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    LASERBASIERTES TRENNVERFAHREN
    1.
    发明公开
    LASERBASIERTES TRENNVERFAHREN 审中-公开

    公开(公告)号：EP4234156A3

    公开(公告)日：2023-10-11

    申请号：EP23168690.8

    申请日：2015-11-27

    申请人： Siltectra GmbH

    发明人： BEYER, Christian ,  RICHTER, Jan

    IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/402 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K103/00 ,  B23K101/40

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen eines Ablösebereichs (2) in einem Festkörper (1), insbesondere zum Teilen des Festkörpers (1) entlang des Ablösebereichs (2), wobei der abzulösende Festkörperanteil (12) dünner ist als der um den Festkörperanteil (12) reduzierte Festkörper (1). Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren bevorzugt mindestens die Schritte: Modifizieren des Kristallgitters des Festkörpers (1) mittels eines Modifiziermittels, insbesondere mittels zumindest eines Lasers, insbesondere eines Piko- oder Femtosekunden-Laser, wobei die Modifikationen, insbesondere die Laserstrahlen, über eine Oberfläche (5) des abzulösenden Festkörperanteils (12) in den Festkörper (1) eindringen, wobei mehrere Modifikationen (9) in dem Kristallgitter erzeugt werden, wobei das Kristallgitter in Folge der Modifikationen (9) in den die Modifikationen (9) umgebenden Bereichen zumindest in jeweils einem Anteil einreist.

    VERFAHREN ZUM VERLUSTARMEN HERSTELLEN VON MEHRKOMPONENTENWAFERN
    5.
    发明公开
    VERFAHREN ZUM VERLUSTARMEN HERSTELLEN VON MEHRKOMPONENTENWAFERN 审中-公开
    制造多组分晶圆的方法

    公开(公告)号：EP3281223A1

    公开(公告)日：2018-02-14

    申请号：EP15731568.0

    申请日：2015-06-23

    申请人： Siltectra GmbH

    发明人： DRESCHER, Wolfram ,  SCHILLING, Franz ,  RICHTER, Jan

    IPC分类号： H01L21/762 ,  B23K26/00 ,  B81C1/00

    摘要： The present invention relates to a method for producing a multi-component wafer, in particular a MEMS wafer. The method according to the invention comprises at least the following steps: providing a bonding wafer (2), wherein at least one surface portion (4) of the bonding wafer (2) is formed by an oxide film, providing a dispenser wafer (6), wherein the dispenser wafer (6) is thicker than the bonding wafer (2), bringing the dispenser wafer (6) into contact with the surface portion (4) of the bonding wafer (2) that is formed by the oxide film, forming a multilayer arrangement (8) by connecting the dispenser wafer (6) and the bonding wafer (2) in the region of the contact, producing modifications (18) in the interior of the dispenser wafer (6) for predefining a detachment region (11) for separating the multilayer arrangement (8) into a detaching part (14) and a connecting part (16), wherein the production of the modifications (18) takes place before the formation of the multilayer arrangement (8) or after the formation of the multilayer arrangement (8), separating the multilayer arrangement along the detachment region as a result of a weakening of the multilayer arrangement brought about by the production of a sufficient number of modifications or as a result of production of mechanical stresses in the multilayer arrangement, wherein the connecting part (16) remains on the bonding wafer (2) and wherein the split-off detachment part (14) has a greater thickness than the connecting part (16).

    VERFAHREN ZUR MATERIALSPARENDEN WAFERHERSTELLUNG UND WAFERVERARBEITUNG
    6.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR MATERIALSPARENDEN WAFERHERSTELLUNG UND WAFERVERARBEITUNG 审中-公开
    工艺节省材料和WAF处理

    公开(公告)号：EP3280577A1

    公开(公告)日：2018-02-14

    申请号：EP16719224.4

    申请日：2016-04-07

    申请人： Siltectra GmbH

    发明人： SCHILLING, Franz ,  DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan

    IPC分类号： B28D1/22 ,  B81C1/00

    CPC分类号： B28D5/0011 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/36 ,  B28D1/221 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896

    摘要： The invention relates to a method for producing a multi-layer assembly. The method according to the invention comprises at least the following steps: providing a donor substrate (2) for removing a solid layer (4), in particular a wafer; producing modifications (12), in particular by means of laser beams (10), in the donor substrate (2) in order to specify a crack course; providing a carrier substrate (6) for holding the solid layer (4); bonding the carrier substrate (6) to the donor substrate (2) by means of a bonding layer (8), wherein the carrier substrate (6) is provided for increasing the mechanical strength of the solid layer (4) for the further processing, which solid layer is to be removed; arranging or producing a stress-producing layer (16) on the carrier substrate (6); thermally loading the stress-producing layer (16) in order to produce stresses in the donor substrate (2), wherein a crack is triggered by the stress production, which crack propagates along the specified crack course in order to remove the solid layer (4) from the donor substrate (2) such that the solid layer (4) is removed together with the bonded carrier substrate (6).

    SPLITTING-VERFAHREN UND VERWENDUNG EINES MATERIALS IN EINEM SPLITTING-VERFAHREN
    7.
    发明公开
    SPLITTING-VERFAHREN UND VERWENDUNG EINES MATERIALS IN EINEM SPLITTING-VERFAHREN 有权
    分裂-VERFAHREN UND VERWENDUNG在EINEM SPLITTING-VERFAHREN中使用材料

    公开(公告)号：EP3186824A1

    公开(公告)日：2017-07-05

    申请号：EP15781323.9

    申请日：2015-10-06

    申请人： Siltectra GmbH

    发明人： DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan ,  BEYER, Christian

    IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/50

    摘要： The invention relates to a splitting method for splitting a solid feedstock into at least two solid sectional pieces, and the use of a material in such a splitting method. In order to increase the total yield of a splitting method, the use of a polymer hybrid material containing one or more fillers in a polymer matrix material is proposed. A corresponding splitting method comprises the steps of providing the solid feedstock having at least one exposed surface, applying a polymer hybrid material containing fillers in a polymer matrix onto at least one exposed surface of the solid feedstock so that a composite structure results, and applying a voltage field on the composite structure, such that the solid feedstock is cleft into at least two solid sectional pieces along a plane within the solid feedstock.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于将固体原料分成至少两个实心截面片的分裂方法，以及在这种分裂方法中使用材料。 为了提高分裂方法的总收率，提出了在聚合物基质材料中使用含有一种或多种填料的聚合物混合材料。 相应的分裂方法包括以下步骤：提供具有至少一个暴露表面的固体原料;将含有聚合物基体中的填料的聚合物混合材料施加到固体原料的至少一个暴露表面上，从而产生复合结构; 电压场，使得固体原料沿固体原料内的平面裂开成至少两个实心截面块。

    FESTKÖRPERTEILUNG MITTELS STOFFUMWANDLUNG
    8.
    发明公开
    FESTKÖRPERTEILUNG MITTELS STOFFUMWANDLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：EP4122633A1

    公开(公告)日：2023-01-25

    申请号：EP22195120.5

    申请日：2015-11-27

    申请人： Siltectra GmbH

    发明人： RICHTER, Jan ,  BEYER, Christian ,  RIESKE, Ralf

    IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/402 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K103/00

    摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen eines Ablösebereichs (2) in einem Festkörper (1) zum Ablösen eines Festkörperanteils (12), insbesondere einer Festkörperschicht (12), von dem Festkörper (1), wobei der abzulösende Festkörperanteil (12) dünner ist als der um den Festkörperanteil (12) reduzierte Festkörper. Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren mindestens die Schritte: Bereitstellen eines zu bearbeitenden Festkörpers (1), wobei der Festkörper (1) bevorzugt aus einer chemischen Verbindung besteht; Bereitstellen einer LASER-Lichtquelle; Beaufschlagen des Festkörpers (1) mit LASER-Strahlung der LASER-Lichtquelle, wobei die Laserstrahlen über eine Oberfläche (5) des abzutrennenden Festkörperanteils (12) in den Festkörper (1) eindringen, wobei die LASER-Strahlung einen vorgegebenen Anteil des Festkörpers (1) im Inneren des Festkörpers (1) zur Ausbildung eines Ablösebereichs (2) oder mehrerer Teilablösebereiche (25, 27, 28, 29) definiert beaufschlagt, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Laserbeaufschlagung nacheinander mehrere Modifikationen (9) in dem Kristallgitter erzeugt werden, wobei das Kristallgitter in Folge der Modifikationen (9) in den die Modifikationen (9) umgebenden Bereichen zumindest in jeweils einem Anteil davon einreist, wobei durch die Risse im Bereich der Modifikationen (9) der Ablösebereich (2) vorgegeben wird oder mehrere Teilablösebereiche (25, 27, 28, 29) vorgegeben werden.

    VERFAHREN ZUM FÜHREN EINES RISSES IM RANDBEREICH EINES SPENDERSUBSTRATS MIT EINEM GENEIGTEN LASERSTRAHL
    10.
    发明公开
    VERFAHREN ZUM FÜHREN EINES RISSES IM RANDBEREICH EINES SPENDERSUBSTRATS MIT EINEM GENEIGTEN LASERSTRAHL 审中-公开
    用调整的激光束在分配器基板的边缘范围内引导RIP的方法

    公开(公告)号：EP3313604A1

    公开(公告)日：2018-05-02

    申请号：EP16732274.2

    申请日：2016-06-23

    申请人： Siltectra GmbH

    发明人： SWOBODA, Marko ,  BEYER, Christian ,  SCHILLING, Franz ,  RICHTER, Jan

    IPC分类号： B23K26/00 ,  B28D1/00 ,  B28D1/22 ,  B28D5/00 ,  C03B33/02 ,  C03B33/09 ,  C03B33/095 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B23K101/40

    摘要： The invention relates to a method for cutting solids wafers (1) off a donor substrate (2). The method comprises the following steps: providing a donor substrate (2), and producing at least one modification (10) in the interior of the donor substrate (2) by means of at least one laser beam (12), said laser beam (12) penetrating the donor substrate (2) via a flat surface (16) of the donor substrate (2). The laser beam (12) is inclined with respect to the flat surface (16) of the donor substrate (2) such that it penetrates the donor substrate at an angle of not equal to 0° or 180° relative to the longitudinal axis of the donor substrate. The laser beam (12) is focused in order to produce the modification (10) in the donor substrate (2) and the solids wafer (1) detaches itself from the donor substrate (2) as a result of the modifications (10) produced. Or a stress-inducing layer (14) is produced in or arranged on the flat surface (16) of the donor substrate (2) and mechanical stress is produced in the donor substrate (2) by exposing the stress-inducing layer (14) to heat. The mechanical stress produces a crack (20) for separating a solids layer (1), which crack propagates along the modifications (10).