公开(公告)号：EP3245665A1

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：EP16700464.7

申请日：2016-01-13

申请人： Siltectra GmbH

发明人： RICHTER, Jan

IPC分类号： H01L21/02 ,  B28D5/00

CPC分类号： B23K26/0057 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2203/52 ,  B23K2203/56 ,  B28D1/221 ,  H01L21/02002

摘要： The invention relates to a method for cutting off at least one portion (4), in particular a wafer, from a solid body (2). The method comprises at least the following steps: modifying the crystal lattice of the solid body (2) by means of a modifier (18), wherein a number of modifications (19) are produced to form a nonplanar, in particular convex, detachment region (8) in the interior of the solid body, wherein the modifications (19) are produced in accordance with predetermined parameters, wherein the predetermined parameters describe a relationship between a deformation of the portion (4) and a defined further treatment of the portion (4), detaching the portion (4) from the solid body (2).

公开(公告)号：EP3223994A2

公开(公告)日：2017-10-04

申请号：EP15804372.9

申请日：2015-11-27

申请人： Siltectra GmbH

发明人： BEYER, Christian ,  RICHTER, Jan

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/402

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/38 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01L21/78 ,  H01S5/0201

摘要： The invention relates to a method for creating a detachment area (2) in a solid (1), in particular for detaching the solid (1) along the separating region (2). Said solid portion (12) that is to be detached is thinner than the solid body (1) from which the solid portion (12) has been removed. According to the invention, said method preferably comprises at least the following steps: the crystal lattice of the solid (1) is modified by means of a modifying agent, in particular by means of at least one laser, in particular a pico- or femtosecond laser. The modifications, in particular the laser beams penetrate into the solid (1) via a surface (5) of the solid portion (12) which is to be detached, several modifications (9) are created in the crystal lattice, said crystal lattice penetrates, following said modifications (9), in the areas surrounding the modifications (9), at least in one particular part.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在固体（1）中形成分离区域（2）的方法，特别是用于沿着分离区域（2）分离固体（1）。 所述待拆卸的固体部分（12）比已经去除固体部分（12）的固体（1）更薄。 根据本发明，所述方法优选地至少包括以下步骤：通过改性剂改变固体（1）的晶格，特别是借助于至少一个激光器，特别是微微或飞秒 激光。 特别是激光束的改进，特别是激光束通过要被分离的实心部分（12）的表面（5）渗透到固体（1）中，在晶格中产生若干修改（9），所述晶格穿透 ，在所述修改（9）之后，在修改（9）周围的区域中，至少在一个特定部分中。

公开(公告)号：EP3055448A1

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：EP14781551.8

申请日：2014-10-08

申请人： Siltectra GmbH

发明人： DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan

IPC分类号： C30B33/06 ,  B23K26/00 ,  B28D1/22 ,  H01L21/762

摘要： The invention relates to a method for producing solid-body layers. The production method comprises at least the following steps: providing a solid body (2) for splitting off a plurality of solid-body layers (4), introducing or producing defects in the solid body (2) in order to specify a first detachment plane (8), along which a first solid-body layer (4) is removed from the solid body (2), arranging a receiving layer (10) for retaining the solid-body layer (4) on the solid body (2), thermally loading the receiving layer (10) in order to produce, in particular mechanically, stresses in the solid body (2), wherein a crack propagates in the solid body (2) along the detachment plane (8) because of the stresses, which crack removes the first solid-body layer (4) from the solid body (2), then arranging a second receiving layer for retaining a further solid-body layer (5) on the solid body (2), which has been reduced by the first solid-body layer (4), introducing or producing defects in the solid body (2) in order to specify a second detachment plane (9), along which a second solid-body layer (5) is removed from the solid body (2), thermally loading the second receiving layer in order to produce, in particular mechanically, stresses in the solid body (2), wherein a crack propagates in the solid body (2) along the second detachment plane (9) because of the stresses, which crack removes the second solid-body layer (5) from the solid body (2).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产固体材料的层的方法。 的制造方法，至少包括以下步骤：提供一个固体本体（2）〜（4）中，引入或产生在所述固体本体的缺陷为了（2）被分裂成多个固体材料的层的确定性矿的第一分离 平面（8）沿该固体材料（4）的第一层由固体本体（2），用于保持固体材料的层提供容纳层（10）（4）分离的固体本体（2） 为了产生由于应力施加热到所述接收层（10），特别是机械，在固体本体（2），应力裂纹在固体主体（2）沿着所述分离面（8），它传播 从固体本体裂纹分离固体材料（4）的第一层（2），则（5）在固体本体（2）减少了固体材料的第一层，用于保持固体材料的另一层提供第二接收层 （4）引入或以确定第二detachmen产生在固体本体（2）缺陷 吨平面（9），沿着该固体材料（5）的第二层由固体本体（2）分离，以产生将热量施加到所述第二接收层，特别是机械，在实心主体的应力（2） 时，由于应力裂纹在固体主体（2）沿所述第二平面分离传播（9），其从固体裂纹分离固体材料（5）的第二层（2）。

公开(公告)号：EP4224513A1

公开(公告)日：2023-08-09

申请号：EP23167033.2

申请日：2016-01-13

申请人： Siltectra GmbH

发明人： RICHTER, Jan

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  B28D5/00

摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtanordnung, die einen Wafer und eine weitere Schicht aufweist, wobei die weitere Schicht derart ausgestaltet ist, dass sie den Wafer beim Erreichen einer Zieltemperatur derart mit Kräften beaufschlagt, dass der Wafer aus einer ersten unebenen Form in eine zweite Form, die von der ersten Form abweicht, verformt wird.

公开(公告)号：EP4166271A1

公开(公告)日：2023-04-19

申请号：EP22196084.2

申请日：2017-03-22

申请人： Siltectra GmbH

发明人： RIESKE, Ralf ,  SWOBODA, Marko ,  RICHTER, Jan

IPC分类号： B23K26/362 ,  B23K26/00 ,  B23K26/402 ,  C03B33/04 ,  C03B33/09 ,  B23K26/53 ,  B23K103/00

摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abtrennen von mindestens einer Festkörperschicht (14) von einem Festkörper (1), wobei durch die Modifikationen (2) ein Rissführungsbereich (4) zum Führen eines Risses zum Abtrennen eines Festkörperanteils (6), insbesondere einer Festkörperschicht, von dem Festkörper (1) vorgegeben wird. Bevorzugt umfasst die vorliegende Erfindung mindestens die Schritte: Bewegen des Festkörpers (1) relativ zu einer Laserbeaufschlagungseinrichtung (8), nacheinander Erzeugen von Laserstrahlen (10) mittels der Laserbeaufschlagungseinrichtung (8) zum Erzeugen von jeweils mindestens einer Modifikation (2), wobei die Laserbeaufschlagungseinrichtung (8) zur definierten Modifikationserzeugung in Abhängigkeit von zumindest einem Parameter, insbesondere der Transmission des Festkörpers an definierten Stellen und für eine definierte Festkörpertiefe, eingestellt wird, wobei durch die Einstellung der Laserbeaufschlagungseinrichtung (8) Inhomogenitäten des Festkörpers (1) im Bereich der beaufschlagten Oberfläche und/oder im Bereich des Beaufschlagten Volumens des Festkörpers (1) ausgeglichen werden, Abtrennen der Festkörperschicht (14) von dem Festkörper (1).

公开(公告)号：EP3245034B1

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：EP16700575.0

申请日：2016-01-13

申请人： Siltectra GmbH

发明人： RICHTER, Jan

IPC分类号： B28D5/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/304

公开(公告)号：EP3608048A1

公开(公告)日：2020-02-12

申请号：EP19201099.9

申请日：2014-10-08

申请人： Siltectra GmbH

发明人： DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan

IPC分类号： B23K26/00 ,  B28D5/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/268 ,  H01L31/18 ,  H01L21/78 ,  B23K101/40 ,  B23K103/00

摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperelementen, insbesondere Trägerelementen zum Aufnehmen von elektrisch leitfähigen Komponenten. Das Verfahren umfasst mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Festkörpers zum Abspalten mindestens einer Festkörperschicht, Erzeugen einer ersten Gruppe von Defekten mittels eines Lasers (18) zum Vorgeben einer ersten Ablöseebene, entlang der die Festkörperschicht vom Festkörper abgetrennt wird, Erzeugen einer zweiten Gruppe von Defekten mittels des Lasers zum Vorgeben von mindestens einer zweiten Ablöseebene (50), wobei die erste Ablöseebene und die zweite Ablöseebene zueinander orthogonal ausgerichtet sind, Ablösen der Festkörperschicht vom Festkörper entlang der ersten Ablöseebene infolge einer Erzeugung von Spannungen in dem Festkörper und Teilen der Festkörperschicht entlang der zweiten Ablöseebene (50) zum Vereinzeln der Festkörperelemente .

公开(公告)号：EP3597352A1

公开(公告)日：2020-01-22

申请号：EP19165685.9

申请日：2019-03-28

申请人： Siltectra GmbH

发明人： RICHTER, Jan ,  SWOBODA, Marko

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  B23K101/40 ,  B23K103/16 ,  B23K103/00

摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen von Mikrorissen im Inneren einer Kompositstruktur. Das Verfahren umfasst dabei bevorzugt mindestens die Schritte: Bereitstellen oder Erzeugen der Kompositstruktur, wobei die Kompositstruktur einen Festkörper und zumindest eine einerseits des Festkörpers angeordnete oder ausgebildete metallische Beschichtung und/oder elektrische Bauteile aufweist und andererseits eine ebene Oberfläche ausbildet, wobei der Festkörper (1) Siliziumcarbid aufweist oder daraus besteht, Erzeugen von Modifikationen im Inneren des Festkörpers, wobei Laserstrahlung über die ebene Oberfläche in den Festkörper eingebracht wird, wobei die Laserstrahlung eine Mehrphotonenanregung bewirkt, wobei die Mehrphotonenanregung eine Plasmaerzeugung bewirkt, wobei die Modifikation durch das Plasma in Form einer Materialumwandlung bewirkt wird, wobei die Materialumwandungen Druckspannungen im Festkörper erzeugen, wobei der Festkörper in einem umliegenden Bereich der jeweiligen Modifikation unterkritisch einreißt, wobei die Modifikationen in einem Abstand von weniger als 150 µm zur metallischen Beschichtung und/oder den elektrischen Bauteilen erzeugt werden, wobei die Laserstrahlung in Pulsen (400) in den Festkörper eingebracht wird, wobei die Pulsintensität eines Pulses innerhalb von 10ns ab dem Beginn des jeweiligen Pulses die maximale Pulsintensität erreicht.

公开(公告)号：EP3055448B1

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：EP14781551.8

申请日：2014-10-08

申请人： Siltectra GmbH

发明人： DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan

IPC分类号： C30B33/06 ,  B23K26/50 ,  H01L21/762 ,  B23K26/53 ,  B23K103/00

公开(公告)号：EP3313603B1

公开(公告)日：2019-10-16

申请号：EP16732273.4

申请日：2016-06-23

申请人： Siltectra GmbH

发明人： SWOBODA, Marko ,  BEYER, Christian ,  SCHILLING, Franz ,  RICHTER, Jan

IPC分类号： B23K26/00 ,  B28D1/00 ,  B28D1/22 ,  B28D5/00 ,  C03B33/02 ,  C03B33/09 ,  C03B33/095 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  B23K26/359 ,  B23K26/70 ,  B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/60 ,  B23K101/40