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公开(公告)号：CN118746899A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410942536.9
申请日：2024-07-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G02F1/01 , C30B33/04 , C30B33/06 , C30B33/02 , C30B29/30 , G02F1/03 , G02F1/035 , G02F1/00 , G02F1/21 , G02B6/28 , G02B6/293 , G02B6/13
摘要： 本公开提供了一种高集成双层薄膜铌酸锂光子处理系统及其制备方法，该系统包括：衬底；两层二氧化硅层，分别设于衬底的相对两侧；两层薄膜铌酸锂层，分别朝着远离衬底的方向设于两层二氧化硅层上；其中，两层薄膜铌酸锂层中的其中一层薄膜铌酸锂层上至少集成有变频系统，用于实现变频作用；两层薄膜铌酸锂层中的另一层薄膜铌酸锂层上至少集成有滤波系统，用于实现滤波作用。该系统通过在同一块衬底两侧制备了双层铌酸锂薄膜，然后在上下两层薄膜铌酸锂上分别制备功能系统，实现了在同一衬底上铌酸锂薄膜的可利用面积翻倍，显著提高了系统集成度，有利于实现更大规模光子集成。
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公开(公告)号：CN118732155A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311422516.0
申请日：2023-10-31
申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种光子芯片间的光学输入/输出界面，包括多个光子芯片的结构及制造包括多个光子芯片的结构的方法。该结构包括第一芯片及第二芯片，第一芯片包括第一边缘及设置在第一边缘处的第一多个光耦合器，且第二芯片包括邻近第一芯片的第一边缘的第二边缘及第二多个光耦合器。第二多个光耦合器设置在邻近第一多个光耦合器的第二边缘处。
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公开(公告)号：CN118688902A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410822863.0
申请日：2024-06-24
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种平面分光无源光芯片的制备方法，包括制作旋转光束，并通过所述旋转光束对硅基螺旋切割改性，经氢氟酸溶液腐蚀以形成光纤阵列排；在所述硅基上沉积金属层；制作光学器件，并将所述光学器件连接至所述金属层；将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端。本申请实施例提供的制备方法通过引入旋转光束切割硅基技术，简化了硅基切割和改性的步骤，也提高了切割质量和切割效率，同时优化了金属层沉积和光学器件连接等工艺，从而降低了制备难度与制备成本，还提高了生产效率，使得光芯片的制备更加高效、经济。
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公开(公告)号：CN115390188B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211166371.8
申请日：2022-09-23
申请人： 河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种波长不敏感非均分Y分支光分路器及其设计方法，属于光纤到户光分配器件的技术领域，用以解决传统平面波导非均分光分路器WDL较大的技术问题。包括如下步骤：首先确定波导各组件的参数，然后构建不同宽度输出波导Ⅰ和输出波导Ⅱ的Y分支结构，利用三维光束传播法对不同Add进行扫描，确定不同分光比所对应的Add；利用三维光束传播法分别扫描EW1和EW2，计算波长相关损耗WDL；得到波长不敏感非均分Y分支结构。本发明通过控制输出波导Ⅰ和输出波导Ⅱ的宽度，实现光功率的非均分效果。通过优化过度波导与输出波导的横向相对位置，提高光场与输出波导中的匹配度和耦合效率，从而降低WDL。
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公开(公告)号：CN112241044B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202010692472.3
申请日：2020-07-17
申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
发明人： 汉斯-赫尔曼·奥珀曼 , 托尔加·特金 , 约格·斯托克梅耶 , 朱利安·弗勒利希
摘要： 本发明涉及至少具有第一结构元件和第二结构元件的组件，结构元件分别与基底牢固连接并且分别具有至少一个光波导，结构元件在基底上紧接着彼此设置并且其两个联接侧在联接平面的两侧彼此对置，不同结构元件的分别在联接侧处终止的至少两个光波导在端侧彼此光联接。为了使光波导联接，使基底在其朝向结构元件的表面上具有可光学识别的第一基底标记组和可光学识别的第二基底标记组，每个基底标记组分别具有至少一条彼此平行并且彼此隔开的直线，该线或其直延长部分别贯穿联接平面，第一和第二个结构元件分别具有第一和第二结构元件标记组，它们分别具有直的、可光学识别的线或标记，其平行于待联接光波导的纵向轴线并且定向在基底标记组的线上。
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公开(公告)号：CN113970808B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111371183.4
申请日：2021-11-18
申请人： 嘉兴微智光子科技有限公司
发明人： 王鹏
摘要： 本发明公开了一种用于光子芯片模场转换的多层耦合结构，耦合结构中的下层为锥形结构，上层为尺寸较大的光波导结构，在下层锥形结构中传输的光束逐渐转移至上层光波导结构中进行传输，实现了光子芯片与光纤之间的光束高效率传输，具有耦合损耗低、易于制备的优点。本发明还公开了基于化学机械抛光方法的结构制备方法，具有成本低廉、加工效率高、工艺简单以及成品率高等诸多优点。
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公开(公告)号：CN118471839A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410912156.0
申请日：2024-07-09
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 张燚
摘要： 本发明涉及一种具有光口保护的光电合封结构及其制造方法。光电合封结构的制造方法包括：对光芯片模块进行第一塑封，所述光芯片模块包括第一光芯片和第二光芯片；第一光芯片和第二光芯片的第一面分别包括第一光口和第二光口，第一光口和第二光口共用一条沟槽，第一光芯片和第二光芯片的第一面与第一塑封料的第一面共面；对第一塑封料的第二面进行减薄，并使光芯片模块的第二面露出；在第一塑封料内形成导电塑封通孔TMV并在第一塑封料和光芯片模块的第二面上形成重布线层RDL；将电芯片安装在重布线层RDL上并进行第二塑封；在光芯片模块和第一塑封料的第一面形成凸起；以及沿第一芯片和第二芯片的共用沟槽进行晶圆切割，得到单个封装模块。
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公开(公告)号：CN109870769B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910159951.6
申请日：2019-03-04
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。
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公开(公告)号：CN118393648A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410458410.4
申请日：2024-04-17
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明公开的基于铌酸锂和硫系玻璃材料的光栅耦合器包括光纤以及自下而上依次设置的衬底层、铌酸锂薄膜层和硫系玻璃波导层，光纤倾斜设置在硫系玻璃波导层的上方，硫系玻璃波导层包括条形波导和扇形波导，条形波导与扇形波导的窄端宽度相等且相连，扇形波导上刻蚀有周期性结构的布拉格光栅，其刻蚀深度与硫系玻璃波导层的厚度相等，布拉格光栅由多个同心且交替设置的圆弧形的光栅齿和空气槽组成，沿扇形波导的窄端到宽端方向，多个光栅齿的半径依次增大。该光栅耦合器的结构稳定性好，耦合效率高，在波长1550nm处，测量获得的耦合效率为‑30dB～‑28dB；该光栅耦合器的制备方法对制备工艺要求相对较低，有利于大规模生产和制备。
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公开(公告)号：CN113805273B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111096026.7
申请日：2021-09-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，包括在铌酸锂基片表面形成一层具有导电性能的导电薄膜；利用光刻工艺在所述导电薄膜的表面形成一第一钛条沉积窗口和光刻胶波导掩膜结构；对导电薄膜进行第一次腐蚀，在导电薄膜上对应于所述第一钛条沉积窗口的位置处形成第二钛条沉积窗口，所述第二钛条沉积窗口使得铌酸锂基片的表面显露于外；在铌酸锂基片显露于外的表面形成一层钛膜；将铌酸锂基片上的光刻胶波导掩膜结构剥离；对导电薄膜进行第二次腐蚀，得到具有钛条扩散源的铌酸锂基片；将得到的铌酸锂基片在预设的扩散温度及扩散时间下进行钛扩散，完成铌酸锂光波导的制备，光波导的成品质量成品率高。
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