公开(公告)号：CN118344176A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410267577.2

申请日：2024-03-08

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 陈杰 ,  王诗 ,  王海龙 ,  孙本双 ,  何季麟

IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，公开了一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，包括以下步骤：取TTO溅射废靶材，在稀盐酸中浸泡，洗涤，烘干；将烘干后的TTO溅射废靶材研磨成粉，过筛网，将过筛网的粉料进一步过细筛网，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细颗粒；取粗颗粒、细颗粒与聚乙烯醇水溶液混合均匀，过筛网；将混合物料放入模具中，使用油压机压制成型，得到靶材素坯；用铝硅箔将得到的靶材素坯完全包覆，用真空封装机进行真空封装处理，然后冷等静压机压制；将得到的靶材素坯放入烧结炉中进行无压烧结，得到低密度多孔氧化锡钽RPD靶材。本发明以TTO溅射废靶材为原料制备氧化锡钽RPD靶材，可有效地减少资源的浪费。

公开(公告)号：CN114314643B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202111526910.X

申请日：2021-12-13

申请人： 广东先导稀贵金属材料有限公司

发明人： 梁鉴华 ,  王波 ,  罗鑫 ,  陈应红 ,  刘威 ,  陈秋旭 ,  梅占强

IPC分类号： C01G19/00 ,  C04B35/457 ,  H01G4/12

摘要： 本发明公开了一种锡酸钙的制备方法与应用，属于化学合成技术领域；本发明的锡酸钙以氧化亚锡、氧化剂、氢氧化钾水溶液和氯化钙为原料，通过一步法合成；本发明的技术方案通过优选氧化亚锡、氢氧化钾水溶液质量浓度，添加的氧化剂的量和氧化后反应体系中锡浓度和氢氧根的浓度，以及沉淀剂氯化钙的添加速率，能够使得制备得到的锡酸钙的纯度在99％以上，从而无需后处理，即可直接应用于陶瓷电容器的制备；并且本发明提供的技术方案合成工艺简单、合成效率高、成本低、合成过程环境友好、合成收率高，合成收率在99.7％以上，因此能直接应用于工业生产。

公开(公告)号：CN117486599A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311510978.8

申请日：2023-11-14

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 周志宏 ,  陈常清 ,  吴健 ,  周昭寅

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628 ,  C23C14/08

摘要： 本发明公开了一种用于异质结电池的氧化锡靶材，氧化锡靶材包括氧化锡粉和氧化钽粉、氧化钼粉中的任一种或两种；所述氧化锡粉的质量分数为：94‑99.5%；所述氧化锡粉的粒度为：20‑80nm。本发明掺杂氧化钽、氧化钼是基于钽（+5）或钼元素（+6）的化学价高于锡元素（+2/+3），进入氧化锡晶格中会替代里面的锡，形成电子导带，使得自由导电电子的浓度增加，进而提升导电性；同时，钽与钼的化学耐久稳定性高，热稳定性高，且具有很好的生物相容性；同时加入的膨润土调节纳米二氧化硅剂与片状石墨烯剂，通过二者协配，共同协调，产品的耐酸腐、耐热稳定性效果显著，产品的导电、强度性能以及性能稳定性协调改进明显。

公开(公告)号：CN115872735B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202211450598.5

申请日：2022-11-18

申请人： 广东工业大学

发明人： 鲁圣国 ,  李伟湫 ,  王世斌 ,  余宇梁 ,  林昌立

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  H10N30/853

摘要： 本发明属于电介质陶瓷材料技术领域，公开了一种锆锡铪酸镧铅陶瓷及其制备方法和储能应用。所述锆锡铪酸镧铅块体陶瓷的化学式为Pb0.98La0.02(Zr0.45‑xHfxSn0.55)0.995O3，x＝0.01～0.15。该方法采用固相合成法，通过掺入Hf4+后能够大幅提高Pb0.98La0.02(Zr,Hf,Sn)0.995O3体系的储能效率和储能密度。该锆锡铪酸镧铅块体陶瓷具有细长型双电滞回线的反铁电体的高储能密度和高效率特性，储能密度是不含Hf4+时候的1.58倍，储能效率由81.3％增加到89.8％，储能效率提高了8.5％，该锆锡铪酸镧铅块体陶瓷应用在储能领域中。

公开(公告)号：CN117125974B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311394278.7

申请日：2023-10-26

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 陈常清 ,  周志宏 ,  周昭宇 ,  吴健

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34

摘要： 本发明公开了一种用于太阳能电池行业的FTO靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、以氧化锡粉（SnO2）和氟化锡粉（SnF4）为原料，制备复合粉体；S2、以S1中复合粉体进行成型烧结，得到FTO靶材。本发明FTO靶材制备以氧化锡粉（SnO2）和氟化锡粉（SnF4）为原料经过S1中制备复合粉体具体步骤、以及S2中具体制备靶材的步骤形成的FTO靶材具有导电性和透光性相互协调改进，通过氧化锡粉中加入的石墨烯调节剂协调配合步骤c中二次煅烧后还浸入改性处理，通过二者协调改进，共同协效，产品的导电性和透光性的性能协调性进一步的改进。

公开(公告)号：CN117305780A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310755764.0

申请日：2023-06-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  佐藤优一 ,  井坂史人 ,  大野敏和

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622

摘要： 提供一种新颖的溅射靶材及溅射靶材的制造方法。溅射靶材包括第一区域及第二区域。第一区域包括含有元素M1(元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr及B中的一种或多种)的第一金属氧化物。第二区域包括含有铟及锌的第二金属氧化物。第一区域与第二区域彼此分离。第一区域及第二区域各自为晶粒。第一区域与第二区域之间观察到晶界。第一区域及第二区域各自的径为5nm以上且10μm以下。

公开(公告)号：CN117185801A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311236250.0

申请日：2023-09-22

申请人： 北方民族大学 ,  宁夏大学

发明人： 张笑 ,  陈赟 ,  梁森 ,  陆有军 ,  李思仪

IPC分类号： C04B35/457

摘要： 一种线性NTC热敏电阻材料CdSnO3‑Al2O3及其制备方法，属于NTC热敏电阻材料技术领域，所述线性NTC热敏电阻材料CdSnO3‑Al2O3的组分包括Sn基钙钛矿CdSnO3和Al2O3，所述Al2O3的摩尔分数占体系总摩尔分数的10%~30%；该材料是通过将Sn基钙钛矿CdSnO3和Al2O3经球磨、烘干、过筛、压制、烧结制成。所述NTC热敏电阻材料CdSnO3‑Al2O3在25℃~175℃范围内具有线性电阻‑温度特性，线性度达到了99.6%以上，是一种线性NTC热敏电阻材料，在使用过程中可以令工作电路更加简洁，也使得整机系统运作更简单更可靠。

公开(公告)号：CN117142848A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311141927.2

申请日：2023-09-06

申请人： 株洲火炬安泰新材料有限公司

发明人： 唐安泰 ,  唐智勇 ,  程波

IPC分类号： C04B35/457 ,  C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种LaSm共掺杂I TO靶材及其制备方法与应用，属于I TO靶材技术领域，将纳米I TO粉末、纳米LaSm(BO3)2粉末和乙酸溶液球磨混合成浆料，在模具中，480±5MPa和400‑420℃保温保压60‑80mi n，自然冷却，得到坯体后在氧气氛围下，1350‑1400℃烧结3‑3.5h，制备出LaSm共掺杂I TO靶材；烧结温度小于常用的1550℃，避免晶粒和密度过大，防止对溅镀后薄膜的透光率产生影响；纳米LaSm(BO3)2粉末的添加有助于增减溅镀膜的透光率；LaSm共掺杂I TO靶材的溅镀膜I TO膜作为太阳能电池硅片的减反膜，可以降低电池的内阻，从而提高太阳能电池的输出功率。

公开(公告)号：CN116854485A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310510156.3

申请日：2023-05-08

申请人： 芜湖映日科技股份有限公司

发明人： 曾探 ,  王志强 ,  曾墩风 ,  石煜 ,  马建保

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34

摘要： 本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种氧化铟锡靶材强度增加的烧结工艺方，使用碳化硅横梁+氧化铝垫片的方式代替传统的氧化铝承烧板+氧化铝垫片，并且使用梯度升温烧结，之后烧结降温速率为0.4‑0.6℃/min，待炉内温度＜10℃后，下降炉床。使用本发明烧结工艺制备的氧化铟锡靶材抗拉强度高达166.89Mpa，内部无异常且生产良率90％以上。

公开(公告)号：CN114835486B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202110137848.9

申请日：2021-02-01

申请人： 江门思摩尔新材料科技有限公司

发明人： 王守平 ,  朱林林 ,  赵晓阳 ,  江雪涛 ,  张琳 ,  西克宇

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622

摘要： 本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。该导电陶瓷材料的制备方法包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1‑8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆；其中，添加剂为Sb2O3，Li2CO3，Ba2CO3，SiO2，Bi2O3，ZnO，MgO中的至少一种或多种；对料浆进行烧结，以制得导电陶瓷材料。该方法所制得的导电陶瓷材料的电阻率范围为1×10‑4～1×10‑6Ω·m，功率密度大于2600mW/cm2，使用范围和方式较为广泛。