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    Semiconductor device
    12.
    发明公开
    Semiconductor device 失效
    半导体器件

    公开(公告)号：EP0364987A3

    公开(公告)日：1991-09-25

    申请号：EP89119349.2

    申请日：1989-10-18

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Tanoue, Tomonori ,  Mizuta, Hiroshi ,  Takahashi, Susumu

    IPC分类号： G11C11/56 ,  G06G7/60 ,  G06E3/00 ,  G02F3/02

    摘要： A semiconductor device is disclosed, which includes a multiple negative differential resistance element (1) having negative differential resistance characteristics at at least two places in the current-­voltage characteristics, and which is suitable for constructing a neural network having a high density integration and a high reliability.

    摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括在电流 - 电压特性中的至少两个位置处具有负差分电阻特性的多负差分电阻元件（1），并且该半导体器件适用于构建具有高密度集成的神经网络和 高可靠性。

    Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
    14.
    发明公开
    Semiconductor memory device and manufacturing method thereof 有权
    Halbleiter-Speicher-Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

    公开(公告)号：EP0908954A2

    公开(公告)日：1999-04-14

    申请号：EP98118164.7

    申请日：1998-09-24

    申请人： Hitachi, Ltd.

    发明人： Sunami, Hideo ,  Itoh, Kiyoo ,  Shimada, Toshikazu ,  Nakazato, Kazuo ,  Mizuta, Hiroshi

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/108

    摘要： A high speed/large capacity DRAM (Dynamic Random Access Memory) is generally refreshed each 0.1 sec because it loses information stored therein due to a leakage current. The DRAM also loses information stored therein upon cutoff of a power source. Meanwhile, a nonvolatile ROM (Read-only Memory) cannot be configured as a high speed/large capacity memory.
    A semiconductor memory device of the present invention realizes nonvolatile characteristic by shielding a drain functioning as a memory node from a leakage current by a tunnel insulator, and also realizes stable and high speed operation by adding a transistor for reading to a memory cell.

    摘要翻译： 通常由于漏电流而丢失存储在其中的信息，所以每0.1秒钟通常刷新高速/大容量DRAM（动态随机存取存储器）。 当断电时，DRAM也会丢失其中存储的信息。 同时，非易失性ROM（只读存储器）不能被配置为高速/大容量存储器。 本发明的半导体存储器件通过将通过隧道绝缘体的泄漏电流屏蔽用作存储节点的漏极实现非易失性特性，并且通过将用于读取的晶体管添加到存储单元来实现稳定和高速操作。

    Semiconductor device
    15.
    发明公开
    Semiconductor device 失效
    Halbleitervorrichtung。

    公开(公告)号：EP0364987A2

    公开(公告)日：1990-04-25

    申请号：EP89119349.2

    申请日：1989-10-18

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Tanoue, Tomonori ,  Mizuta, Hiroshi ,  Takahashi, Susumu

    IPC分类号： G11C11/56 ,  G06G7/60 ,  G06E3/00 ,  G02F3/02

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G02F3/028 ,  G06N3/0635 ,  G06N3/0675 ,  G11C11/56 ,  G11C13/04 ,  G11C2211/5614

    摘要： A semiconductor device is disclosed, which includes a multiple negative differential resistance element (1) having negative differential resistance characteristics at at least two places in the current-­voltage characteristics, and which is suitable for constructing a neural network having a high density integration and a high reliability.

    摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括在电流 - 电压特性中的至少两个位置处具有负的差分电阻特性的多个负的差分电阻元件（1），并且适用于构建具有高密度积分的神经网络和 高可靠性。