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公开(公告)号：CN101375381B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200780003728.8
申请日：2007-01-23
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/10
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/823456 , H01L21/823487 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66621
摘要： 本发明包括形成场效应晶体管的方法、形成场效应晶体管栅极的方法、形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法及形成包含包括第一栅极及第二接地隔离栅极的晶体管栅极阵列的集成电路的方法。在一个实施方案中，一种形成场效应晶体管的方法包括在衬底的半导电材料(11)上方形成掩蔽材料(22、24、26)。形成穿过掩蔽材料(22、24、26)并进入半导电材料(11)中的沟槽(30)。在半导电材料(11)中的沟槽(30)内形成栅极介电材料(32)。在掩蔽材料(22、24、26)中的沟槽(30)内且在栅极介电材料(32)上方的半导电材料(11)中的沟槽(30)内沉积栅极材料(34)。形成源极/漏极区域。本发明还预期其它方面及实施方案。
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公开(公告)号：CN116936352A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310932889.6
申请日：2023-07-27
申请人： 武汉大学
摘要： 本申请涉及一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，制备方法包括如下步骤：对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。本申请可以解决相关技术中碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高，严重影响器件的光性能的问题。
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公开(公告)号：CN101375381A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003728.8
申请日：2007-01-23
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/10
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/823456 , H01L21/823487 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66621
摘要： 本发明包括形成场效晶体管的方法、形成场效晶体管栅极的方法、形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法及形成包含包括第一栅极及第二接地隔离栅极的晶体管栅极阵列的集成电路的方法。在一个实施方案中，一种形成场效晶体管的方法包括在衬底的半导电材料(11)上方形成掩蔽材料(22、24、26)。形成穿过掩蔽材料(22、24、26)并进入半导电材料(11)中的沟槽(30)。在半导电材料(11)中的沟槽(30)内形成栅极介电材料(32)。在掩蔽材料(22、24、26)中的沟槽(30)内且在栅极介电材料(32)上方的半导电材料(11)中的沟槽(30)内沉积栅极材料(34)。形成源极/漏极区域。本发明还预期其它方面及实施方案。
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公开(公告)号：CN117012812B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311284518.8
申请日：2023-10-07
申请人： 之江实验室
IPC分类号： H01L29/18 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/10
摘要： 本发明公开了一种湿法和干法相结合刻蚀二维碲烯的方法，所述方法包括：提供单晶二维碲烯；将单晶二维碲烯放入次氯酸溶液中浸泡，洗涤、烘干备用，得到第一样品；洗涤第一样品，并将第一样品在Ar气氛围下进行刻蚀。本发明方法首先采用次氯酸溶液对其表面活化，再采用电感耦合等离子体机进行第二步刻蚀。本发明方法得到的原子级厚度二维碲烯表面平整，而且最终对碲烯没有产生结构破坏，该方法简单可控，为碲烯未来的性能提升以及工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN109273355B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201810626521.6
申请日：2018-06-06
申请人： 鹤壁维达科巽电气有限公司
摘要： 本发明公开了一种硒整流片制备工艺。其硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成。由于本发明利用半导体硒作为主要材料，采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上，形成硒片半导体元件，增强了整流及过载保护，延长了半导体元件寿命，从而达到节能降耗的目的。
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公开(公告)号：CN102144279A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134490.1
申请日：2009-09-03
申请人： 爱默蕾大学
发明人： 安德鲁·史密斯 , 书明·聂 , 布莱德·A·凯尔道夫
CPC分类号： B82Y10/00 , C01B19/007 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C09K11/025 , C09K11/883 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02601
摘要： 本公开内容的实施方式提供了制造量子点的方法、量子点以及类似物。
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公开(公告)号：CN1790677A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410101205.5
申请日：2004-12-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L21/70 , H01L21/10 , H01L27/10 , H01L27/112 , H01L27/115
摘要： 一种非挥发性内存，此内存包括基底、介电层、导体层、隔离层、埋入式位线、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层与字符线。其中，介电层配置于基底上，导体层配置于介电层上，而隔离层配置于基底上，且隔离层与导体层以及介电层相邻。另外，埋入式位线配置于基底中，且位于隔离层下方。其中，穿隧介电层配置于基底上以及导体层与隔离层的侧壁，电荷陷入层配置于穿隧介电层上，阻挡介电层配置于电荷陷入层上。另外，字符线配置于基底上，且字符线与埋入式位线彼此交错。
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公开(公告)号：CN117012812A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311284518.8
申请日：2023-10-07
申请人： 之江实验室
IPC分类号： H01L29/18 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/10
摘要： 本发明公开了一种湿法和干法相结合刻蚀二维碲烯的方法，所述方法包括：提供单晶二维碲烯；将单晶二维碲烯放入次氯酸溶液中浸泡，洗涤、烘干备用，得到第一样品；洗涤第一样品，并将第一样品在Ar气氛围下进行刻蚀。本发明方法首先采用次氯酸溶液对其表面活化，再采用电感耦合等离子体机进行第二步刻蚀。本发明方法得到的原子级厚度二维碲烯表面平整，而且最终对碲烯没有产生结构破坏，该方法简单可控，为碲烯未来的性能提升以及工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN109273355A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810626521.6
申请日：2018-06-06
申请人： 鹤壁维达科巽电气有限公司
摘要： 本发明公开了一种硒整流片制备工艺。其硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成。由于本发明利用半导体硒作为主要材料，采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上，形成硒片半导体元件，增强了整流及过载保护，延长了半导体元件寿命，从而达到节能降耗的目的。
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公开(公告)号：CN100346470C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410101205.5
申请日：2004-12-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L21/70 , H01L21/10 , H01L27/10 , H01L27/112 , H01L27/115
摘要： 一种非易失性存储单元，此存储单元包括基底、介电层、导体层、隔离层、埋入式位线、穿隧介电层、电荷俘获层、阻挡介电层与字线。其中，介电层配置于基底上，导体层配置于介电层上，而隔离层配置于基底上，且隔离层与导体层以及介电层相邻。另外，埋入式位线配置于基底中，且位于隔离层下方。其中，穿隧介电层配置于基底上以及导体层与隔离层的侧壁，电荷俘获层配置于穿隧介电层上，阻挡介电层配置于电荷俘获层上。另外，字线配置于基底上，且字线与埋入式位线彼此交错。
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