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    Vorrichtung und Verfahren zur Qualitätskontrolle eines Photosensors
    23.
    发明公开
    Vorrichtung und Verfahren zur Qualitätskontrolle eines Photosensors 审中-公开
    的装置和方法的光传感器的质量控制

    公开(公告)号：EP1108995A3

    公开(公告)日：2004-01-14

    申请号：EP00126241.9

    申请日：2000-12-01

    申请人： Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation)

    发明人： Kuderer, Hubert

    IPC分类号： G01J3/28 ,  G01J1/08 ,  G01J1/16 ,  G01R31/265

    CPC分类号： H04N17/002 ,  G01J1/08 ,  G01J1/32

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Qualitätskontrolle eines Photosensors 21, insbesondere eines Photodiodenarrays, dessen Ausgangssignal von der Intensität eines mit elektromagnetischen Wellen gebildeten Eingangssignals abhängt. Der zu testende Photosensor 21 wird mit die Eingangssignale ausbildenden Stimuliersignalen unter Variation der Stimuliersignalintensität der Stimuliersignale beaufschlagt. Dabei werden die zugehörigen Ausgangssignale des zu testenden Photosensors 21 wird gemessen und zu Auswertungszwecken erfaßt. Der Photosensor 21 wird vorzugsweise mit wenigstens zwei unabhängig voneinander steuerbaren, sich überlagernden individuellen Stimuliersignalen 41, 42, 43, 44 individueller Stimuliersignalintensität beaufschlagt. Die Einstellung der unterschiedlichen Stimuliersignalintensität der individuellen Stimuliersignale 41, 42, 43, 44 erfolgt mit Hilfe einer mit der Stimuliersignalquelle 31, 32, 33, 34 gekoppelten Kontrolleinheit 55 und die Messung und Erfassung der Ausgangssignale des Photosensors erfolgt mit Hilfe einer Meßdatenerfassungseinheit 65.

    Apparatus and method using photoelectric effect for testing electrical traces
    25.
    发明公开
    Apparatus and method using photoelectric effect for testing electrical traces 审中-公开
    装置和方法的光电效应测试电气连接的目的，好处

    公开(公告)号：EP1109029A1

    公开(公告)日：2001-06-20

    申请号：EP00108285.8

    申请日：2000-04-14

    申请人： MANIAtech, Inc.

    发明人： Cugini, Mario A. ,  Brakley, Jeff ,  Ravich, Gilbert Norman ,  Miles, George E. III ,  Giusti, Ralph Lynn

    IPC分类号： G01R31/265

    CPC分类号： G01R31/309

    摘要： A tester (10) for electrical traces (85) such as on a circuit board (80) includes an electromagnetic beam source (20) such as a laser producing an ultraviolet beam (24), a vacuum chamber (12), an electrode circuit (49) including electrodes (51) and corresponding electronics (55) including ammeters (59) for measuring photoelectron flow between traces (85) and electrodes (51), a controller (71), laser beam optics (41, 44, 46), an image acquisition system, and a pair of broadband UV lights. The board containing traces (85) under test is disposed in the vacuum chamber (12) at lowered pressure with grid electrodes (51) lying close to the trace area (85) on each side of the board. Electrode electronics (55) selectively maintain a known potential on each electrode (51). The exact location of traces (85) are determined by an image acquisition system. The board (80) and traces (85) are initialized to a known voltage. Photoelectric effect using ultraviolet laser beams (24) is used to determine continuity between two points (87) on a trace (85) and shorts between traces (85).

    摘要翻译： 一种用于电迹线测试器（10）（85）：如在电路板（80）包括电磁束源（20）：如激光在紫外光束（24）产生，一真空腔室（12）到电极电路 （49）包括电极（51）和相应的电子设备（55）包括电流表（59），用于测量迹线之间和电极（51）的激光束光学光电子流​​（85），控制器（71），（41，44，46） 中，图像采集系统;和一对宽带紫外线灯。 待测板包含迹线（85）被布置在与在栅格电极（51）降低的压力的真空腔室（12）紧贴在板的每一侧上的迹线区域（85）。 电极电子器件（55）选择性地维持在各电极（51）已知电位。 迹的准确位置（85）是确定性的由图像采集系统开采。所述板（80）和迹（85）初始化为一个已知的电压。 光电使用效果的紫外线激光束（24）被用于在一个迹（85）和短裤迹线之间（85）的两个点（87）之间的确定性矿连续性。

    Method and apparatus for terahertz imaging
    27.
    发明公开
    Method and apparatus for terahertz imaging 失效
    在太赫范围内成像的方法和装置

    公开(公告)号：EP0828162A3

    公开(公告)日：1998-08-19

    申请号：EP97306744.0

    申请日：1997-09-02

    申请人： LUCENT TECHNOLOGIES INC.

    发明人： Nuss, Martin C.

    IPC分类号： G01R31/265 ,  G01N21/35

    CPC分类号： G01N21/3586 ,  G01N21/49 ,  G01R31/308

    摘要： Certain material and objects can be characterized by a frequency-dependent absorption, dispersion, and reflection of terahertz transients in signals which pass illuminate the material or object. The present terahertz imaging system analyses that frequency dependence in the time-domain by collecting that transmitted signal propagating through the object and then processing the information contained in those signals for every point or "pixel" on that object. This is a non-invasive imaging technique that is capable of differentiating between different materials, chemical compositions, or environments.

    Réalisation d'un échantillon de référence pour appareil de caractérisation de doses implantées
    28.
    发明公开
    Réalisation d'un échantillon de référence pour appareil de caractérisation de doses implantées 失效
    Herstellung einer Referenzprobefüreiner Vorrichtung zur Bestimmung der implantierten Dotierung

    公开(公告)号：EP0780694A1

    公开(公告)日：1997-06-25

    申请号：EP96410123.2

    申请日：1996-12-17

    申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

    发明人： Brun, Alain ,  Lombard, Serge

    IPC分类号： G01R31/265 ,  H01L21/66 ,  G01N21/71

    CPC分类号： H01L22/34 ,  G01N21/71 ,  G01R31/2648 ,  Y10S438/946

    摘要： L'invention concerne la réalisation d'un échantillon de référence pour un étalonnage d'un appareil de caractérisation de doses implantées sur une plaquette (1), consistant à définir une succession d'au moins deux bandes parallèles (Bi) sur la plaquette (1), à déposer un premier masque d'implantation sur la plaquette selon un motif laissant accessible une première bande (B1), à effectuer une première implantation ionique d'une première dose, à éliminer le premier masque et à déposer un deuxième masque d'implantation sur la plaquette (1) selon un motif laissant accessible la première bande (B1) ainsi qu'une deuxième bande (B2) contiguë, à effectuer une deuxième implantation ionique d'une deuxième dose, et à éliminer le deuxième masque.

    摘要翻译： 该方法包括将第一掩模施加到盘的表面，使得片段（B1）暴露于剂量（D1）。 然后施加第二个掩模代替第一个掩模，以将较大的段（B1 + B2）暴露于优选具有与第一剂相同的离子轰击能量的第二剂量（D2）。 该过程继续产生可能需要的与生产过程相对应的上升剂量带，并且参考样品通过加热至1000℃来稳定。测量装置的校准通过沿垂直于 给药带B.

    Method for determining the minority carrier surface recombination lifetime constant(ts) of a specimen of semiconductor material
    29.
    发明公开
    Method for determining the minority carrier surface recombination lifetime constant(ts) of a specimen of semiconductor material 失效
    用于确定半导体材料的样品的少数载流子的方法Rekombinationslebendauer。

    公开(公告)号：EP0656643A1

    公开(公告)日：1995-06-07

    申请号：EP94402719.2

    申请日：1994-11-29

    申请人： SEMITEST, INC.

    发明人： Goldfarb, William C.

    IPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/265

    CPC分类号： G01R31/2656

    摘要： A method is provided for determining the minority carrier surface recombination lifetime constant (t s ) of a specimen of semiconductor material. The specimen is positioned between a pair of electrodes, the specimen being disposed on one of the electrodes and being spaced form the other electrode. A signal is provided corresponding to the capacitance between the specimen and the electrode spaced from the specimen. A region of the surface of the specimen is illuminated with a beam of light of predetermined wavelengths and which is intensity modulated at a predetermined frequency and varying in intensity over a predetermined range. A fixed bias voltage V g is applied between the pair of electrodes, the fixed bias voltage being of a value such that the semiconductor surface is in a state of depletion or inversion. A signal is provided representing the ac photocurrent induced at the region of the specimen illuminated by the light beam. The intensity of the light beam and frequency of modulation of the light beam are selected such that the ac photocurrent is nearly proportional to the intensity of the light beam and reciprocally proportional to the frequency of modulation of the light beam. A signal is provided corresponding to the illumination intensity of the beam of light. The surface minority carrier recombination time constant (t s ) is then determined using the ac photocurrent capacitance and illumination intensity information.

    摘要翻译： 提供了一种用于半导体材料的样品的确定性采矿少数载流子表面复合寿命常数（TS）的方法。 试样被定位在一对电极之间，将试样设置在所述电极之一与间隔形式的另一个电极。 的信号被设置成对应于试样和从样本隔开的电极之间的电容。 试样的表面的区域进行照明用预定波长的光的光束，并在预定频率的所有被强度调制和在强度在预定范围内变化。 固定偏置电压Vg在一对电极之间施加的值求的固定偏置电压的存在做的半导体表面是在耗尽或反转的状态。 本发明提供一种信号表示在由所述光束照射试样的区域引起的光电流。 光束和光束的调制频率的强度被选择检查做的光电流几乎正比于光束的强度和往复正比于光束的调制频率。 的信号被设置成对应于光的光束的照明强度。 表面的少数载流子复合的时间常数（TS）是确定性的，然后使用交流电容光电流和光照强度信息开采。

    Fault based diagnosis of HBT-based circuits using electroluminescence
    30.
    发明公开
    Fault based diagnosis of HBT-based circuits using electroluminescence 失效
    使用电致发光的基于HBT的电路的故障诊断。

    公开(公告)号：EP0639778A3

    公开(公告)日：1995-03-22

    申请号：EP94305946.9

    申请日：1994-08-11

    申请人： TEKTRONIX, INC.

    发明人： Prasad, Jayasimha S.

    IPC分类号： G01R31/308 ,  G01R31/265

    CPC分类号： G01R31/311

    摘要： Fault diagnosis of an HBT-based circuit using electroluminescence scans the circuit with a microscope coupled to a photodetector. The photodetector detects the light emitted by active elements of the circuit when powered and collected by the microscope. The light is converted into an electrical signal that may be displayed on an appropriate monitor for observation. The circuit may be powered with a steady source, a pulsing source or a gradually increasing source to detect which active elements are "on" or "off", which elements "latch up", and which elements "oscillate" contrary to expectations.