公开(公告)号：CN118600533A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410669801.0

申请日：2024-05-28

申请人： 北京北方华创真空技术有限公司

发明人： 张世超

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/10 ,  C30B28/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请涉及纳米材料的技术领域，具体公开了一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法。本申请公开的大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，具体步骤为：将载有2H MoTe2连续薄膜的硅片置于电子束蒸镀的腔体内，在高真空下，枪灯丝的电流为0.73‑0.80A，形成电子束；电子束通过‑8.2 kV的电场后被加速，利用磁场的配合精准的聚焦到2H MoTe2表面，将能量传递至2H MoTe2并使其发生向Mo6Te6的大面积转化。本申请通过电子束诱导首次实现了大面积半导体相的MoTe2向Mo6Te6的转变，能保证相变的均匀性，且能实现图案化2H MoTe2/Mo6Te6 NW平面异质结的制备。

公开(公告)号：CN113741068B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202111040113.0

申请日：2021-09-06

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 陈蓉 ,  曹坤 ,  熊英飞 ,  金泽睿 ,  周华俊 ,  李浩华 ,  张斌

IPC分类号： G02F1/09 ,  C30B29/28 ,  C30B29/16 ,  C30B28/12

摘要： 本申请的实施例提供了一种磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法。该磁光薄膜包括：基底；设置在所述基底之上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包含金属氧化物；设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层；以及设置在所述缓冲层之上的光隔离层。在这样的实施例中，由于在基底上生长的扩散阻挡层中的金属氧化物是多晶的，更有利于缓冲层在扩散阻挡层上形核，结晶性好。此外，由于金属氧化物具有较高的致密度和热稳定性，因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果，进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。

公开(公告)号：CN117187784B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311474527.3

申请日：2023-11-08

申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 ,  盛吉盛精密技术(宁波)有限公司

发明人： 韩颖超 ,  马志杰 ,  范荣 ,  李士昌

IPC分类号： C23C16/455 ,  C30B28/12 ,  C30B29/06

摘要： 本发明提供了一种机械式导气扁管及其预处理方法，机械式导气扁管包括管体和管头，管体由第一半管件和第二半管件拼接而成，管头、第一半管件和第二半管件均为硅材质的一体成型部件，第一半管件设有第一导气槽，第二半管件设有第二导气槽，第一导气槽和第二导气槽组成一端开口的导气腔体，第一半管件上设有多个导气孔，管头包括装配部和进气管，进气管具有横截面为圆形的进气通道，导气腔体的横截面面积大于进气通道的横截面面积，过渡通道连通进气通道和导气腔体。本发明的各部件通过机械方式连接，避免了引入金属和颗粒污染的风险，减少管体残余应力，管体具有增大的导气腔体，减少薄膜沉积对管径的影响，提高工艺稳定性。

公开(公告)号：CN118053926A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410202902.7

申请日：2024-02-23

申请人： 内蒙古工业大学 ,  四川川顶科技有限公司 ,  西昌学院

发明人： 高元明 ,  李荣星 ,  李健铭 ,  邹敏 ,  焦钰 ,  冯雪英 ,  马文 ,  白玉 ,  刘炯

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C30B28/12 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了多元稀土改性多晶硅叠层太阳能薄膜电池及其制备方法，主要涉及硅基太阳能薄膜电池领域。包括自下而上层叠设置的导电玻璃层、多晶硅薄膜层、多元稀土改性多晶硅薄膜层、铜栅状电极层、钢化玻璃层，还包括以下步骤：S1.对导电玻璃进行预处理；S2.制备Ⅰ‑p型多晶硅薄膜层；S3.制备Ⅱ‑p型多晶硅薄膜层；S4.制备Ⅰ‑n型多晶硅薄膜层；S5.制备Ⅱ‑n型多晶硅薄膜层；S6.制备多元稀土改性Ⅱ‑n型多晶硅薄膜层；S7.沉积铜栅状电极层；S8.附着钢化玻璃层，制得多元稀土改性多晶硅叠层太阳能薄膜电池。本发明的有益效果在于：能充分吸收可见光的同时，也能够吸收一定的紫外和近红外波段光，提高光能的利用率，能够提高发电效率，从而降低整体的使用成本。

公开(公告)号：CN117304933A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311604804.8

申请日：2023-11-29

申请人： 江苏先进无机材料研究院 ,  中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 吴云涛 ,  王玉捷 ,  闻学敏

IPC分类号： C09K11/85 ,  G01T1/20 ,  G01T1/202 ,  G01T1/36 ,  C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  C30B28/12 ,  C01G3/00

摘要： 本发明属于电离辐射探测材料技术领域，具体涉及稀土团簇增强的低维卤化物闪烁材料及其制备方法和应用。材料的化学通式为A8BC3X18；A选自Cs、In和Tl中的至少一种；B选自Cu、Ag、Au、In和Tl中的至少一种，且A和B元素组分不同；C选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Sc、Y和Lu中的至少一种；X选自F、Cl、Br和I中的至少一种。该材料易于制成单晶、粉体、多晶薄膜，具有非（弱）潮解、高电离辐射发光效率、无闪烁发光自吸收、高光输出、低余辉、高能量分辨率等优势，在医学影像、安检、石油探井和工业检测等领域有重要应用前景。

公开(公告)号：CN116334749B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310417157.3

申请日：2023-04-18

申请人： 通威微电子有限公司

发明人： 刘曦

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B28/12

摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅籽晶粘接装置包括坩埚、籽晶支架、籽晶载具和加热装置，籽晶支架设置在坩埚内；籽晶载具设置在坩埚的顶端，用于与籽晶的表面间隔相对设置，并形成粘接沉积间隙；加热装置设置在坩埚的周缘，其中，籽晶支架与坩埚的内侧壁之间形成有原料容纳腔，原料容纳腔连通至粘接沉积间隙，并容纳有粘接原材料，粘接原材料用于在加热到预设温度后升华，并沉积在粘接沉积间隙中，以使籽晶和籽晶粘接面粘接在一起。相较于现有技术，本发明通过沉积的方式实现籽晶的粘接，粘接均匀性更好，并且沉积方式可以使得粘接效果更好，籽晶的位置可控性更好，有利于提升晶体生长质量。

公开(公告)号：CN113399319B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202110580342.5

申请日：2021-05-26

申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司

发明人： 薛传艺 ,  张开端 ,  高立志 ,  史建伟 ,  张健

IPC分类号： B08B1/00 ,  B08B1/04 ,  B08B13/00 ,  G01N21/94 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B28/12

摘要： 本申请实施例公开了一种晶体炉可视化清洁方法及设备，方法包括：采集晶体炉内壁在洁净状态下的若干图像以及在非洁净状态下的若干图像，以得到晶体炉内壁图像特征库；基于预设程序，控制晶体炉清洁装置旋转升降组件以及套设在旋转升降组件上的清洁箱进行升降或旋转，以对晶体炉内壁进行清洁；其中，清洁箱顶部和侧面安装有清洁刷；清洁完毕后，采集晶体炉内壁的实时图像；对晶体炉内壁的实时图像进行特征提取，并与晶体炉内壁图像特征库中的若干图像进行特征匹配，以确定晶体炉内壁的洁净状态。解决了现有晶体炉清洁方法无法实现自动清洁且不能自动检测晶体炉是否清洁干净的问题。降低了晶体炉清洁的成本，提高了晶体炉清洁的效率。

公开(公告)号：CN115584552A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211367145.6

申请日：2022-11-03

申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司

发明人： 贺贤汉 ,  孔海宽 ,  忻隽

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B28/12 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及碳化硅技术领域，具体是涉及一种碳化硅晶体生长装置，包括生长炉外筒，生长炉外筒内设有坩埚、保温筒和第一加热器，坩埚内设有环形内胆，环形内胆中设有第二加热器，生长炉外筒的顶部设有升降机构和测温器，升降机构的输出端连接有升降杆，生长炉外筒的顶部和保温筒的顶部分别设有两个测温口，生长炉外筒的外壁上设有若干个散温口，生长炉外筒内还设有降温机构，环形内胆将坩埚内的空间隔断成靠近坩埚内壁的外围区以及远离坩埚内壁的中心区，通过设于环形内胆中的二号加热丝与套设于保温筒上的一号加热丝的同步发热，最终使得位于外围区以及中心区内的碳化硅粉料的温度趋于一致，解决了坩埚内碳化硅粉料受热不均的问题。

公开(公告)号：CN113385442B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110578912.7

申请日：2021-05-26

申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司

发明人： 薛传艺 ,  张开端 ,  高立志 ,  史建伟 ,  张健

IPC分类号： B08B1/00 ,  B08B1/04 ,  B08B9/047 ,  G01N21/94 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B28/12

摘要： 本申请实施例公开了一种晶体炉清洁装置及方法，装置包括驱动机构与清洁检测机构；所述驱动机构包括旋转升降组件，以及套设在所述旋转升降组件上的清洁箱；所述清洁箱设有顶部清洁刷与侧面清洁刷，所述旋转升降组件带动所述清洁箱上下移动，以使所述顶部清洁刷对晶体炉内的密封组件进行清洁，以及使所述侧面清洁刷对晶体炉内的工艺管进行清洁；所述清洁检测机构置于所述清洁箱上；所述清洁检测机构用于在所述清洁箱上下移动时，采集所述密封组件与所述工艺管的图像，并将所述图像与预存图像做对比，以对所述晶体炉内的所述密封组件、所述工艺管进行清洁检测。以此提高清洁效率，确保统一的清洁标准，提高晶体生长质量。

公开(公告)号：CN115078290B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210855664.0

申请日：2022-07-21

申请人： 无锡芯感智半导体有限公司

发明人： 杨绍松 ,  刘同庆 ,  曹锦云

IPC分类号： G01N21/3504 ,  G01N21/01 ,  C23C28/04 ,  C30B28/12 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

摘要： 本发明提供了一种适于NDIR原理气体传感器芯片及其制备方法，其将微凸透镜与NDIR红外气体传感器芯片在芯片制造过程中就进行集成，使得微凸透镜能够很好的汇聚聚集红外光的能量在红外检测芯片的敏感区域，提升了芯片输出，进而提升了整个传感器的气体探测灵敏度，其特征在于：其包括芯片本体和微凸透镜，所述芯片本体和微凸透镜通过光学胶粘剂固定在一起，所述微凸透镜的圆弧面位于芯片本体的黑色吸光层上方。