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    支撑基板及其制备方法、以及半导体基板的加工方法
    1.
    发明公开
    支撑基板及其制备方法、以及半导体基板的加工方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118231316A

    公开(公告)日：2024-06-21

    申请号：CN202211642631.4

    申请日：2022-12-20

    申请人： 上海新微技术研发中心有限公司

    发明人： 王诗男

    IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/46 ,  H01L21/30

    摘要： 本发明提供一种支撑基板及其制备方法、以及半导体基板的加工方法，该支撑基板中的凹坑结构形成一种挖空设计，使得在键合半导体基板时，只有半导体基板的边缘与支撑基板环形的外围部贴合，不会对半导体基板尤其是制作器件的中心区域造成损伤。由于缩小了接触面，从而减少对半导体基板表面造成损伤。进一步地，通过在外围部设置沟槽可以使得键合时界面处产生的气体可以更好的扩散至外界环境，避免产生气泡等缺陷，另外沟槽也有利于释放键合时产生的应力，提升键合强度。同时，在去除键合层解键合的过程中，因为沟槽的存在，腐蚀液体、气体或等离子体比较容易接近半导体基板与支撑基板的键合界面，从而能更加有效地将键合层去除。

    薄膜晶体管的制备方法
    2.
    发明公开
    薄膜晶体管的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117810089A

    公开(公告)日：2024-04-02

    申请号：CN202311855086.1

    申请日：2023-12-28

    申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司

    发明人： 岳士录 ,  王成博 ,  陈文龙 ,  褚莹莉 ,  冯依婷 ,  孙威

    IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/42 ,  H01L21/46

    摘要： 本申请实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域，解决偏压稳定性差的技术问题。该薄膜晶体管的制备方法包括：形成沟道层，沟道层的材质为过渡金属氧化物；利用含硫和氟的气体或等离子体对沟道层进行处理，以降低沟道层的氧空位和陷阱态。利用硫和氟与沟道层中的氧空位结合，两种元素均可以抑制氧空位，抑制效果更明显。同时，硫和氟均可以钝化沟道层表面的悬挂键等陷阱态，修复沟道层的缺陷，两种元素均可以钝化沟道层，钝化效果更明显，以有效减少氧空位和陷阱态，从而可以抵抗环境中氢的影响，避免氢在沟道层中扩散，提高偏压稳定性，尤其是高温偏压稳定性。

    碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺
    7.
    发明公开
    碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺 失效

    公开(公告)号：CN101295748A

    公开(公告)日：2008-10-29

    申请号：CN200710040285.1

    申请日：2007-04-29

    申请人： 上海理工大学

    发明人： 李毅 ,  胡双双 ,  蒋群杰 ,  武斌

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465

    摘要： 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲化镉材料先用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗后，经溴和无水乙醇溶液腐蚀，再用乳酸和乙二醇溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲化镉表面。可大大提高碲化镉光伏探测器列阵的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便，重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲化镉材料表面的制备和碲化镉光电器件的制造。

    闪速存储器的制造方法
    8.
    发明授权
    闪速存储器的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1309055C

    公开(公告)日：2007-04-04

    申请号：CN200410031578.X

    申请日：2004-03-25

    申请人： 力晶半导体股份有限公司

    发明人： 王进忠 ,  杜建志 ,  毕嘉慧

    IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/46 ,  H01L21/28

    摘要： 一种闪速存储器的制造方法，此方法先提供衬底，此衬底包括有多个元件隔离结构以定义出有源区，且有源区的衬底上依序形成有穿隧介电层与掩模层。接着，移除每一个元件隔离结构的一部分，以形成多个沟槽。然后，于衬底上形成介电层，以覆盖掩模层与这些沟槽的表面。继之，在于这些沟槽内填入牺牲层后，以牺牲层为自行对准掩模，移除部分的介电层。接着，移除掩模层，以暴露出穿隧介电层。然后，于衬底上形成导体层。之后，移除部分的导体层直到暴露出牺牲层的顶部。继之，在移除牺牲层后，于衬底上形成栅极间介电层。然后，在于栅极间介电层上形成控制栅极后，于控制栅极两侧的衬底中形成源极区与漏极区。

    蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法
    9.
    发明公开
    蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1731564A

    公开(公告)日：2006-02-08

    申请号：CN200410055819.4

    申请日：2004-08-04

    申请人： 探微科技股份有限公司

    发明人： 杨辰雄

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  B81C1/00 ,  B81C5/00

    摘要： 本发明公开了一种蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法。首先于一衬底的下表面形成一蚀刻停止层，并于该衬底的上表面形成一掩模图案。该掩模图案包含有多个牺牲块图案分别位于一第一孔洞预定区域与一第二孔洞预定区域上。随后进行一蚀刻工艺，蚀刻未被该掩模图案遮蔽的该衬底直至该蚀刻停止层。最后移除该蚀刻停止层，并且一并移除该些牺牲块图案遮蔽的该衬底。