-
公开(公告)号：CN118809435A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410843151.7
申请日：2024-06-27
申请人： 苏州润德新材料有限公司
摘要： 本发明提供一种新型耐磨环保CMP抛光垫及其制备方法，涉及抛光垫领域。该新型耐磨环保CMP抛光垫，包括主体结构，所述主体结构的下端粘接连接有粘接结构，所述主体结构包括本体层，所述本体层的上下两端分别设置有弹性层和稳定层，所述弹性层和稳定层的另一侧分别设置有润滑层和填料层，所述润滑层的表面涂有涂层，所述主体结构的端面中心处设置有定位凹槽，所述主体结构的上端面上设置有多个宽槽，每相邻两个所述宽槽之间分别设置有多个环槽。通过在主体结构的内部添加涂层、润滑层、弹性层、稳定层和填料层的相关材质，大幅度提高了整体在使用时的耐磨性、硬度和稳定性，确保使用时的安全性，有效地地提高了整体的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN118682655A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410036969.8
申请日：2024-01-09
申请人： 星钥(珠海)半导体有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/26 , B24B37/34 , B24B53/017
摘要： 本发明提供了一种化学机械研磨装置、方法及研磨修整一体化平台，该化学机械研磨装置包括晶圆承载台、研磨垫承载台、研磨垫和控制模块，所述晶圆承载台用于承载待研磨晶圆，并受所述控制模块控制，其可移动且可转动；所述研磨垫固定设置在所述研磨垫承载台上，所述研磨垫承载台受所述控制模块控制，其可转动；所述研磨垫平面尺寸小于待研磨晶圆表面尺寸或所述研磨垫为镂空结构。本发明提供的化学机械研磨装置，其通过研磨垫的特殊设计，研磨垫平面尺寸小于待研磨晶圆表面尺寸，在研磨时仅对晶圆中心区域进行化学机械研磨；而采用镂空结构的研磨垫，在研磨时仅对晶圆边缘进行化学机械研磨，可以满足芯片制造的实际需求。
-
公开(公告)号：CN114589618B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111478637.8
申请日：2021-12-06
申请人： SK恩普士有限公司
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B49/16 , H01L21/3105
摘要： 本发明涉及抛光垫用片材、抛光垫以及半导体器件的制造方法。所述抛光垫用片材的特征在于包括作为抛光层附着表面的第一表面，和作为所述第一表面的背面的第二表面；针对所述第一表面，以下式1的值为5.63至7.27：[式1]#imgabs0#在所述式1中，所述Sv是所述第一表面的最大凹陷高度粗糙度值，所述Sz是所述第一表面的最大高度粗糙度值，所述P是从所述抛光垫用片材切割宽度和长度分别为25mm大小的样品，然后在无负荷状态下使用千分表进行测量，然后以85g的标准重量加压30秒后测量第一厚度D1，在通过在所述标准重量上增加800g的重量而设置加压条件后经过3分钟后测量第二厚度D2，根据公式(D1‑D2)/D1*100算出的压缩率(％)值。
-
公开(公告)号：CN115106931B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210719217.2
申请日：2022-06-23
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有迷宫形凹槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括至少一抛光层，所述抛光层表面设有被隔离凸台分隔的不连续凹槽，所述不连续凹槽包括主凹槽和副凹槽，所述主凹槽以抛光垫中心为圆心呈不连续的同心圆分布，所述副凹槽将相邻的主凹槽相连，所述副凹槽和隔离凸台在所述主凹槽上分别均匀间隔分布，形成迷宫形不连续凹槽通道。本发明的抛光垫通过主凹槽、副凹槽和隔离凸台的交替排布增加抛光液在沟槽内的停留时间，延长抛光液流动路径，同时使碎屑能够及时排出，从而在降低抛光液消耗的条件下减少缺陷，并增加研磨平坦性。
-
公开(公告)号：CN114918824B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210754859.6
申请日：2022-06-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种具有径向微沟槽的抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层具有一旋转中心，以及与所述旋转中心同心的抛光轨迹区和环向沟槽，所述抛光轨迹区含有径向微沟槽，所述径向微沟槽的取向满足抛光时抛光介质的流型函数。本发明的抛光垫能够合理改变抛光介质在抛光垫上的停留时间，有效提升抛光速率的同时，能显著降低抛光时的终点温度，并能够提高片内和片间的均匀性。
-
公开(公告)号：CN114952609B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210430544.6
申请日：2022-04-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26 , B24B37/22 , B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00
摘要： 本发明公开了一种新旧抛光液含比可控的CMP抛光垫、抛光方法及其应用，所述抛光垫的抛光层至少包含：1）在所述抛光垫径向以折线形式相连的径向抛光液传送沟槽，所述径向抛光液传送沟槽每间隔至少4个周向同心圆沟槽角度进行一次偏折，每次偏折后的径向抛光液传送沟槽的宽度变窄、深度变深；2）以相邻的两道径向抛光液传送沟槽为侧边的至少4个周向同心圆沟槽组成的扇形区域。本发明的抛光垫利用复合型沟槽中径向沟槽的角度偏折和宽深变化来控制新旧抛光液在周向同心圆沟槽中的含比，进而提升抛光效果。
-
公开(公告)号：CN118438341A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410128825.5
申请日：2024-01-30
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/26
摘要： 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包括具有顶部抛光表面的多孔抛光层；位于顶部抛光表面对面的子垫，该子垫具有底部子垫表面；以及窗口，用于将信号波通过所述抛光垫传输到待抛光的衬底并通过该抛光垫返回以进行端点检测，该窗口具有顶部窗口表面、底部窗口表面和侧边缘，其中该顶部窗口表面从该顶部抛光表面凹陷，该底部窗口表面与该底部子垫表面基本上共面，该窗口从该底部子垫表面延伸到该顶部窗口表面，并且侧边缘与抛光材料和子垫材料接触，并且其中该窗口是无孔的。
-
公开(公告)号：CN113829232B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110690687.6
申请日：2021-06-22
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B37/013
摘要： 一种用于化学机械抛光的抛光垫包括：抛光部分，所述抛光部分具有顶部抛光表面并且包含抛光材料；开口，所述开口穿过所述抛光垫；以及透明窗口，所述透明窗口在所述抛光垫中的所述开口内，所述透明窗口被固定到所述抛光垫、并且对磁信号和光学信号中的至少一种是透明的，所述透明窗口具有厚度和顶部表面，所述顶部表面具有被相互连接的凹陷分开的多个元件，以在所述顶部表面中提供包括凹陷的图案，以便改善抛光期间向抛光垫中的空腔内的挠曲。
-
公开(公告)号：CN118238064A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311767937.7
申请日：2023-12-21
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
摘要： 公开了一种适合用于化学机械抛光的抛光垫，其包括：抛光层，该抛光层具有带有凹槽图案的顶表面，该凹槽图案包括具有第一凹槽截面的多个第一凹槽，该多个第一凹槽限定了相邻第一凹槽之间的多个区域；以及具有第二凹槽截面的多个第二凹槽，该多个第二凹槽在该相邻第一凹槽之间的多个区域的一部分中，其中该第二凹槽截面小于该第一凹槽截面的50％，其中该抛光层的特征进一步在于具有至少1.05克/立方厘米的比重。
-
公开(公告)号：CN117984230A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310164703.7
申请日：2023-02-10
申请人： 杭州众硅电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种抛光垫再利用加工装置，包括：抛光垫，上表面带有沟槽；工作台，与抛光垫下表面相贴合，以承托抛光垫，并可周向旋转；支架，带有可伸入沟槽的加工头；液体输送单元，用于向抛光垫输送液体，液体可流动至沟槽内；抛光垫置于工作台上，工作台或/和支架或/和加工头活动，加工头和沟槽沿着沟槽的延伸方向发生相对位移，以实现加工头对沟槽的加深切割，增加沟槽的深度，此时液体润湿抛光垫表面，或者对抛光垫表面形成冲刷清洗。本发明实现了抛光垫的在线加工；不改变抛光垫的固有结构，不影响原工艺的稳定性；提高了抛光垫的利用率，降低了抛光垫成本；液体输送单元可以实现对抛光垫沟槽的内部清洗，冲刷清洗抛光垫表面碎屑。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
733 条记录 (耗时 0.03 秒)
