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公开(公告)号：CN118895566A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411003121.1
申请日：2024-07-25
申请人： 成都新源汇博光电科技有限公司 , 成都晶镭光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种酸煮去应力装置及酸煮退火去应力方法，至少包括但不限于加热组件、第一盛放槽和第二盛放槽；所述第二盛放槽设置在第一盛放槽中，所述第一盛放槽中设置有对第二盛放槽进行举高的支撑架；所述第一盛放槽中设置有加热介质，所述第二盛放槽中设置的酸性介质，所述第二盛放槽中还设置有工对晶体棒进行限制的支撑结构；本方案通过恒温加热的方式对酸性介质进行加热，避免局部高温引起酸性介质的暴沸，可以温和的对酸性介质进行加热，并且对第二盛放槽中的晶体棒进行应力去除，同时在第二盛放槽中设置支撑结构，可以将每个晶体棒进行隔离，避免在酸煮去应力的过程中，晶体棒之间发生碰撞，造成晶体棒的损伤。
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公开(公告)号：CN118880471A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411361622.7
申请日：2024-09-27
申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
IPC分类号： C30B33/00 , C30B29/40 , C23C14/20 , C23C14/34 , C08F220/14 , C08F120/06 , C08F220/06 , C08F220/18 , C08F220/46 , C08F222/14 , C09D133/12 , C09D133/02
摘要： 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化铝单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：S1：在氮化铝单晶衬底的表面进行共聚物涂覆，得共聚物层；S2：于共聚物层表面再涂覆交联物，得交联物层；S3：再于交联物层表面进行银离子溅射，得氮化铝单晶衬底。本发明一种氮化铝单晶衬底的制备方法，所得氮化铝单晶膜层具有良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN118704094A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410729116.2
申请日：2024-06-06
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C30B29/46 , H10N10/852 , C30B33/00 , B28D5/00
摘要： 本发明提供了一种基于约束热轧成型的n型碲化铋基热电材料及其制备方法，该制备方法通过采用特定模具约束前驱体后，再进行热轧成型的方式，可利用模具约束前驱体的法向、轧向和横向，同时又能保证其沿轧向定向流变，可有效避免n型碲化铋材料变形开裂的风险，缓解变形过程中的不均匀变形，解决了采用常规热变形工艺制作碲化铋基热电材料时，由于材料的脆性致使碲化铋基热电材料容易失稳开裂的问题，最终有效提高材料的热电优值。
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公开(公告)号：CN118073243B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410230916.X
申请日：2024-02-29
申请人： 青岛育豪微电子设备有限公司
摘要： 本发明属于降温设备技术领域，具体为一种加热体外部降温结构，包括炉体和降温装置，降温装置气液降温机构、预热机构和出水机构，通过设置气液降温机构，利用气液相结合的方式对炉体外部进行降温，提高降温效果，避免设备工作时对工作人员造成不适，同时通过设置一次预热组件，利用炉体外部热量对氧气一次预热，通过设置二次预热组件，对氧气二次预热，提高晶圆氧化时进入炉体内部的氧气温度，减小氧气与炉内温差，有效利用热能的同时提高了晶圆氧化层的均匀性，并通过设置出水机构，便于排水，并通过刮水组件，便于清理积水。
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公开(公告)号：CN115038825B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202080095445.6
申请日：2020-12-17
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C30B29/16 , C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/365 , H01L21/368
摘要： 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
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公开(公告)号：CN118461149A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410914502.9
申请日：2024-07-09
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种籽晶及其制作方法、长晶工艺的多型率测试方法。该籽晶包括多个拼接籽晶片，至少两个拼接籽晶片符合特定条件，特定条件为：拼接籽晶片与穿过拼接籽晶片的特定线有且只有两个交点；特定线平行于[11‑20]方向，上述特征使籽晶作为衬底生长碳化硅晶体，生长的单个碳化硅晶体上能具有多个测试浓斑区，且各个测试浓斑区是否出现多型现象为相互独立的事件，统计出现多型现象的浓斑区的占比即可得到长晶工艺的多型率。上述测试不需要多炉次进行碳化硅晶体的生长，测试快速方便，且相较于多炉次生长来得到多型现象的数据，该方式避免了多炉次之间物料、人工作业、晶体长速等带来的差异，多型率数据更加可靠。
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公开(公告)号：CN118422308A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410540552.5
申请日：2024-04-30
申请人： 东北大学
摘要： 一种高杂石膏制备硫酸钙晶须的方法，属于环境保护技术领域。本发明主要包括以下步骤：(1)预处理(2)常压酸化(3)保温陈化(4)低温转型(5)废液回收。本发明采用常压酸化法新工艺，以二水硫酸钙含量大于等于45％的高杂石膏为原料，可以制备出高纯度的半水硫酸钙晶须，并且溶晶剂能够循环使用，同时具备相应的废液回收环节，解决了传统常压酸化法产物价值低、生产成本高、废液难利用的缺点。本发明条件简单，节约成本，绿色环保，合理利用了固废资源，产出的晶须产品符合国家标准。
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公开(公告)号：CN118272930B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410676639.5
申请日：2024-05-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： C30B29/46 , C30B29/60 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L29/24 , H01L29/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明属于半导体纳米晶体制备的技术领域，具体涉及一种一维无机原子链的制备方法。本发明利用加热组件，通过加热，使得二维范德华单晶材料InSe或GaSe中原子重构生成具有单原子直径形态的一维原子链，实现了原子尺度下直接从二维硫属化合物材料通过加热相变成一维原子链。本发明制备过程简单易行，为一维原子链材料的制备提供更多的选择，同时制备的产物可广泛应用于基于原子链的半导体纳米器件领域。
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公开(公告)号：CN118380378A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410526206.1
申请日：2024-04-28
申请人： 上海新傲芯翼科技有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/324 , C30B15/02 , C30B33/00
摘要： 本发明提供了一种键合晶圆的制备方法，包括：提供支撑晶圆，在制备支撑晶圆时执行氮掺杂工艺，支撑晶圆的氧含量为5.5×1017atoms/cm3～1×1018atoms/cm3；在惰性气体中对支撑晶圆执行热处理工艺；提供器件晶圆，将支撑晶圆和器件晶圆键合形成键合晶圆。本发明能够提高支撑晶圆的机械强度，抑制位错的产生，从而提高键合晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN118374875A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311079357.9
申请日：2023-08-25
摘要： 本发明属于半导体材料与半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种一维铋硫氯单晶及其制备方法、一种铋硫氯光电探测器及其制备方法。本发明沿着保护气体流动的方向，间隔设置硫粉和氯氧化铋粉体，所述硫粉位于所述氯氧化铋粉体的上游，在所述氯氧化铋粉体的上方设置衬底；加热所述硫粉和所述氯氧化铋粉体，在所述衬底的表面通过化学气相沉积得到一维铋硫氯单晶。本发明提供的制备方法原料易得，采用的化学气相沉积(CVD)的方法具有反应温度低的特点，同时能够大规模的合成BiSCl纳米线单晶，且畴长可调，结晶性好，可以很好地运用于一维纳米线的偏振光电探测器中。
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