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公开(公告)号：CN115315773A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022650.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01J1/312
Abstract: 本公开提供一种电子发射元件(10)，其特征在于，所述电子发射元件具备将第一电极(1)、由绝缘膜构成的电子加速层(6)、第二电极(3)以及被覆膜(7)依次层叠而成的层叠结构，上述第二电极为供电子透过并从表面发射电子的电极，上述被覆膜为供电子透过的膜，并且是材质与上述第二电极不同的保护膜，构成电子发射面(5)。
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公开(公告)号：CN110622275A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032479.3
申请日：2018-05-15
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 电子发射元件(100)具有：第1电极(12)、第2电极(52)、以及设置在第1电极(12)与第2电极(52)之间的半导电层(30)。半导电层(30)具有：多孔氧化铝层(32)，其具有多个细孔(34)；以及银(42)，其担载在多孔氧化铝层(32)的多个细孔(34)内。
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公开(公告)号：CN102074430B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010578753.2
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01J1/312
Abstract: 本发明公开了一种声子助电子发射阴极和声子助电子发射器件，属于电子科学技术领域。所述声子助电子发射阴极包括电子发射体和电极对，所述电子发射体中的声子的湮灭时间比产生时间长，施加电场后，电子声子相互作用能够产生非平衡声子；电子发射体中的电子被电场加速后受到声子的散射，散射时，电子能够吸收声子；散射后，电子能够保持运动方向不变。所述声子助电子发射器件包括所述声子助电子发射阴极，支撑物，和阳极。本发明可广泛用于显示器、电子源、光源等涉及电子发射的各种电子设备。
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公开(公告)号：CN102656660A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200980162893.7
申请日：2009-12-17
Applicant: 日本先锋公司 , 日本先锋微电子技术公司
Inventor： 吉成正树
CPC classification number: H01J29/04 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2329/4604 , H01J2329/4669
Abstract: 本发明的技术问题是提供一种即使设置聚焦电极层、栅电极层以及聚焦电极层也不会借助碳层而导通的面发射型电子发射元件以及具有该电子发射元件的摄像装置。作为解决上述技术问题的手段，电子发射元件具有：从面发射部发射电子的电子发射层；聚焦电极层，其隔着第1绝缘体层成膜在电子发射层的表面，使发射出的电子聚焦；栅电极层，其隔着第2绝缘体层，成膜在聚焦电极层的表面；发射凹部，其贯通栅电极层、第2绝缘体层、聚焦电极层以及所述第1绝缘体层，在面发射部的表面开口成凹状；碳层，其成膜在从栅电极层的表面到发射凹部的内周面的范围内；以及部分绝缘部，其使聚焦电极层与碳层绝缘。
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公开(公告)号：CN1732551B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200380107724.6
申请日：2003-12-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J31/123
Abstract: 场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括下部电极(12)、由形成在下部电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894719A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910204470.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01J1/30 , H01J1/312 , H01J63/02 , H01J29/04 , H01J63/06 , G02F1/13357 , G02F1/133 , H01J31/12 , G03G15/00 , H01J9/02
CPC classification number: G03G15/02 , B82Y10/00 , G02F2001/133625 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J63/06 , H01J2201/3125 , H01J2329/0484
Abstract: 提供一种电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法。本发明的电子发射元件中，设在电极基板和薄膜电极之间的电子加速层有含有绝缘性微粒的微粒层构成，该微粒层中含有碱性分散剂。从而，可以提供一种没有绝缘体层内的绝缘破坏的问题且可以廉价地制造的电子发射元件。
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公开(公告)号：CN101055824B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710097045.5
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L28/65 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
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公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN101055824A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710097045.5
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L28/65 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
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