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    一种润湿响应的光学信息加密薄层及其制备方法
    1.
    发明公开
    一种润湿响应的光学信息加密薄层及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN113782061A

    公开(公告)日：2021-12-10

    申请号：CN202110835191.3

    申请日：2021-07-23

    申请人： 深圳大学

    发明人： 王元丰 ,  黄枫婷 ,  陈仕国

    IPC分类号： G11B7/241 ,  G11B7/242 ,  G11B7/26

    摘要： 本发明提供了一种润湿响应的光学信息加密薄层及其制备方法，所述方法包括：制备蛋白石结构模板，其中，蛋白石结构模板上具有多处空隙；将前驱液填充至所述蛋白石结构模板的空隙；将填充前驱液后的蛋白石结构模板进行煅烧处理，得到反蛋白石结构薄层；将有机疏水剂添加至所述反蛋白石结构薄层进行涂覆处理，得到疏水反蛋白石结构薄层。IOS‑T/H薄层制备简单且成本较低，信息编译快捷，信息编译快捷，使用可控的紫外照射，在薄层上形成有图案的亲水/疏水梯度差异，显示信息过程的变色响应条件简单，对设备要求较低，达到成本更低的效果。

    GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘
    2.
    发明公开
    GO掺杂PQ-PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘 审中-实审

    公开(公告)号：CN112885417A

    公开(公告)日：2021-06-01

    申请号：CN202110085034.5

    申请日：2021-01-21

    申请人： 福建师范大学

    发明人： 谭小地 ,  陈宇昕 ,  吴天敏

    IPC分类号： G16C60/00 ,  G11B7/241

    摘要： 本发明公开一种GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘，所述GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料，其各组分原料的重量比为：MMA：100wt％，AIBN：0.7‑1wt％，PQ：1‑1.3wt％，GO：0.0005‑0.002wt％；其制备成本较低，具备良好的偏振选择性和偏振敏感度，且所制备材料厚度精准可控但光致收缩却可忽略不计；该新型光致聚合物材料具有优异衍射效率和折射率调制度，适合作为全息成像及数据存储领域应用中所需的核心记录材料，可显著提升信息存储容量，在同轴偏光全息信息存储中具有广阔的应用前景。此外，该材料良好的光学特性使其在传统体全息记录领域也颇具应用潜力。

    一种基于配位聚合物的光控荧光开关及其制备方法和用途
    3.
    发明公开
    一种基于配位聚合物的光控荧光开关及其制备方法和用途 失效

    公开(公告)号：CN107880276A

    公开(公告)日：2018-04-06

    申请号：CN201711248393.8

    申请日：2017-12-01

    申请人： 淮北师范大学

    发明人： 刘东 ,  陈敬敏 ,  葛宇 ,  候艺璇 ,  周乾坤 ,  王琳

    IPC分类号： C08G83/00 ,  C09K11/06 ,  G11B7/241

    摘要： 本发明公开了一种基于配位聚合物的光控荧光开关及其制备方法和用途，其中光控荧光开关为配位聚合物1——[锌(1,4-苯二乙酸基)(4,4'-双(4-吡啶基)-反-芪)]n或配位聚合物2——[锌(1,4-苯二乙酸基)(1,2,3,4-四(4-苯基-4'-吡啶基)环丁烷)0.5]n。本发明配位聚合物中的4,4'-双(4-吡啶基)-反-芪分子和1,2,3,4-四(4-苯基-4'-吡啶基)环丁烷分子可以在不同波长光的辐射下自由切换，且配位聚合物在转变前后荧光发射强度有显著差异。因此，该配位聚合物是一个典型的光控荧光开关，能够作为可重复擦写的光学记录材料在光信息存储领域进行应用。

    3d-4f异核金属磁性配合物及其制备方法与应用
    4.
    发明公开
    3d-4f异核金属磁性配合物及其制备方法与应用 失效

    公开(公告)号：CN104098612A

    公开(公告)日：2014-10-15

    申请号：CN201410308342.X

    申请日：2014-07-01

    申请人： 天津师范大学

    发明人： 赵小军 ,  杨恩翠 ,  李言 ,  余佳纹

    IPC分类号： C07F19/00 ,  G11B5/62 ,  G11B7/241

    摘要： 本发明涉及具有慢弛豫行为的3d-4f异核金属磁性配合物及其制备方法与应用。本发明所述配合物的化学通式为[DyM(H2O)(phen)(L)5],其中M为过渡金属离子Ni(II)、Fe(II)或者Cu(II)；phen是邻菲罗啉；L是间甲基苯甲酸一价阴离子。配合物采用溶剂热方法制备，产率较高、重现性好。磁性测试结果表明，该配合物的交流磁化率在低温区呈现明显的频率依赖现象，即慢弛豫的磁行为。因而可以作为分子基磁性材料在高密度信息储存设备等方面具有巨大的应用价值。

    紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法
    5.
    发明公开
    紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法 无效

    公开(公告)号：CN103778922A

    公开(公告)日：2014-05-07

    申请号：CN201410036565.5

    申请日：2014-01-25

    申请人： 北京工业大学

    发明人： 刘富荣 ,  白楠 ,  韩欣欣 ,  赵建军 ,  陈继民

    IPC分类号： G11B7/241 ,  G11B7/26 ,  G11B7/127

    摘要： 紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法涉及相变光盘存储的技术。相变光盘存储密度取决于诱导相变的激光波长，波长越短，存储密度越大，但是当激光波长越短时，信噪比越低，读取信息质量越差。本发明采用248nm的准分子激光器诱导相变材料发生可逆相变，并且达到满足要求的信噪比。该相变材料是Ge、Sb、Te、Sn组成的四元组分存储材料。其化学通式为SnxGe20-xSb20Te50，该相变材料作为相变光盘的存储介质，可以在激光诱导下实现存储、擦除和读写数据。该发明得到的反射率对比度在15%以上、并且具有更短的结晶时间的方法。实现了紫外激光诱导相变光盘大密度存储。预测将是现有的蓝光DVD存储密度的800倍。

    铕、锰共掺杂七铝酸十二钙电子俘获材料及其制备方法
    6.
    发明授权
    铕、锰共掺杂七铝酸十二钙电子俘获材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN101831291B

    公开(公告)日：2013-05-01

    申请号：CN201010156254.4

    申请日：2010-04-27

    申请人： 东北师范大学

    发明人： 刘玉学 ,  闫小磊 ,  祝汉成 ,  刘春光 ,  徐长山 ,  刘益春 ,  钟殿强 ,  夏彬

    IPC分类号： C09K11/64 ,  G11B7/241

    摘要： 本发明属于材料技术领域，具体涉及适用于可擦除的电子俘获光存储材料即铕、锰共掺杂七铝酸十二钙粉体及其制备方法。本发明采用化学共沉淀法制备铕、锰共掺杂七铝酸十二钙凝胶前驱体，按照化学剂量比称取高纯Ca(NO3)2·4H2O、Al(NO3)3·9H2O、Eu2O3、MnCl2·4H2O原料，溶于去离子水中，滴加硝酸，搅拌配成溶液；然后加入适量沉淀剂NH3·H2O，得到凝胶前驱体，进行烘干去水；最后经高温烧结得到铕、锰共掺杂七铝酸十二钙粉体。特殊笼腔结构的七铝酸十二钙可以成为铕、锰掺杂的合适基质材料，并且其具有良好的化学稳定性，读出响应时间快，优良的可擦除性等优点，很可能成为新一代光存储材料。

    磁头衬底材料及其制备方法
    8.
    发明授权
    磁头衬底材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102054497B

    公开(公告)日：2013-01-02

    申请号：CN200910198398.3

    申请日：2009-11-06

    申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

    发明人： 王连军 ,  刘磊峰 ,  张建峰 ,  江莞 ,  陈立东

    IPC分类号： G11B7/241

    摘要： 本发明涉及一种磁头衬底材料及其制备方法，其特征在于采用Al2O3、TiC和Ti3SiC2为起始原料，首先通过滚筒球磨的方式进行混料，然后在高温高压的条件下将粉体烧结，从而获得致密Al2O3/TiC/Ti3SiC2新型磁头衬底材料。该材料的突出特点是组成包括Al2O3、TiC和Ti3SiC2三种组分，其中基体Al2O3晶粒尺寸为200-400nm，TiC的晶粒尺寸为1～2um，Ti3SiC2晶粒尺寸在2～5um。材料的抗弯强度在600～900MPa，显微硬度在12～19GPa。该磁头衬底材料具有制备周期短、能耗低、可加工性好，优秀的传热性能等特性，具有良好的产业化前景。

    一种复合相变材料靶材及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种复合相变材料靶材及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101660119B

    公开(公告)日：2012-05-30

    申请号：CN200910196759.0

    申请日：2009-09-29

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 宋志棠 ,  陈邦明 ,  宋三年

    IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56 ,  G11B7/241

    摘要： 本发明公开了一种复合相变材料靶材及其制备方法。该复合相变材料靶材由相变材料与另一种材料复合而成，制备时，首先将其中熔点较高的材料制备成圆柱状作为基体，采用刻蚀工艺在此基体上制备出大小形状相同且分布均匀的圆柱状小孔，然后将熔点较低的材料填充在小孔中，通过真空热压烧结工艺使两种材料结合在一起，最后采用机械抛光的方式处理表面，得到光滑、均匀致密的复合相变材料靶材。采用该方法制备的复合相变材料靶材中各成份分布均匀，组份可以根据小孔的大小和密度调解，解决了复合材料靶材各成份分布不均匀的问题；采用该靶材制备薄膜材料有利于实现两种不同材料的均匀复合，避免了多靶共溅射工艺的复杂性和不稳定性。