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    A photodiode
    34.
    发明公开
    A photodiode 审中-公开
    光电二极管

    公开(公告)号：EP2175497A3

    公开(公告)日：2017-12-27

    申请号：EP09162426.2

    申请日：2009-06-10

    申请人： Ascatron AB

    发明人： BAKOWSKI, Mietek

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/144

    摘要： An avalanche photodiode for detecting ultraviolet photons comprises a first semiconductor layer (1) and a low doped second semiconductor layer (2) on top thereof. These layers are of SiC or Al x Ga 1-x N, in which 0 ≤ x ≤ 0.5, and x may be different for these layers of the diode. A voltage close to the breakdown voltage of the diode being intended to be applied across electrodes (6, 7) of the diode in operation thereof for creating an active region of a high electric field for avalanche multiplication of charge carriers created by said photons in said second layer. A fourth layer (9) is arranged above the second layer laterally outside a surface (4) of the diode being configured to be exposed to photons to be detected, with the second (7) of said electrodes arranged on top thereof. The thickness of the fourth layer (9) and the doping concentration thereof are adapted to obtain an effective surface charge density of said fourth layer in a region laterally next to said surface obtaining an electric field strength substantially equal to a critical electric field strength of the diode at a pn-junction formed below said fourth layer laterally to said surface upon application of a said voltage across said electrodes.

    摘要翻译： 用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括在其顶部上的第一半导体层（1）和低掺杂第二半导体层（2）。 这些层是SiC或AlxGa1-xN，其中0≤x≤0.5，并且对于二极管的这些层，x可以不同。 接近二极管的击穿电压的电压预期施加在二极管的电极（6,7）的工作中，以产生高电场的有源区，用于由所述光子产生的电荷载流子的雪崩倍增 第二层。 第二层（9）布置在第二层的横向外侧的二极管的表面（4）之外，所述第二层被配置成暴露于待检测的光子，其中第二电极（7）布置在其顶部。 第四层（9）的厚度及其掺杂浓度适于获得所述第四层在横向紧邻所述表面的区域中的有效表面电荷密度，从而获得基本上等于所述第四层（9）的临界电场强度的电场强度 当在所述电极上施加所述电压时，在所述第四层下方形成的pn结处的二极管横向于所述表面。

    STAPELFÖRMIGE MEHRFACH-SOLARZELLE
    36.
    发明公开
    STAPELFÖRMIGE MEHRFACH-SOLARZELLE 审中-公开
    可堆叠的多层太阳能电池

    公开(公告)号：EP3185312A1

    公开(公告)日：2017-06-28

    申请号：EP16002595.3

    申请日：2016-12-06

    申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH

    发明人： Guter, Wolfgang ,  Meusel, Matthias ,  Roesener, Tobias

    IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0304

    CPC分类号： H01L31/06875 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0693 ,  Y02E10/544

    摘要： Stapelförmige Mehrfach-Solarzelle (MS) umfassend mindestens drei Tellzellen (SC1, SC2, SC3), wobei jede der drei Teilzellen (SC1, SC2, SC3) einen Emltter und eine Basis aufweist, und wobei die erste Teilzelle (SC1) eine erste Schicht (S1) aus einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInP umfasst und die Energiebandlücke (ES1) der ersten Schicht (S1) größer 1,75 eV ist und die Gitterkonstante (AS1) der ersten Schicht (S1) im Bereich zwischen 5,635 Å und 5,675 Å liegt, und wobei die zweite Teilzelle (SC2) eine zweite Schicht (S2) aus einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaAs umfasst und die Energiebandlücke (ES2) der zweiten Schicht (S2) im Bereich zwischen 1,35 eV und 1,70 eV liegt und die Gitterkonstante (AS2) der zweiten Schicht (S2) im Bereich zwischen 5,635 Å und 5,675 Å liegt, und wobei die dritte Teilzelle (SC3) eine dritte Schicht (S3) aus einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInAs umfasst und die Energiebandlücke (ES3) der dritten Schicht (S3) kleiner 1,25 eV ist und die Gitterkonstante (AS3) der dritten Schicht (S3) größer 5,700 Ä ist, und einen metamorphen Puffer (MP1) umfasst und mindestens eine der beiden Schichten (S2, S3) der zweiten Teilzelle (SC2) bzw. der dritten Teilzelle (SC3) aus einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInAsP besteht und einen PhosphorGehalt größer 1% aufweist und einen Indium-Gehalt größer 1% aufweist, und zwischen zwei Teilzellen kein Halbleiterbond ausgebildet ist.

    摘要翻译： 包括堆叠形多太阳能电池（MS）的至少三个Tellzellen（SC1，SC2，SC3），每三个子电池（SC1，SC2，SC3）的具有Emltter和基部，并且其中所述第一子电池（SC1）（第一层 包括S1）从具有一个化合物至少由GaInP并且元件的能带隙的第一层的（ES1）（S1）大于1.75电子伏特，而在范围5635埃和5675埃之间的第一层（S1）的晶格常数（AS1） 并且其中，所述第二子电池（SC2）的第二层（S2），其具有化合物中的至少GaAs组成的元素和在范围内的第二层（S2）的能带隙（ES2）1.35 eV和1.70电子伏特之间，并且 所述第二层（S2）的晶格常数（AS2）为5.635埃和5.675埃，之间的范围内，其中，所述第三子电池（SC3）包括具有的GaInAs的至少所述元件和能带隙的化合物的第三层（S3）（ES3） 第三层（S3） 小于1.25电子伏特，并且所述第三层（S3）的晶格常数（AS3）大于5700埃，变质缓冲液（MP1）和所述第二子电池（SC2）的两个层（S2，S3）中的至少一个和 具有的GaInAsP的至少所述元件和具有磷含量大于1％和具有铟含量超过1％的化合物组成的第三子电池（SC3），和没有半导体键两个部分单元之间形成。

    MULTIJUNCTION METAMORPHIC SOLAR CELL ASSEMBLY FOR SPACE APPLICATIONS
    37.
    发明公开
    MULTIJUNCTION METAMORPHIC SOLAR CELL ASSEMBLY FOR SPACE APPLICATIONS 审中-公开
    用于空间应用的多结变质太阳能电池组件

    公开(公告)号：EP3159940A1

    公开(公告)日：2017-04-26

    申请号：EP16194187.7

    申请日：2016-10-17

    申请人： SolAero Technologies Corp.

    发明人： DERKACS, Daniel

    IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/078 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0304

    摘要： A multijunction solar cell and its method of manufacture including interconnected first and second discrete semiconductor regions disposed adjacent and parallel to each other in a single semiconductor body, including first top subcell, second (and possibly third) lattice matched middle subcells; a graded interlayer adjacent to the last middle solar subcell; and a bottom solar subcell adjacent to said graded interlayer being lattice mismatched with respect to the last middle solar subcell; wherein the interconnected regions form at least a four junction solar cell by a series connection being formed between the bottom solar subcell in the first semiconductor region and the bottom solar subcell in the second semiconductor region.

    摘要翻译： 一种多结太阳能电池及其制造方法，包括互连的第一和第二分立半导体区域，所述互连的第一和第二分立半导体区域在单个半导体本体中彼此相邻且平行地设置，包括第一顶部子单元，第二（并且可能第三）晶格匹配的中间子单元; 与最后的中间太阳能子电池相邻的渐变夹层; 以及与所述渐变中间层相邻的底部太阳能子电池相对于最后的中间太阳能子电池晶格失配; 其中所述互连区域通过在所述第一半导体区域中的所述底部太阳能子电池与所述第二半导体区域中的所述底部太阳能子电池之间形成串联连接来形成至少四结太阳能电池。

    SKALIERBARE SPANNUNGSQUELLE
    39.
    发明公开
    SKALIERBARE SPANNUNGSQUELLE 审中-公开

    公开(公告)号：EP3144982A1

    公开(公告)日：2017-03-22

    申请号：EP16001926.1

    申请日：2016-09-02

    申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH

    发明人： Fuhrmann, Daniel ,  Khorenko, Victor ,  Guter, Wolfgang

    IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/02

    CPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/205 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  Y02E10/544

    摘要： Skalierbare Spannungsquelle aufweisend eine Anzahl N zueinander in Serie geschalteten als Halbleiterdioden ausgebildete Teilspannungsquellen, wobei jede der Teilspannungsquellen eine Halbleiterdiode einen p-n Übergang aufweist, und jede Halbleiterdiode eine p-dotierte Absorptionsschicht aufweist, wobei die p-Absorptionsschicht von einer p-dotierten Passivierungsschicht mit einer größeren Bandlücke als die Bandlücke der p-Absorptionsschicht passiviert ist und die Halbleiterdiode eine n-Absorptionsschicht aufweist, wobei die n-Absorptionsschicht von einer n-dotierten Passivierungsschicht mit einer größeren Bandlücke als die Bandlücke der n-Absorptionsschicht passiviert ist, und die Teilquellenspannungen der einzelnen Teilspannungsquellen zueinander einer Abweichung kleiner als 20% aufweisen, und zwischen jeweils zwei aufeinanderfolgenden Teilspannungsquellen eine Tunneldiode ausgebildet ist, wobei die Tunneldiode mehrere Halbleiterschichten mit einer höheren Bandlücke als die Bandlücke der p / n Absorptionsschichten aufweist und die Halbleiterschichten mit der höheren Bandlücke jeweils aus einem Material mit geänderter Stöchiometrie und / oder anderer Elementzusammensetzung als die p / n -Absorptionsschichten der Halbleiterdiode bestehen, und die Teilspannungsquellen und die Tunneldioden zusammen monolithisch integriert sind, und gemeinsam einen ersten Stapel mit einer Oberseite und einer Unterseite ausbilden, und die Anzahl N der Teilspannungsquellen größer gleich zwei ist, und das Licht an der Oberseite auf den Stapel auftrifft und die Größe der Beleuchtungsfläche an der Stapeloberseite im Wesentlichen der Größe der Fläche des Stapels an der Oberseite ist, und der erste Stapel eine Gesamtdicke kleiner als 12µm aufweist, und bei 300 K der erste Stapel eine Quellenspannung von größer als 2,2 Volt aufweist, sofern der erste Stapel mit einem Photonenstrom mit einer bestimmten Wellenlänge bestrahlt ist, und wobei in Lichteinfallsrichtung von der Oberseite des Stapels hin zu der Unterseite des Stapels die Gesamtdicke der p und n -Absorptionsschichten einer Halbleiterdiode von der obersten Diode hin zu der untersten Diode zunimmt.

    摘要翻译： 具有N个部分电压源的可伸缩电压源，其被实现为串联连接的半导体二极管，其中每个部分电压源具有具有p-n结的半导体二极管。 隧道二极管形成在连续的部分电压对之间，其中隧道二极管具有多个具有比p / n吸收层的带隙大的带隙的半导体层，并且具有较大带隙的半导体层各自由 具有比半导体二极管的p / n吸收层具有改进的化学计量和/或不同元素组成的材料。 部分电压源和隧道二极管单片集成在一起，共同形成具有顶部和底部的第一堆叠，并且部分电压源的数量N大于或等于2。