Vcc电源线,可以分配三层金属布线(5),可以实现精度更高的半导体集成电路。

    差分输出级
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102739172B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201210102040.8

    申请日:2012-04-09

    IPC分类号: H03F3/45 H03F1/32

    摘要: 提供了一种差分输出级(260),其被配置为用于接收包括第一信号和第二信号的差分输入信号,该差分输出级包括:用于提供第一输出信号的第一输出端(233)和用于提供第二输出信号的第二输出端(243),第一输出信号和第二输出信号一起形成差分输出信号;各自连接至第一输出端的第一电压缓冲器(232)和第一受控电流源(234),第一电压缓冲器由与第一输入信号同相的信号驱动,第一受控电流源由与第二输入信号同相的信号驱动;和各自连接至第二输出端的第二电压缓冲器(242)和第二受控电流源(244),第二电压缓冲器由与第二输入信号同相的信号驱动,第二受控电流源由与第一输入信号同相的信号驱动。

    半导体集成电路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1419290A

    公开(公告)日:2003-05-21

    申请号:CN02149823.7

    申请日:2002-11-06

    发明人: 椎名正弘

    IPC分类号: H01L27/00

    摘要: 通过实现考虑了构成电路块的各半导体元件的对称性的排布配置,来获得期望的电路特性。将发射极跟随器电路(22、23)配置在差动放大器(21)的附近,并且相对于差动放大器(21)的中心线被分别配置在线对称的位置上。将构成发射极跟随器电路(22、23)的双极晶体管(Q24、Q25)配置在构成差动放大器(21)的双极晶体管(Q21、Q22)的附近,并且被配置在90度不同的方向上。由此,通过没有从差动放大器(21)输入到发射极跟随器电路(22、23)的布线间的交叉,并且可以使布线长度相等,从而可以提高包含发射极跟随器电路(22、23)的差动放大器(1)的对称性,可以实现电路特性的提高。