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公开(公告)号：CN102129947B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010561420.9
申请日：2010-11-27
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及显示器制造技术领域，特别是一种发射单元双阴单栅式无介质三极FED装置及其驱动方法，该装置包括相互平行设置的阳极板和阴栅板，其特征在于：阴栅板上间隔布设有阴极和栅极，所述阴极和栅极在阴栅板上按一定结构循环设置，以在阴栅板上形成依次并排的多个阴-栅-阴结构的电子发射单元，各阴、栅电极之间为真空状态，阳极板上对应间隔均布有阳极，该驱动方法阴栅电压起扫描作用，阳极电压起信号调制作用，当阴栅板每根电极固定作为阴极或栅极时，采用固定电压驱动，当阴栅板上的电极可阴栅互换时，采用脉冲扫描的驱动方法。该装置制造工艺简单，制造难度低，相应的驱动方法有利于提高FED显示装置的工作性能。
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公开(公告)号：CN104246960B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280057923.X
申请日：2012-11-26
申请人： 塞莱斯ES股份有限公司
发明人： 贾科莫·乌利塞 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 阿尔多·迪卡洛 , 费迪南多·里奇 , 菲利波·杰玛 , 安娜·玛丽亚·菲奥雷洛 , 马西米利亚诺·迪斯彭扎 , 罗伯塔·布蒂廖内
CPC分类号： H01J19/24 , H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J19/32 , H01J19/38 , H01J19/46 , H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明涉及一种器件，其包括：阴极，该阴极位于阴极平面上并且在有源区中包括具有平行于第一参考方向的主延伸方向的一个或多个阴极直指状端子；对于每个阴极端子而言，一个或多个电子发射器形成在所述阴极端子上并且与之欧姆接触；以及栅电极，该栅电极位于平行于所述阴极平面并与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，栅电极不与阴极重叠，并且栅电极在有源区中包括具有平行于第一参考方向的主延伸方向的两个或更多个栅极直指状端子；其中，栅极端子与所述阴极端子交错。
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公开(公告)号：CN101971285A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780102391.6
申请日：2007-12-28
申请人： 塞莱斯系统集成公司
发明人： 阿尔多·迪卡洛 , 克劳迪奥·保罗尼 , 埃莱奥诺拉·彼得罗拉蒂 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 里卡尔多·里奇泰利
CPC分类号： H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明公开了一种三极管型场致发射器件(11)，具体用于高频应用，具有阴极电极(12)、与阴极电极(12)隔开的阳极电极(14)、设置在阳极电极(14)和阴极电极(12)之间的控制栅电极(13)、以及至少一个场致发射尖端(19)；阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)在三极管区(11a)中的场致发射尖端(19)处重叠并用于与场致发射尖端共同作用，以在三极管区中产生电子束。在三极管区(11a)外部，阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)不重叠，并具有沿着各条线(x，y，z)的主延伸方向；各条线(x，y，z)中的每一条相对于其余线中的每一条以非零角度倾斜。
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公开(公告)号：CN104246960A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280057923.X
申请日：2012-11-26
申请人： 塞莱斯ES股份有限公司
发明人： 贾科莫·乌利塞 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 阿尔多·迪卡洛 , 费迪南多·里奇 , 菲利波·杰玛 , 安娜·玛丽亚·菲奥雷洛 , 马西米利亚诺·迪斯彭扎 , 罗伯塔·布蒂廖内
CPC分类号： H01J19/24 , H01J1/3042 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J19/32 , H01J19/38 , H01J19/46 , H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明涉及一种器件(11,21)，其包括：阴极(14)，该阴极位于阴极平面上并且在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的一个或多个阴极直指状端子(14b)；对于每个阴极端子(14b)而言，一个或多个电子发射器(14c)形成在所述阴极端子(14b)上并且与之欧姆接触；以及栅电极(15)，该栅电极(15)位于平行于所述阴极平面并与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，栅电极不与阴极(14)重叠，并且栅电极在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的两个或更多个栅极直指状端子(15b)；其中，栅极端子(15b)与所述阴极端子(14b)交错。
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公开(公告)号：CN101971285B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200780102391.6
申请日：2007-12-28
申请人： 塞莱斯系统集成公司
发明人： 阿尔多·迪卡洛 , 克劳迪奥·保罗尼 , 埃莱奥诺拉·彼得罗拉蒂 , 弗朗西斯卡·布鲁内蒂 , 里卡尔多·里奇泰利
CPC分类号： H01J21/105 , H01J21/20
摘要： 本发明公开了一种三极管型场致发射器件(11)，具体用于高频应用，具有阴极电极(12)、与阴极电极(12)隔开的阳极电极(14)、设置在阳极电极(14)和阴极电极(12)之间的控制栅电极(13)、以及至少一个场致发射尖端(19)；阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)在三极管区(11a)中的场致发射尖端(19)处重叠并用于与场致发射尖端共同作用，以在三极管区中产生电子束。在三极管区(11a)外部，阴极电极(12)、控制栅电极(13)和阳极电极(14)不重叠，并具有沿着各条线(x，y，z)的主延伸方向；各条线(x，y，z)中的每一条相对于其余线中的每一条以非零角度倾斜。
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公开(公告)号：CN102148118A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010561422.8
申请日：2010-11-27
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及显示器制造技术领域，特别是一种发射单元单阴单栅式无介质三极FED装置及其驱动方法，该装置包括相互平行设置的阳极板和阴栅板，其特征在于：阴栅板上间隔均布有阴极和栅极，所述阴极和栅极在阴栅板上按阴极-栅极结构循环设置，以在阴栅板上形成依次并排的多个阴-栅结构的电子发射单元，各阴、栅电极之间为真空状态，阳极板上对应间隔均布有阳极，该驱动方法阴栅电压起扫描作用，阳极电压起信号调制作用，当阴栅板每根电极固定作为阴极或栅极时，采用固定电压驱动，当阴栅板上的电极可阴栅互换时，采用脉冲扫描的驱动方法。该装置制造工艺简单，制造难度低，相应的驱动方法有利于提高FED显示装置的工作性能。
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公开(公告)号：CN106783474A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611048211.8
申请日：2016-09-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体有限公司
CPC分类号： H01J19/02 , H01J9/025 , H01J9/18 , H01J21/04 , H01J21/105 , H01J21/20 , H01J2209/012 , H01J2209/02 , H01J9/027 , H01J21/02
摘要： 一种真空集成电子器件具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30‑60°角实现倾斜沉积。
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公开(公告)号：CN102148118B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010561422.8
申请日：2010-11-27
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及显示器制造技术领域，特别是一种发射单元单阴单栅式无介质三极FED装置及其驱动方法，该装置包括相互平行设置的阳极板和阴栅板，其特征在于：阴栅板上间隔均布有阴极和栅极，所述阴极和栅极在阴栅板上按阴极-栅极结构循环设置，以在阴栅板上形成依次并排的多个阴-栅结构的电子发射单元，各阴、栅电极之间为真空状态，阳极板上对应间隔均布有阳极，该驱动方法阴栅电压起扫描作用，阳极电压起信号调制作用，当阴栅板每根电极固定作为阴极或栅极时，采用固定电压驱动，当阴栅板上的电极可阴栅互换时，采用脉冲扫描的驱动方法。该装置制造工艺简单，制造难度低，相应的驱动方法有利于提高FED显示装置的工作性能。
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公开(公告)号：CN102129947A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010561420.9
申请日：2010-11-27
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及显示器制造技术领域，特别是一种发射单元双阴单栅式无介质三极FED装置及其驱动方法，该装置包括相互平行设置的阳极板和阴栅板，其特征在于：阴栅板上间隔布设有阴极和栅极，所述阴极和栅极在阴栅板上按一定结构循环设置，以在阴栅板上形成依次并排的多个阴-栅-阴结构的电子发射单元，各阴、栅电极之间为真空状态，阳极板上对应间隔均布有阳极，该驱动方法阴栅电压起扫描作用，阳极电压起信号调制作用，当阴栅板每根电极固定作为阴极或栅极时，采用固定电压驱动，当阴栅板上的电极可阴栅互换时，采用脉冲扫描的驱动方法。该装置制造工艺简单，制造难度低，相应的驱动方法有利于提高FED显示装置的工作性能。
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公开(公告)号：CN206059338U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621269087.3
申请日：2016-09-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01J21/10
CPC分类号： H01J19/02 , H01J9/025 , H01J9/18 , H01J21/04 , H01J21/105 , H01J21/20 , H01J2209/012 , H01J2209/02
摘要： 本实用新型涉及一种真空集成电子器件，具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30-60°角实现倾斜沉积。
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