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公开(公告)号：CN104576453B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN104143494A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410190658.3
申请日：2014-05-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/0203 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6715 , H01L21/68735
摘要： 本发明涉及一种等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件，具体而言，一种等离子体处理室的部件，所述部件在其等离子体暴露表面上具有液体保护层。所述液体保护层可以通过供应液体到液体通道并且经由所述部件中的液体供给通道输送所述液体来被补充。所述部件可以是边缘环，所述边缘环包围被支撑在所述等离子体处理设备中的衬底支架上的半导体衬底，其中等离子体产生并用于处理所述半导体衬底。可替代地，所述液体保护层可以被固化或充分冷却以形成固体保护层。
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公开(公告)号：CN101136279A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610112658.7
申请日：2006-08-28
IPC分类号： H01F5/00 , H01F38/14 , H05H1/46 , H05H1/50 , H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3211 , H01F27/28 , H01F38/10 , H01F38/14 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J2237/3344
摘要： 本发明公开了一种电感耦合线圈及应用该电感耦合线圈的电感耦合等离子体装置，包括内部线圈和外部线圈，内部线圈与外部线圈相互独立且同轴线布置；内部线圈由多个结构相同的内部独立分支嵌套构成，多个内部独立分支相对轴线中心对称布置；外部线圈由多个结构相同的外部独立分支嵌套构成，多个外部独立分支相对轴线中心对称布置。电感耦合线圈设于电感耦合等离子体装置的反应室上部，并与射频电源连接。可以使工艺气体在反应腔室的晶片上方分布均匀，使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，刻蚀速率均匀，提高刻蚀晶片的质量。主要用于半导体晶片加工设备，也适用于其它的设备。
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公开(公告)号：CN104143494B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410190658.3
申请日：2014-05-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/0203 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6715 , H01L21/68735
摘要： 本发明涉及一种等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件，具体而言，一种等离子体处理室的部件，所述部件在其等离子体暴露表面上具有液体保护层。所述液体保护层可以通过供应液体到液体通道并且经由所述部件中的液体供给通道输送所述液体来被补充。所述部件可以是边缘环，所述边缘环包围被支撑在所述等离子体处理设备中的衬底支架上的半导体衬底，其中等离子体产生并用于处理所述半导体衬底。可替代地，所述液体保护层可以被固化或充分冷却以形成固体保护层。
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公开(公告)号：CN103050363B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201210549657.4
申请日：2012-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN104576453A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN103094045A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210548948.1
申请日：2012-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103050362A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210549648.5
申请日：2012-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103035469A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210391087.0
申请日：2012-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103094045B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201210548948.1
申请日：2012-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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