公开(公告)号：CN115298950A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180020869.0

申请日：2021-03-23

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 小牧一树 ,  高山了一 ,  水原健介

IPC分类号： H02N2/04 ,  H01L41/047 ,  B81B3/00 ,  H01L41/09 ,  H01L41/253 ,  G02B26/08

摘要： 致动器(100)具备：第一驱动体(110)，具备沿与极化轴交叉的第一轴方向延伸的第一压电体(113)；第二驱动体(120)，具备在第一轴方向上比第一压电体(113)短的第二压电体(123)；基体(130)，在第一轴方向的基端部对第一驱动体(110)以及第二驱动体(120)进行保持，第一驱动体(110)以及第二驱动体(120)在第一压电体(113)的极化轴和第二压电体(123)的极化轴大概一致的状态下沿极化轴方向排列地连结，第二压电体(123)与第一压电体(113)相比，与极化轴以及第一轴正交的第二轴方向的长度和极化轴方向的长度中的至少一方相同或更长。

公开(公告)号：CN115132915A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210759560.X

申请日：2022-06-30

申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所

发明人： 孟德超 ,  陈余 ,  孙翔宇 ,  张光辉 ,  周泉丰

IPC分类号： H01L41/257 ,  H01L41/253

摘要： 本发明公开了一种基于电离辐照提升压电材料性能的方法，射线辐照使压电材料电离，以提高压电材料的铁电性能，在辐照之前先对压电材料进行高真空镀膜，能够进一步提高压电材料的铁电性能。本发明通过特定剂量的辐照对压电材料进行处理，实现大规模或者超大规模的批量化提升性能且提升可控，相比传统的性能提升方法，无需更改压电材料的制备工艺，采用特定剂量辐照器件，节约了改进设备、产线、工艺的成本，利于大规模推广。

公开(公告)号：CN110164981B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201810470723.6

申请日：2018-05-16

申请人： 北京纳米能源与系统研究所

发明人： 李舟 ,  赵璐明 ,  李虎 ,  孟建平 ,  王华英 ,  封红青 ,  张潇

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L41/253

摘要： 本公开提供了一种调节肖特基器件的肖特基势垒的方法，包括：将所述肖特基器件与摩擦纳米发电机连接；以及在所述摩擦纳米发电机上施加外力作用，使摩擦纳米发电机产生脉冲电压，以调节所述肖特基器件的肖特基势垒。本公开调节肖特基器件的肖特基势垒的方法，操作简单，成本低，安全性高，易于实现，可更精确、方便的调节肖特基势垒，从而改变肖特基器件的电性能。

公开(公告)号：CN111799364B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010602379.9

申请日：2020-06-29

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  孙嘉良 ,  游天桂 ,  林家杰

IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/22

摘要： 本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，包括以下步骤：获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理。该方法基于离子注入进行晶圆黑化，能够在不影响材料压电性能的情况下，获得高质量黑化晶圆。该方法利用离子注入技术，将Fe2+等还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆，Fe2+等的注入会占据晶格中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使晶圆内的载流子浓度提升，进而提高晶圆的电导率，降低电阻率，随后对晶圆进行退火修复，能够有效降低晶体的热释电效应。

公开(公告)号：CN113810018A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111003699.3

申请日：2021-08-30

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 董树荣 ,  轩伟鹏 ,  刘刚 ,  金浩 ,  骆季奎 ,  刘舒婷

IPC分类号： H03H9/17 ,  H01L41/253 ,  H01L41/312 ,  H03H3/02

摘要： 本发明公开一种激光剥离方式制备单晶薄膜体声波谐振器的方法，该方法通过离子注入的方式，仅对单晶压电薄膜生长衬底进行处理或者对已经沉积单晶压电薄膜层后的单晶压电薄膜生长衬底进行处理，从而使单晶压电薄膜生长衬底表面形成缺陷层，然后再通过退火工艺，使所述缺陷层表面形成衬底修复层；最后在器件制备过程中，通过激光辐照，使所述缺陷层分解，从而实现衬底与器件的分离。本发明的方法可以解决单晶FBAR制备过程中衬底机械减薄带来的单晶薄膜损伤而严重影响器件性能的问题，且能够回收利用衬底，降低制备成本。

公开(公告)号：CN113782667A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111080675.8

申请日：2021-09-15

申请人： 湘潭大学

发明人： 侯鹏飞 ,  张一鸣 ,  欧阳晓平

IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/257 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了一种基于衬底和辐照调控二维材料压电性能的方法，步骤为：将二维材料制备或者转移到不同类型衬底上，利用二维材料与衬底界面的夹持效应调控其压电性能；将二维材料暴露在离子辐照源下，基于离子辐照技术进一步调控二维材料纳米片的压电性能。本发明利用衬底和辐照调控二维材料压电性能，通过获得不同衬底上二维材料厚度、施加电压与振幅的关系，有效获得二维材料的压电常数。利用衬底和辐照调控二维材料压电性能，促进二维材料应用于薄机电耦合器件领域中，并根据实际需要调控压电性能。

公开(公告)号：CN111883646B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202010645103.9

申请日：2020-07-07

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  鄢有泉

IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/08

摘要： 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN111883647B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202010717300.7

申请日：2020-07-23

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  陈阳 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  鄢有泉 ,  李忠旭 ,  黄浩

IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/04 ,  H01L41/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64

摘要： 本发明公开了压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器，该方法包括：对压电晶圆进行离子注入剥离，得到表面具有离子注入损伤层的初始压电薄膜；在预设温度范围内，通过氟离子对初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层，得到辐照后的压电薄膜；辐照后的压电薄膜的表面具有非晶层，所述非晶层包含所述氟离子与初始压电薄膜在离子辐照过程中进行化学反应得到的成分；使用预设混合溶液去除辐照后的压电薄膜表面的非晶层，得到压电薄膜。本发明能够降低薄膜表面粗糙度和提高薄膜厚度均匀性，同时不在薄膜表面留下非晶层。

公开(公告)号：CN107085465B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201611242914.4

申请日：2016-12-28

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 金泰宪 ,  咸龙洙 ,  李用雨 ,  高有善 ,  林明真 ,  崔胜吉

IPC分类号： G06F3/01 ,  G06F3/041 ,  G02F1/133 ,  H01L27/32 ,  H01L41/22 ,  H01L41/113 ,  H01L41/253 ,  H01L41/193

摘要： 提供了一种触敏装置和包括其的显示装置。该触敏装置包括：由铁电聚合物形成的第一电活性层；设置在第一电活性层的至少一个表面上的多个电极；以及与多个电极和第一电活性层接触并且由电活性聚合物形成的第二电活性层。在由具有低透射率的铁电聚合物形成的第一电活性层上形成具有低折射率并且由电活性聚合物形成的涂层，因此，可以同时改善触敏装置的振动水平和透射率。

公开(公告)号：CN110581212A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910891629.2

申请日：2019-09-20

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 李真宇 ,  胡文 ,  张秀全 ,  罗具廷 ,  杨超

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/253 ,  H01L41/257

摘要： 本发明公开了一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法，单晶单畴压电薄膜依次包括单晶薄膜层、二氧化硅层、介质层和单晶硅层；其中单晶薄膜层的材料为单晶铌酸锂或单晶钽酸锂；介质层为单晶硅的损伤层、非晶硅或多晶硅；本发明的单晶单畴压电薄膜的压电系数为体材料的98%~100%，而采用现有技术的压电系数为体材料的10~90%，单畴单晶薄膜在使用时压电性能稳定，机电耦合系数不会下降，器件带宽宽、损耗低，一致性好；本发明的制备方法成本低、能耗低、效率高，适用于工业生产，成品率高；所得薄膜中数十纳米的二氧化硅层都可以达到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均匀性好的效果，因而所得器件具有较好的一致性。