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公开(公告)号：CN113196391B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202080006641.1
申请日：2020-03-19
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开总体上涉及一种采用磁记录头的磁介质驱动器。所述磁记录头包括第一写磁头、第二写磁头、至少一个读磁头以及温度悬浮量控制元件。所述第一写磁头是包括第一主极和第一后屏蔽件的宽写写磁头。所述第二写磁头是包括第二主极、后间隙、第二后屏蔽件和一个或多个侧屏蔽件的窄写写磁头。相比于所述第二主极，所述第一主极具有较短高度和较大宽度。所述第二主极具有安置成邻近于所述后间隙的弯曲或U形表面。所述温度悬浮量控制元件和所述至少一个读磁头与所述第二写磁头的所述第二主极的中心轴线对齐。
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公开(公告)号：CN115938399A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310032318.7
申请日：2020-03-18
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本申请题为“具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头”。微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。
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公开(公告)号：CN115910115A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210065035.8
申请日：2022-01-18
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
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公开(公告)号：CN114121044A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110213952.1
申请日：2021-02-26
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN113808625A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110273425.X
申请日：2021-03-15
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明的名称为具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器。本公开大体上涉及一种具有磁性隧道结(MTJ)的二维磁记录(TDMR)读头。上部读取器和下部读取器两者具有在两个屏蔽件之间的双自由层(DFL)MTJ结构。合成反铁磁(SAF)软偏置结构界定所述MTJ，且后硬偏置(RHB)结构安置在所述MTJ后方。所述DFL MTJ减小所述上部和下部读取器之间的距离，且因此改进面密度能力(ADC)。此外，所述SAF软偏置结构和所述后头偏置结构使所述双自由层MTJ在面向介质的表面(MFS)处具有剪刀状态磁矩。
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公开(公告)号：CN113763994A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110210749.9
申请日：2021-02-25
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。
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公开(公告)号：CN110910908B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910187027.9
申请日：2019-03-13
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： G11B5/11
摘要： 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
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公开(公告)号：CN112466340A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010168901.7
申请日：2020-03-12
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN111291577A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010133725.3
申请日：2020-02-29
申请人： 苏州星火磁电技术有限公司
摘要： 本发明提供一种高矫顽力磁卡写磁头，包括磁头单元，所述磁头单元包括第一磁头骨架、第二磁头骨架、第一磁头芯片、第二磁头芯片、第一磁头线圈和第二磁头线圈。本发明相较于现有技术，借助于写磁头可以延伸扩展的高度方向空间，设计了沿高度方向平行设置的双线圈的结构，解决了绕线空间小的问题，在绕制圈数相同情况下，可以采用更粗的线材，写磁头直流电阻较传统写磁头降低，大大提升了写磁头的写效率。双线圈可以根据需求采用并联或者串联多种连接方法，在采用并联连接时，电阻更低电感更小，写的效率更高，有利提高高频写性能，写卡速度得到提升，写卡准确率能提升到99.5％以上。
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公开(公告)号：CN110910908A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910187027.9
申请日：2019-03-13
申请人： 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： G11B5/11
摘要： 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
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