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公开(公告)号：CN118854250A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410856759.3
申请日：2024-06-28
申请人： 中北大学
摘要： 本发明属于纳米加工技术领域，具体涉及一种集成共面波导辅助固态纳米孔精确定位制备方法，包括下列步骤：制备金纳米缩窄电极；沉积有金纳米缩窄电极的氮化硅芯片，在乙醇溶液中清洗去除有机物；对纳米孔进行定位；施加偏置电压VTM在金纳米缩窄电极上；通过Labview设计的软件根据所输入的目标孔径计算出所对应的阈值电流I0，并根据源表测量到的漏电流I；通过比较漏电流与阈值电流之间的大小，判断有无达到目标孔径。本发明通过往氮化硅膜上溅射金属纳米缩窄电极上施加一定的横向电压，降低了薄膜上纳米缩窄处的击穿电压，与此同时通过labview设计的程序进行纳米孔的可控制备。本发明的制备方法操作简单、自动化、成本低，且纳米孔位置可精确控制。
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公开(公告)号：CN118841369A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410817519.2
申请日：2024-06-24
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/06
摘要： 本发明属于半导体制作技术领域，具体公开了一种用于三维集成电路超高深宽比硅通孔金属化的方法，具体包括以下步骤：采用原子层沉积技术在衬底材料表面以及通孔沉积绝缘层；采用原子层沉积技术在绝缘层上沉积阻挡层，阻挡层为TiN、Ru中的一种或两种；采用原子层沉积技术在阻挡层上沉积种子层；在沉积的种子层上电镀铜。本发明采用ALD铜钟子层沉积技术，可以在不同衬底沉积铜种子层，并采用常见的酸性硫酸铜体系电镀药液，兼容性较好，打通了超高深宽比TSV无缺陷填实的工艺路线，有利于先进封装超高密度互连。
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公开(公告)号：CN118374791B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410813360.7
申请日：2024-06-24
申请人： 南京原磊纳米材料有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/06
摘要： 本申请提供一种金属钴薄膜及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明方法是将衬底放入内腔体后，以CVD与ALD同时进行的方式使钴源和反应气体发生反应，在衬底上沉积金属钴薄膜。本申请还提供了一种喷淋组件，能够将钴源与还原性气体在沉积前进行充分扩散和混匀，减少反应区域的不均匀性和气相扩散效应对沉积均匀性的影响，改善沉积薄膜的膜厚均匀性。本申请将CVD方式和ALD方式结合，相比单独的ALD沉积方式金属钴薄膜生长速率高，相比单独的CVD方式制得的钴薄膜生长方式均匀性稳定且具有较低的膜层电阻率。
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公开(公告)号：CN114420533B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111491362.1
申请日：2021-12-08
申请人： 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , C23C16/06 , C23C16/56
摘要： 本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。
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公开(公告)号：CN116288275B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310280160.5
申请日：2023-03-20
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 王诗昊
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/06
摘要： 本申请提供一种钛铝沉积机台的工艺腔室暖机方法，包括：步骤S1，采用高压力和高铝/钛比例程式实施第一次暖机，使工艺腔室达到钛铝沉积工艺实施的条件；步骤S2，采用低压力和低铝/钛比例程式实施第二次暖机，除去工艺腔室内以及连通工艺腔室和钢瓶的管路内的杂质颗粒。相比现有技术，将暖机时间缩短一半，降低晶圆成本超过70％。
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公开(公告)号：CN118497708A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410169351.9
申请日：2024-02-06
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06
摘要： 本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含贵金属材料的方法和设备。该方法包括在反应室中提供衬底，将贵金属前体以气相提供到反应室中；以及将第二前体以气相提供到反应室中，以在衬底上形成含贵金属材料。根据本公开的贵金属前体包括含有有机膦加合配体的贵金属卤化物。
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公开(公告)号：CN113205996B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110556857.1
申请日：2021-05-21
申请人： 东莞市中科原子精密制造科技有限公司
IPC分类号： H01J43/24 , H01J9/12 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/06
摘要： 本公开是关于微通道板，属于光电技术领域。本发明提供的微通道板包括微通道板本体及设置在微通道板本体内壁的高阻薄膜；所述高阻薄膜具有由第1‑M薄膜层组成的层叠结构，每个薄膜层包括通过原子层沉积制成的第一材料层和通过原子层沉积于第一材料层上的第二材料层；所述微通道板本体内壁上为第1薄膜层的第一材料层，第i薄膜层的第一材料层沉积于第i‑1薄膜层的第二材料层上；所述高阻薄膜的厚度在预设厚度取值范围内；其中，第一材料为指定绝缘材料和指定导电材料中的任一种，第二材料为所述指定绝缘材料和指定导电材料中的另一种；i＝2,…M。本申请能够解决现有技术其副产物为有毒有害气体的问题。
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公开(公告)号：CN115673329B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202211430800.8
申请日：2022-11-15
申请人： 中铁宝桥集团有限公司
摘要： 本发明涉及一种高锰钢复合强化用增强体及其制备方法，该制备方法为：是将碳氮化钛粉末、奥氏体不锈钢粉末和稀土Y粉末混合后置于球磨罐中，加入磨球和乙醇后经氩气气氛下球磨、烘干后得到增强体材料制备粉末；将球磨粉使用模压机压成生坯，再经氩气保护无压烧结后得到块状增强体材料；将块状增强体材料切割成圆柱状增强体并打磨抛光；将打磨抛光后的的圆柱状增强体浸入清洗液中进行碱洗，经去离子水冲洗、敏化、活化、还原后，放入化学镀液中进行磁力搅拌，制得镀覆镍层的圆柱状增强体；将圆柱状增强体粘接固定在铸件型腔内，通过铸造复合工艺，获得高锰钢基复合材料。本发明提高了材料在冲击载荷下的工作稳定性，强化了高锰钢材料的耐磨性能。
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公开(公告)号：CN118345332A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410498870.X
申请日：2024-04-24
申请人： 四川金星清洁能源装备集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种抗氢脆的镍合金涂层及其制备工艺，该涂层包括涂设于金属材料基板表面的中间层和涂设于中间层上的表面层，所述中间层为钼合金、铬合金、锰合金、铌合金、铜合金、铝合金的至少一种，所述表面层为镍合金。本发明可以应用于各种金属材料表面，减少氢脆现象的发生，还具有优良的耐腐蚀性能，可以有效防止氢和腐蚀介质对金属表面的侵蚀。
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