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公开(公告)号：CN110572135B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910876649.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：1)制备极低声阻部件；2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下设置极低声阻部件，增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差，可有效激发高声速弹性波(如S0波)，在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中，从而在提高声表面波谐振器频率的同时，使其保持较高的Q值；避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。
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公开(公告)号：CN111834519B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010603630.3
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/257 , H01L41/332 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，属于半导体制造技术领域。本发明的提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，根据支撑衬底上的单晶压电薄膜的厚度分布进行极化处理，在第一厚度区形成第一极化面，在厚度比该第一厚度区薄的第二厚度区形成第二极化面，第一极化面与第二极化面的极性相反，利用压电单晶材料的各向异性特性，在相同的腐蚀液下，对厚度较厚区域的极化得到的第一极化面实现较快的腐蚀速率，对厚度较薄区域极化得到的第二极化面实现较慢的腐蚀速率，从而实现单晶压电薄膜不同极化面的差异化腐蚀。相对于现有技术，本发明可以实现对单晶压电薄膜厚度均匀性的优化，大大提高了单晶压电薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN111883647B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010717300.7
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/04 , H01L41/08 , H03H9/02 , H03H9/64
Abstract: 本发明公开了压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器，该方法包括：对压电晶圆进行离子注入剥离，得到表面具有离子注入损伤层的初始压电薄膜；在预设温度范围内，通过氟离子对初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层，得到辐照后的压电薄膜；辐照后的压电薄膜的表面具有非晶层，所述非晶层包含所述氟离子与初始压电薄膜在离子辐照过程中进行化学反应得到的成分；使用预设混合溶液去除辐照后的压电薄膜表面的非晶层，得到压电薄膜。本发明能够降低薄膜表面粗糙度和提高薄膜厚度均匀性，同时不在薄膜表面留下非晶层。
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公开(公告)号：CN111834473A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010604444.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法，包括设于绝缘体衬底上的铌酸锂薄膜、单晶硅层和电极，所述绝缘体衬底包括支撑衬底层和光绝缘层，所述支撑衬底层设于所述光绝缘层的一侧，所述铌酸锂薄膜设于所述光绝缘层的另一侧，所述铌酸锂薄膜的另一侧设有所述单晶硅层，在所述单晶硅层上设有所述电极。相对于现有技术，本发明提出的基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法，由于硅为单晶硅，材料中的缺陷极少，大大提高了光生载流子的收集效率，所制备的器件具有高响应率，低电容，低暗电流和高灵敏度的优点，同时离子束剥离制备的单晶硅层厚度均匀性极好，器件性能稳定，具有极大应用前景。
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公开(公告)号：CN111740008A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010553378.X
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/332 , H01L41/337
Abstract: 本发明涉及一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法，包括：采用离子溅射的方法进行薄膜减薄，离子减薄后采用化学机械抛光工艺降低薄膜粗糙度。本发明的方法成功改善了薄膜厚度均匀性，且没有在薄膜表面额外引入缺陷层，在提高晶圆内不同区域间的器件性能一致性的同时不引起器件性能恶化，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111865250B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010661703.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的重掺杂SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
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公开(公告)号：CN111751927B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010717348.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明涉及半导体领域和光电集成领域，具体是一种可调光栅耦合器，包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层；所述波导层的材料为电光材料，所述波导层的一端形成有耦合光栅；所述耦合光栅两侧均设置有多个电极，所述耦合光栅一侧的电极与另一侧的电极一一对应设置，形成多个电极对；每个所述电极对的两个电极之间的电压能够单独进行调节，通过调节所述电极对的两个电极之间的电压能够调节所述电极对之间的耦合光栅的耦合系数，从而调节所述耦合光栅的衍射光场的模场分布，以使得所述衍射光场的模场分布与耦合光纤的模场分布相匹配。本发明可以根据耦合光纤的尺寸动态调节耦合光栅衍射光场的模场分布，提高光栅耦合器的耦合效率。
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公开(公告)号：CN109904065B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910129433.X
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，具有离子注入面；自离子注入面进行离子注入，以形成缺陷层；提供第二衬底，具有键合面，将键合面与离子注入面进行键合，得到初始键合结构；基于局部加热的方式对初始键合结构进行加热处理，以沿缺陷层剥离部分第一衬底，以在第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括第二衬底及衬底薄膜的异质结构。本发明基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。
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公开(公告)号：CN111383915B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811619162.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底及第二衬底，第一衬底具有第一键合面，第二衬底具有第二键合面，将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理；在退火处理温度下进行退火处理；进行冷却处理，以降温至第一温度，第一温度低于键合温度；调整上步得到结构的温度至室温，以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法，在进行退火处理加固之后，对加固后的结构进行冷却处理，冷却至键合温度以下，从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力，降低了异质键合结构内部的残余热应力，从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲。
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公开(公告)号：CN111883649A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010719062.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/312 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L41/08 , H01L41/083
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域，特别涉及一种异质衬底上的薄膜结构及其制备方法，包括：提供键合体，键合体包括异质衬底层和键合于异质衬底层上的薄膜材料基板层，薄膜材料基板层中具有缺陷层；获取预设剥离应力，所述预设剥离应力为在第一退火温度时所述薄膜材料基板层中所述缺陷层处的第一最大热应力；在第一退火温度条件下，对键合体进行退火处理，使薄膜材料基板层以预设剥离应力沿缺陷层开始剥离；在剥离过程中，通过调整退火温度控制薄膜材料基板层以预设剥离应力沿缺陷层剥离，至得到异质衬底上的薄膜结构。本发明能够有效降低热应力差异对薄膜剥离厚度的影响，提高异质衬底上薄膜结构的厚度均一性。
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