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公开(公告)号：CN114787105B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202080085992.6
申请日：2020-12-10
IPC: C04B35/593 , C01B21/068 , C04B35/587 , H05K1/03
Abstract: 分率为0％以上且10％以下并且具有特定的氧含本发明提供得到兼具高的热导率和优异的 量、比表面积及平均粒径的第一氮化硅粉末和β机械特性(强度和断裂韧性)的板状的氮化硅质 百分率为60％以上且100％以下并且具有特定的烧结体的方法。制备在氮化硅原料中添加有烧结 氧含量、比表面积、平均粒径及长径比的第二氮助剂的起始组合物，通过片成形工艺由起始组合 化硅粉末。还提供原料粉末配混物及氮化硅质烧物制作生片，将生片在含氮气体压力为0.15MPa 结体。以上且3MPa以下的加压气氛下、在最高保持温度为1790℃以上且1910℃以下的温度范围内保持而进行烧结，由此制造碱土金属含量与稀土金属(56)对比文件A. De Pablos等.Correlation betweenmicrostructure and toughness of hotpressed Si3N4 ceramics seeded with b-Si3N4 particles《.Ceramics International》.2003,第29卷Hyun Min LEE等.Microstructuralevolution of Si3N4 ceramics from startingpowders with different α to β ratios.《Journal of the Ceramic Society ofJapan》.2016,第124卷(第8期),刘幸丽等.微观组织调控对氮化硅强度及热导率的影响《.稀有金属材料与工程》.2015,第44卷
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公开(公告)号：CN102917858A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026573.6
申请日：2011-03-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B29C55/06 , B29C55/08 , B29C55/14 , B29C55/20 , B29K2079/00 , B29K2079/08 , B65H23/025 , B65H2301/512422 , B65H2701/175 , C08J5/18 , C08J2379/08
Abstract: 为了有效抑制在MD方向(机器方向)拉伸时膜的颈缩。一种拉伸设备具有送进机构、收取机构、和设置在所述机构之间膜F的传送路径的横向两末端部分的膜把持单元(40)，膜把持单元(40)具有多个上部把持辊(43)，在膜F传送路径的上方以一定间隔平行设置在膜的机器方向，以及多个下部把持辊(46)，在膜F传送路径的下方与所述上部把持辊相对设置，使得膜F在所述多个上部把持辊和多个下部把持辊共同作用下被垂直夹在所述辊之间，所述上部把持辊(43)和下部把持辊(46)被可旋转支撑，使得它们的旋转轴朝着膜F的MD方向的下游在膜F的TD方向向外倾斜。
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公开(公告)号：CN102648081A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080056275.7
申请日：2010-10-07
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: B29C41/24 , B29C41/34 , B65H23/022 , B29K79/00 , B29L7/00
CPC classification number: B29C41/24 , B29C55/165 , B29C55/20 , B29K2079/08
Abstract: 公开了一种用于高效率制造高质量聚酰亚胺膜的制造方法，即使在高温环境下，通过改善的拉幅机装置。通过拉幅机装置对自支撑膜(F)两边缘沿宽度方向进行把持并进行输送的同时，进行加热以制造聚酰亚胺膜。所述拉幅机装置(1)带有设置在所述自支撑膜的输送道两侧的引导部件(41)和一对拉幅链(5)，其沿所述引导部件(41)移动并包括用于把持所述自支撑膜边缘的膜把持机构。为了支撑所述拉幅链的运动，所述拉幅链具有一绕轴部件可旋转支撑的旋转体，所述轴部件沿着与所述引导部件(41)纵向垂直并且与所述自支撑膜输送面平行的方向延伸；并且所述轴部件直接或间接地固定到用于固定所述膜把持机构的部件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102917858B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180026573.6
申请日：2011-03-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B29C55/06 , B29C55/08 , B29C55/14 , B29C55/20 , B29K2079/00 , B29K2079/08 , B65H23/025 , B65H2301/512422 , B65H2701/175 , C08J5/18 , C08J2379/08
Abstract: 为了有效抑制在MD方向(机器方向)拉伸时膜的颈缩。一种拉伸设备具有送进机构、收取机构、和设置在所述机构之间膜F的传送路径的横向两末端部分的膜把持单元(40)，膜把持单元(40)具有多个上部把持辊(43)，在膜F传送路径的上方以一定间隔平行设置在膜的机器方向，以及多个下部把持辊(46)，在膜F传送路径的下方与所述上部把持辊相对设置，使得膜F在所述多个上部把持辊和多个下部把持辊共同作用下被垂直夹在所述辊之间，所述上部把持辊(43)和下部把持辊(46)被可旋转支撑，使得它们的旋转轴朝着膜F的MD方向的下游在膜F的TD方向向外倾斜。
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公开(公告)号：CN100369530C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510006752.X
申请日：2005-02-04
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的元件装载用基板，是具有用于与半导体电路元件相连接的焊料层的元件装载用基板，其特征为，在与所述半导体电路元件相连接一侧的该焊料层的表面，设有包含Au-Sn合金的δ相的结晶粒子层。另外，本发明的元件装载用基板的制造方法，是具有用于与半导体电路元件相连接的焊料层的元件装载用基板的制造方法，其特征为，在与所述半导体电路元件相连接一侧的该焊料层的表面，形成有包含Au-Sn合金的δ相的结晶粒子层。根据本发明的元件装载用基板及其制造方法与半导体元件安装方法，可在将半导体电路元件安装于基板上时，使用CCD相机等能够容易地根据焊料层的表面状态而对熔融行为进行图像识别，以减少安装时的连接不良。
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公开(公告)号：CN114787105A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085992.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/593 , C01B21/068 , C04B35/587 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供得到兼具高的热导率和优异的机械特性(强度和断裂韧性)的板状的氮化硅质烧结体的方法。制备在氮化硅原料中添加有烧结助剂的起始组合物，通过片成形工艺由起始组合物制作生片，将生片在含氮气体压力为0.15MPa以上且3MPa以下的加压气氛下、在最高保持温度为1790℃以上且1910℃以下的温度范围内保持而进行烧结，由此制造碱土金属含量与稀土金属含量的比率及氧含量高度受控的板状的氮化硅质烧结体，其中，所述氮化硅原料中配混有β百分率为0％以上且10％以下并且具有特定的氧含量、比表面积及平均粒径的第一氮化硅粉末和β百分率为60％以上且100％以下并且具有特定的氧含量、比表面积、平均粒径及长径比的第二氮化硅粉末。还提供原料粉末配混物及氮化硅质烧结体。
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公开(公告)号：CN102648081B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080056275.7
申请日：2010-10-07
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: B29C41/24 , B29C41/34 , B65H23/022 , B29K79/00 , B29L7/00
CPC classification number: B29C41/24 , B29C55/165 , B29C55/20 , B29K2079/08
Abstract: 公开了一种用于高效率制造高质量聚酰亚胺膜的制造方法，即使在高温环境下，通过改善的拉幅机装置。通过拉幅机装置对自支撑膜(F)两边缘沿宽度方向进行把持并进行输送的同时，进行加热以制造聚酰亚胺膜。所述拉幅机装置(1)带有设置在所述自支撑膜的输送道两侧的引导部件(41)和一对拉幅链(5)，其沿所述引导部件(41)移动并包括用于把持所述自支撑膜边缘的膜把持机构。为了支撑所述拉幅链的运动，所述拉幅链具有一绕轴部件可旋转支撑的旋转体，所述轴部件沿着与所述引导部件(41)纵向垂直并且与所述自支撑膜输送面平行的方向延伸；并且所述轴部件直接或间接地固定到用于固定所述膜把持机构的部件上。
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公开(公告)号：CN1678165A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510006752.X
申请日：2005-02-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L24/27 , B23K1/0016 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/32014 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H05K3/3463 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明的元件装载用基板，是具有用于与半导体电路元件相连接的焊料层的元件装载用基板，其特征为，在与所述半导体电路元件相连接一侧的该焊料层的表面，设有包含Au－Sn合金的δ相的结晶粒子层。另外，本发明的元件装载用基板的制造方法，是具有用于与半导体电路元件相连接的焊料层的元件装载用基板的制造方法，其特征为，在与所述半导体电路元件相连接一侧的该焊料层的表面，形成有包含Au－Sn合金的δ相的结晶粒子层。根据本发明的元件装载用基板及其制造方法与半导体元件安装方法，可在将半导体电路元件安装于基板上时，使用CCD相机等能够容易地根据焊料层的表面状态而对熔融行为进行图像识别，以减少安装时的连接不良。
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