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公开(公告)号：CN107394581A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710339165.5
申请日：2017-05-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/02636 , H01L21/3105 , H01L21/3247 , H01S5/2068 , H01S5/2077 , H01S5/222 , H01S5/223 , H01S2304/00 , H01S5/22 , H01S5/30
摘要： 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。
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公开(公告)号：CN104067462A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280067696.9
申请日：2012-12-03
申请人： 百傲迪公司
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0014 , G01R31/26 , G01R31/2635 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34333
摘要： 一种激光器芯片，其具有：衬底；在所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括有源区域并且所述有源区域产生光；形成在所述外延结构中的波导，其呈第一方向延伸，所述波导具有限定边发射激光器的正蚀刻端面和背蚀刻端面；以及在所述外延结构中形成的第一凹陷区域，所述第一凹陷区域被布置在距所述波导一定距离处并且具有与所述背蚀刻端面相邻的开口，所述第一凹陷区域促进在分割所述激光器芯片之前测试相邻激光器芯片。
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公开(公告)号：CN101889374B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200880119749.0
申请日：2008-10-17
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/221 , H01S5/2219 , H01S5/2227 , H01S5/2231 , H01S5/34326
摘要： 本发明的提供一种半导体激光器，其工作电流低且即便在高温输出时也稳定地振荡。该半导体激光器具有：基板(10)；n型包覆层(12)，其设于基板(10)上；有源层(13)，其设于n型包覆层(12)上；p型包覆层(14)，其为设于有源层(13)上的含有Al的化合物，且具有成为电流通路的条状脊结构；电流阻挡层(16)，其为在除脊结构的上表面之外的p型包覆层(14)表面设置的含有Al的化合物，且Al的组成比在p型包覆层(14)的Al的组成比以下；光吸收层(17)，其设于电流阻挡层(16)上，吸收激光器振荡波长的光。
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公开(公告)号：CN101151776B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200680010188.1
申请日：2006-03-30
申请人： 奥普拓能量株式会社
发明人： 藤本毅
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/2237
摘要： 本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件，通过抑制 DLD生成，而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部，该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上，电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为，构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。
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公开(公告)号：CN101507065A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780019542.1
申请日：2007-06-25
申请人： 英特尔公司 , 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01S5/30 , G02B2006/12121 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34
摘要： 一种电泵浦混合消逝激光器的装置和方法。例如，装置包括置于硅中的光波导。有源半导体材料置于所述光波导上，在所述光波导和所述有源半导体材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述有源半导体材料均交叠。穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
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公开(公告)号：CN1483151A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01821401.0
申请日：2001-12-21
申请人： 离子射线服务公司
CPC分类号： G02F1/011 , G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B6/30 , G02B2006/1208 , G02B2006/121 , G02B2006/12142 , G02F1/0147 , G02F2001/0113 , H01S5/204 , H01S5/223 , H01S5/50
摘要： 本发明涉及一光有源装置，所述装置包括在光衬底(11，15，20)上的一光波导通道芯及一控制元件(32－33，37，40)。所述芯有一通道(12，17，25，31，35－36，38－39)和至少一个与通道相连的激活层(13，18，22)，所述通道的折射指数及激活层的折射指数大于衬底的折射率。所述光衬底(11，15，20)中的活动离子浓度小于0.01％。有利地是，它还包括沉积在激活层(13，18，22)上的一覆盖层(14，19，23)，所述覆盖层的指数低于激活层及通道(12，17，25，31，35－36，38－39)的指数。
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公开(公告)号：CN106229813A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610836551.0
申请日：2016-09-21
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/223
CPC分类号： H01S5/223
摘要： 一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。
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公开(公告)号：CN105977787A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610141486.X
申请日：2016-03-11
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 松本启资
CPC分类号： H01S5/2081 , G02B6/00 , G02B6/136 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , H01L21/308 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/3219 , H01S5/34386 , H01S5/223
摘要： 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p-InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。
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公开(公告)号：CN102306901A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110234336.0
申请日：2007-06-25
申请人： 英特尔公司 , 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01S5/30 , G02B2006/12121 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34
摘要： 一种电泵浦混合消逝激光器的装置和方法。例如，装置包括置于硅中的光波导。有源半导体材料置于所述光波导上，在所述光波导和所述有源半导体材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述有源半导体材料均交叠。穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
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公开(公告)号：CN100446362C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510070203.9
申请日：2005-05-10
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明提供了一种激光二极管的制造方法。该方法包括：在衬底上至少依次形成下覆层、谐振层、上覆层、上接触层、上电极层和牺牲层；通过蚀刻所述牺牲层、所述上电极层、所述上接触层和预定深度的所述上覆层来形成脊部；通过蚀刻在所述脊部的两侧暴露的部分所述上电极层，暴露出所述上接触层的两顶表面和与其相对应的所述牺牲层的两底表面；形成具有开口的掩埋层，所述开口至少暴露出所述牺牲层的底表面的一部分，所述掩埋层形成在所述脊部的表面上以及从所述脊部延伸的所述上覆层的顶表面上；以及通过所述开口提供蚀刻剂，除去所述牺牲层和置于其上的一部分所述掩埋层。
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