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    Light sensitive semiconductor device integrated with an optical waveguide
    21.
    发明公开
    Light sensitive semiconductor device integrated with an optical waveguide 失效
    Integriertes lichtempfindliches Halbleiterbauelement mit einem optischen Wellenleiter

    公开(公告)号：EP0703476A3

    公开(公告)日：1997-10-15

    申请号：EP95110028.8

    申请日：1995-06-27

    申请人： NEC CORPORATION

    发明人： Takeuchi, Takeshi, c/o NEC Corp. ,  Komatsu, Keiro, c/o NEC Corp. ,  Hamamoto, Kiichi, c/o NEC Corp. ,  Taguchi, Kenko, c/o NEC Corp. ,  Yamamoto, Masako, c/o NEC Corp.

    IPC分类号： G02B6/42 ,  H01L31/109 ,  H01L21/20

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/42 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109

    摘要： Disclosed herein is a semiconductor optical waveguide-integrated light-receiving device comprising a waveguide-type photodetector and a passive optical waveguide which are selectively formed on the same substrate, wherein the width of mask for a selective growth is varied along the waveguiding direction so as to simultaneously form core layers which differ from each other in absorption edge wavelength. The core layer may be formed with an MQW layer. It is also featured that waveguide width of the photodetector is made larger than the waveguide width of the optical waveguide. The photodetector and the optical waveguide may be buried by an n--InP layer.

    摘要翻译： 本文公开了一种半导体光波导集成光接收装置，其包括选择性地形成在同一基板上的波导型光电检测器和无源光波导，其中用于选择性增长的掩模的宽度沿着波导方向变化，从而 同时形成吸收边缘波长彼此不同的芯层。 芯层可以由MQW层形成。 还具有光检测器的波导宽度大于光波导的波导宽度的特征。 光检测器和光波导可以被n-InP层掩埋。

    Semiconductor optical sensor and method of manufacturing it
    22.
    发明公开
    Semiconductor optical sensor and method of manufacturing it 失效
    Optischer Halbleiter-Detektor和Herstellungsverfahren。

    公开(公告)号：EP0625804A2

    公开(公告)日：1994-11-23

    申请号：EP94107611.9

    申请日：1994-05-17

    申请人： FUJI ELECTRIC CO., LTD.

    发明人： Ueno, Masakazu, c/o Fuji Electric Co., Ltd. ,  Sato, Noritada, c/o Fuji Electric Co., Ltd. ,  Kawakami, Haruo, c/o Fuji Electric Co., Ltd.

    IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0376

    CPC分类号： H01L31/03762 ,  H01L31/109 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548

    摘要： Described is a semiconductor optical sensor comprising an amorphous carbon layer (2) and a transparent electrode (3) on one side of a semiconductor substrate (1) and an ohmic electrode (5) on the other side of the semiconductor substrate (1) wherein a rectifying junction is formed between said carbon layer and said semiconductor substrate. The carbon layer having a relatively high resistivity substantially suppresses a leakage current otherwise occurring under reverse bias, and at the same time serves as a protective layer. A preferred method of forming the amorphous carbon layer (2) on the semiconductor substrate (1) is by decomposition of ethyl alcohol in a DC plasma CVD process.

    摘要翻译： 描述了一种半导体光学传感器，其包括在半导体衬底（1）的一侧上的非晶碳层（2）和透明电极（3）和在半导体衬底（1）的另一侧上的欧姆电极（5），其中 在所述碳层和所述半导体衬底之间形成整流结。 具有相对较高电阻率的碳层基本上抑制了在反向偏压下发生的泄漏电流，并且同时用作保护层。 在半导体衬底（1）上形成无定形碳层（2）的优选方法是在直流等离子体CVD工艺中分解乙醇。

    Semiconductor photodetector device
    23.
    发明公开
    Semiconductor photodetector device 失效
    Halbleiterfotodetektorvorrichtung。

    公开(公告)号：EP0522746A1

    公开(公告)日：1993-01-13

    申请号：EP92305796.2

    申请日：1992-06-24

    申请人： MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

    发明人： Hironaka, Misao, Mitsubishi Denki K.K.

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/109

    CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/1075

    摘要： A semiconductor photodetector device includes a reversed conductivity type region (45) extending through a window layer (44) to a light absorbing layer (43), and a short carrier lifetime region (60) formed to surround the reversed conductivity type region such that the lifetime of minority carriers generated in a portion of the light absorbing layer outside a depletion layer (51), which is formed around the reversed conductivity type region, is significantly shorter than the lifetime of minority carriers within the light absorbing layer near the bottom of the depletion region. The photodetector device can respond quickly to variations in incident light to generate photocurrent, due to the reduction of response speed reduction which would be caused by carriers generated in the portion of the light absorbing layer outside the depletion layer.

    摘要翻译： 半导体光检测器件包括延伸通过窗口层（44）到光吸收层（43）的反向导电类型区域（45）和形成为围绕反向导电类型区域的短载流子寿命区域（60），使得 在形成在反向导电类型区域周围的耗尽层（51）外部的光吸收层的一部分中产生的少数载流子的寿命明显短于在靠近底部的光吸收层内的少数载流子的寿命 耗尽区。 由于在耗尽层外部的光吸收层部分中产生的载流子引起的响应速度降低的降低，光检测器件可以快速响应入射光的变化以产生光电流。

    Optical amplifier-photodetector device
    24.
    发明公开
    Optical amplifier-photodetector device 失效
    OptischeVerstärker-Photodetektor-Anordnung。

    公开(公告)号：EP0422854A2

    公开(公告)日：1991-04-17

    申请号：EP90310960.1

    申请日：1990-10-05

    申请人： AT&T Corp.

    发明人： Halemane, Thirumala Raya ,  Koch, Thomas L. ,  Korotky, Steven K.

    IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L31/109

    CPC分类号： H01S5/50 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/34 ,  G02B6/42 ,  H01S5/0264

    摘要： The device here disclosed comprises an optical amplifier (12) coupled to direct optical energy into a passive wavegulde (16,14,21) for transmission through the waveguide to its other end. A photodetector (8) positioned relative to the passive waveguide, detects the presence of optical energy in the passive waveguide. The photodetector in the structure illustrated is positioned downstream from the optical amplifier and spatially positioned with respect to the optical amplifier to receive optical energy only from the waveguide. The photodetector does not receive optical energy directly from the optical amplifier. A small fraction of the optical energy carried by the passive waveguide is received and detected by the photodetector.

    摘要翻译： 这里公开的装置包括光放大器（12），其耦合以将光能引导到无源波长（16,14,21）中，用于通过波导传输到其另一端。 相对于无源波导定位的光电检测器（8）检测无源波导中光能的存在。 所示结构中的光电检测器位于光放大器的下游，并相对于光放大器在空间上定位，以仅从波导接收光能。 光电检测器不直接从光放大器接收光能。 由无源波导承载的光能的一小部分由光电检测器接收和检测。

    Infrarot-Detektor und Herstellungsverfahren dazu
    25.
    发明公开
    Infrarot-Detektor und Herstellungsverfahren dazu 失效
    Infrarot-Detektor和Herstellungsverfahren dazu。

    公开(公告)号：EP0419692A1

    公开(公告)日：1991-04-03

    申请号：EP89117692.7

    申请日：1989-09-25

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Münzer, Adolf, Dipl.-Phys.

    IPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/109

    CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/035272

    摘要： Ein Infrarot-Halbleiter-Detektor mit einem ladungstrennenden pn-Übergang soll mit geringem Aufwand und mit geringen Kosten hergestellt werden können. Der ladungstrennende pn-Übergang ist näher an der dem Lichteinfall abgewandten Seite des Detektors als an der dem Lichteinfall zugewandten Seite des Detektors an­geordnet.

    摘要翻译： 本发明的目的是能够以低成本制造具有电荷分离p-n结的红外半导体检测器。 电荷分离pn结位于远离入射光的检测器侧，而不是靠近检测器面对入射光的一侧。