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公开(公告)号：CN104137254B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201280070857.X
申请日：2012-12-27
申请人： 埃尔瓦有限公司
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 场发射装置被构造为热机。在一实施方式中，一种装置包括：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功率源以产生高于阴极电势的阳极电势；栅极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受第二功率源以产生被选择来从所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第一成组的电子具有高于第一阈值能量的能量；位于所述栅极与所述阳极之间的抑制器；位于所述阴极和所述阳极之间的至少一个包括气体的区域；以及能让所述第一成组的电子的第一部分通过的至少一个路径，其从所述阴极延伸到所述阳极。
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公开(公告)号：CN106783474A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611048211.8
申请日：2016-09-29
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体有限公司
CPC分类号： H01J19/02 , H01J9/025 , H01J9/18 , H01J21/04 , H01J21/105 , H01J21/20 , H01J2209/012 , H01J2209/02 , H01J9/027 , H01J21/02
摘要： 一种真空集成电子器件具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30‑60°角实现倾斜沉积。
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公开(公告)号：CN104160467A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201280070924.8
申请日：2012-12-27
申请人： 埃尔瓦有限公司
发明人： 杰西·R·奇塔姆三世 , 菲利普·安德鲁·埃克霍夫 , 威廉·盖茨 , 罗德里克·A·海德 , 穆里尔·Y·伊什卡娃 , 乔丁·T·卡勒 , 内森·P·梅尔沃德 , 托尼·S·潘 , 罗伯特·C·皮特洛斯基 , 克拉伦斯·T·特格雷尼 , 大卫·B·塔克曼 , 查尔斯·惠特默 , 洛厄尔·L·小伍德 , 维多利亚·Y·H·伍德
IPC分类号： H01J1/02
CPC分类号： H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 场发射装置被配置为热机。该热机的不同的实施方式可以具有不同的配置，该不同的配置根据特定的实施方式包括按不同的方式布置的阴极、栅极、抑制器和阳极。该热机的不同的实施方式还可以在该阴极、栅极、抑制器和阳极中和/或邻近该阴极、栅极、抑制器和阳极加入不同的材料。
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公开(公告)号：CN1685460A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823411.4
申请日：2003-07-30
申请人： 学校法人浦项工科大学校
CPC分类号： H01J21/105 , H01J9/025
摘要： 通过使用阳极氧化工艺来制造一种具有三极管结构的电场发射器件。该器件包括支撑衬底、用作该器件的阴极的底部电极层、具有多个第一亚微米孔的栅极绝缘层、具有连接到第一亚微米孔的多个第二亚微米孔的栅电极层、具有连接到第二亚微米孔的多个第三亚微米孔的阳极绝缘层、用作该器件阳极并用于密闭地密封该器件的顶部电极层、以及在第一亚微米孔中形成的多个发射器。发射器形成为与该器件的电极尽可能地紧密接触，这导致降低器件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN1202576C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN99804294.3
申请日：1999-03-25
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01J1/316 , H01J21/105
摘要： 本发明公开平面型/纵向型真空场效应晶体管(VFT)结构，采用类似MOSFET平面或纵向型结构，以提高集成度，并可以在较低的工作电压下高速运行。本平面型VFT包括由导体制成的源极和漏极，它们分开一段预定的距离而保持于一个薄的沟道绝缘体上，其间有真空沟道；由导体制成的栅极，它有一定宽度，形成于所述源极和漏极的下面，所述沟道绝缘体的作用在于使栅极与源极和漏极绝缘；绝缘主体，用作支撑沟道绝缘体和栅极的基片。纵向型真空场效应晶体管，包括：导电的连续圆形源极，它具有空着的中心，形成于沟道绝缘体上；形成于所述沟道绝缘体下面并延伸跨过所述源极的导电的栅极；绝缘主体，用作支撑所述栅极和沟道绝缘体的基片；安装在所述源极上方的绝缘壁，形成闭合的真空沟道；形成于所述真空沟道上方的漏极。两种类型中都将适当的偏压加在栅极、源极和漏极之间，使电子能够从源极经所述真空沟道被场致发射到漏极。
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公开(公告)号：CN1023162C
公开(公告)日：1993-12-15
申请号：CN91104164.8
申请日：1991-06-18
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 史蒂文·M·齐默尔曼
CPC分类号： H01J9/025 , H01J21/105 , H01J2201/30457 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要满足几种特定三维结构的要求：即税利的场发射尖端、真空环境中在控制栅极结构内的该尖端精确对准，以及用于收集由尖端发射出的电子的阳极。最终制得的集成真空微电子器件还可以与其它类似的VMD器件或其它器件相连。
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公开(公告)号：CN107591299A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710545817.0
申请日：2017-07-06
申请人： 泰勒斯公司
CPC分类号： H01J35/065 , H01J1/15 , H01J1/312 , H01J21/105 , H01J23/04 , H01J2201/30423 , H01J2201/30434 , H01J2235/068
摘要： 本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A)，所述阴极具有平面结构，所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1)，所述基底包括导电材料，所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘，所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面，所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件，从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。
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公开(公告)号：CN105097390B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510117059.3
申请日：2015-03-17
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： H01J9/025 , G01K7/01 , H01J1/3044 , H01J21/10 , H01J21/105 , H01L29/12 , H01L29/66969 , H01L29/7827
摘要： 本发明的各个实施例涉及集成真空微电子结构及其制造方法。描述了一种集成真空微电子结构(1)，该结构包括：高掺杂半导体衬底(11)；置于所述掺杂半导体衬底(11)上方的第一绝缘层(12)；置于所述第一绝缘层上方的第一导电层；置于所述第一导电上方的第二绝缘层(93)；形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层(12,93)内的真空沟槽(19)，该真空沟槽(19)延伸至高掺杂半导体衬底(11)；置于所述真空沟槽上方的第二导电层(42)，其作为阴极；置于所述掺杂半导体衬底(11)下的第三金属层(22)，其作为阳极；将所述第二导电层(42)置于与所述真空沟槽(19)的上边缘(40)相邻，其中所述第一导电层被所述第二绝缘层的部分与所述真空沟槽(19)分隔开，并且该第一导电层与所述第二导电层(42)电接触。
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公开(公告)号：CN104160467B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280070924.8
申请日：2012-12-27
申请人： 埃尔瓦有限公司
发明人： 杰西·R·奇塔姆三世 , 菲利普·安德鲁·埃克霍夫 , 威廉·盖茨 , 罗德里克·A·海德 , 穆里尔·Y·伊什卡娃 , 乔丁·T·卡勒 , 内森·P·梅尔沃德 , 托尼·S·潘 , 罗伯特·C·皮特洛斯基 , 克拉伦斯·T·特格雷尼 , 大卫·B·塔克曼 , 查尔斯·惠特默 , 洛厄尔·L·小伍德 , 维多利亚·Y·H·伍德
IPC分类号： H01J1/02
CPC分类号： H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 场发射装置被配置为热机。该热机的不同的实施方式可以具有不同的配置，该不同的配置根据特定的实施方式包括按不同的方式布置的阴极、栅极、抑制器和阳极。该热机的不同的实施方式还可以在该阴极、栅极、抑制器和阳极中和/或邻近该阴极、栅极、抑制器和阳极加入不同的材料。
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公开(公告)号：CN104137218B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280070838.7
申请日：2012-12-27
申请人： 埃尔瓦有限公司
发明人： 杰西·R·奇塔姆三世 , 菲利普·安德鲁·埃克霍夫 , 威廉·盖茨 , 罗德里克·A·海德 , 穆里尔·Y·伊什卡娃 , 乔丁·T·卡勒 , 内森·P·梅尔沃德 , 托尼·S·潘 , 罗伯特·C·皮特洛斯基 , 克拉伦斯·T·特格雷尼 , 大卫·B·塔克曼 , 查尔斯·惠特默 , 洛厄尔·L·伍德 , 维多利亚·Y·H·伍德
IPC分类号： H01J1/02
CPC分类号： H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 抑制器栅被配置为邻近阳极以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电势，其中所述抑制器电势被进一步选择来使电子从所述抑制器栅到所述阳极。
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