公开(公告)号：CN118786132A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024254.4

申请日：2023-03-24

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  沃萨姆材料美国有限责任公司

发明人： P·麦尔曼 ,  L·梅 ,  L·利曹 ,  H·黑尔 ,  S·V·伊瓦诺夫

IPC分类号： C07F11/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及具有磷基配体的金属(例如，Cr、Mo及W)羰基配合物，其具有改善(即更高)热稳定性及低熔点，含有该化合物的组合物及使用该化合物作为前体用于沉积含金属膜的方法。

公开(公告)号：CN118742531A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023076.3

申请日：2023-02-23

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  沃萨姆材料美国有限责任公司 ,  西格玛-奥吉奇有限责任公司

发明人： C·R·克拉夫 ,  C·J·索德 ,  C·D·霍普金斯 ,  S·V·伊瓦诺夫 ,  A·德雷克斯凯

IPC分类号： C07C11/22 ,  C23C16/00

摘要： 所公开及要求保护的主题涉及大体上不含残余的烷基卤化物、水及/或羧酸的高纯度炔烃及其(例如于配制剂中)用于增强金属基板的钝化的用途。

公开(公告)号：CN114829669B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202080085084.7

申请日：2020-10-09

申请人： 宽腾矽公司

发明人： 陈国钧 ,  杰瑞米·雷克伊

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/00 ,  B05D1/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04

摘要： 本申请的方面提供了生产具有改性表面的基底的方法。在一些方面，表面改性的方法包括用气相的有机试剂处理基底表面，以在该表面上形成有机层。在一些方面，提供了在氧化表面上形成稳定表面涂层的方法。使用了有机磷酰卤。

公开(公告)号：CN115836027B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202180044275.3

申请日：2021-04-16

申请人： 瓦克化学股份公司

发明人： A·卡尔雅基纳 ,  C·德雷格 ,  C·克莱因莱恩 ,  J·普法伊费尔 ,  J·蒂尔曼

IPC分类号： C01B32/372 ,  C23C16/00 ,  C01B33/029 ,  C01B33/027

摘要： 本发明涉及硅碳复合颗粒，其具有a)0.05至10重量％的碱金属或碱土金属浓度，以及b)>7.5的pH；用于在多孔碳颗粒存在下通过硅前体的硅渗透来制备硅碳复合颗粒的方法；用于锂离子电池的阳极材料，其包括硅碳复合颗粒；阳极，其包括涂覆有阳极材料的集电体；以及锂离子电池，其包括含有硅碳复合颗粒的至少一个阳极。

公开(公告)号：CN118596080A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410715181.X

申请日：2024-06-04

申请人： 上海光导通信设备有限公司

发明人： 吴任 ,  戴晓磊

IPC分类号： B25B27/00 ,  C23C16/00

摘要： 本发明公开了一种新型大口径CVD炉，包括炉体和石英管，石英管两端各套设有一安装法兰；安装法兰通过承托调节装置支撑于工作平台上；该装置包括承托弧板、丝杆、旋转螺母、圆筒支柱、上连接板和下连接板；承托弧板与丝杆固定连接，丝杆与旋转螺母螺纹连接；旋转螺母套设于圆筒支柱上；圆筒支柱与上连接板固定连接；下连接板与工作平台之间通过第一导轨滑台机构连接，下连接板和上连接板之间通过第二导轨滑台机构连接；实现上连接板的纵向、横向位移。本发明的新型大口径CVD炉，具有一套独特的承托调节机构，能灵活精确可靠地进行位置调节、能稳定地承托大质量的安装法兰，以满足大口径CVD炉安装过程中的要求。

公开(公告)号：CN118103545A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280062894.X

申请日：2022-09-19

申请人： 香港科技大学

发明人： 董首成 ,  杨基业 ,  邓清云

IPC分类号： C23C16/00

摘要： 一种用于图案化气相沉积的波纹状荫罩(100)，包括处于拉应力下的波纹膜(110)，该波纹膜具有多个通孔(112)，形成孔阵列，汽化的沉积材料可以穿过该孔阵列。通孔(112)位于波纹(113)的顶点并且从围绕通孔的膜表面(110a,110b)突出。该荫罩(100)特别适合于形成OLED显示器的像素阵列，而不会发生相邻像素(321‑323)的颜色混合。

公开(公告)号：CN114540750B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202111228813.2

申请日：2021-10-21

申请人： 杭州大和热磁电子有限公司

发明人： 李天普

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  B23P15/00 ,  B23K37/04 ,  B23K37/02

摘要： 本发明公开了一种镀膜机壳体及加工方法，旨在解决现有的镀膜机壳体受力不均，壁厚较厚的不足。该发明的壳体为回转体结构，壳体一侧设有缺口，缺口处连接腔门盖，腔门盖上设有侧接口，壳体下端设有下接口，侧接口边缘安装连接环，下接口边缘安装法兰接口环；壳体包括上封头、下封头，上封头下端和下封头上端焊接。这种镀膜机壳体能减少材料的使用，降低占用空间，壳体受力均匀，使用寿命长。

公开(公告)号：CN117441223A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202180099146.4

申请日：2021-06-21

申请人： 应用材料公司

发明人： 建·杰森·陈 ,  杨毅 ,  马冲 ,  薛原

IPC分类号： H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  C23C16/00

摘要： 用于控制处理腔室中的等离子体的方法及设备利用提供RF接地路径的RF终端滤波器。在一些实施方式中，一种设备可包括：DC滤波器，被配置为电连接在DC电源与嵌入于静电卡盘中的电极之间，其中所述DC滤波器被配置为阻止来自DC电源的DC电流流经DC滤波器；及RF终端滤波器，被配置为电连接在该DC滤波器与处理腔室的RF接地之间，其中该RF终端滤波器被配置为相对于RF接地调整电极的阻抗。

公开(公告)号：CN115485415B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202180017429.X

申请日：2021-03-01

申请人： 奥钢联钢铁有限责任公司

发明人： E·沙辛格 ,  M·弗莱彻德尔

IPC分类号： C23C22/50 ,  C23C2/06 ,  C23C8/00 ,  C23C16/00 ,  C23C22/62 ,  C23C22/82 ,  B21D22/00 ,  B21D22/20 ,  C23C28/02

公开(公告)号：CN116864373A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310789234.8

申请日：2023-06-30

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司 ,  上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 张蕾 ,  金立培 ,  陈思彤 ,  齐笑 ,  潘嘉 ,  杨继业

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00

摘要： 本发明属于半导体晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片；于第二工作面（120），即与工件（600）核心图形所在第一工作面（110）相背对之另一面制备平衡层，亦即第三补偿层（300），来抵消、削弱工件（600）失衡的应力分布SD（Stress Distribution），确保工件（600）满足相关设备对翘曲度的限制，提升有效工作时间；其中，可结合工件（600）结构、材料特征，通过实验测量或仿真获取其第三补偿层（300）的第七厚度值（777），并可通过背面模板沉积机台制备其平衡层；其实施例还公开了平衡层可选的介质材料和优化方案，为缓解工件（600）马鞍形翘曲提供了有效的解决方案，适用于功率器件或电源（POWER）产品制备。