摘要:
The present application provides an electrostatic discharge guard structure for photonic platform based photodiode systems. In particular this application provides a photodiode assembly comprising: a photodiode (such as a Si or SiGe photodiode); a waveguide (such as a silicon waveguide); and a guard structure, wherein the guard structure comprises a diode, extends about all or substantially all of the periphery of the Si or SiGe photodiode and allows propagation of light from the silicon waveguide into the Si or SiGe photodiode.
摘要:
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (1), a photosensor (2) integrated in the substrate (1) at a main surface (10), an emitter (12) of radiation mounted above the main surface (10), and a cover (6), which is at least partially transmissive for the radiation, arranged above the main surface (10). The cover (6) comprises a cavity (7), and the emitter (12) is arranged in the cavity (7). A radiation barrier (9) can be provided on a lateral surface of the cavity (7) to inhibit cross-talk between the emitter (12) and the photosensor (2).
摘要:
A self-destructing device (100) includes a frangible substrate (110) having at least one pre-weakened area (111). A heater (120) is thermally coupled to the frangible substrate proximate to or at the pre-weakened area. When activated, the heater generates heat sufficient to initiate self-destruction of the frangible substrate by fractures that propagate from the pre-weakened area and cause the frangible substrate to break into many pieces.
摘要:
Skalierbare Spannungsquelle aufweisend eine Anzahl N zueinander in Serie geschalteten als Halbleiterdioden ausgebildete Teilspannungsquellen, wobei jede der Teilspannungsquellen eine Halbleiterdiode einen p-n Übergang aufweist, und jede Halbleiterdiode eine p-dotierte Absorptionsschicht aufweist, wobei die p-Absorptionsschicht von einer p-dotierten Passivierungsschicht mit einer größeren Bandlücke als die Bandlücke der p-Absorptionsschicht passiviert ist und die Halbleiterdiode eine n-Absorptionsschicht aufweist, wobei die n-Absorptionsschicht von einer n-dotierten Passivierungsschicht mit einer größeren Bandlücke als die Bandlücke der n-Absorptionsschicht passiviert ist, und die Teilquellenspannungen der einzelnen Teilspannungsquellen zueinander einer Abweichung kleiner als 20% aufweisen, und zwischen jeweils zwei aufeinanderfolgenden Teilspannungsquellen eine Tunneldiode ausgebildet ist, wobei die Tunneldiode mehrere Halbleiterschichten mit einer höheren Bandlücke als die Bandlücke der p / n Absorptionsschichten aufweist und die Halbleiterschichten mit der höheren Bandlücke jeweils aus einem Material mit geänderter Stöchiometrie und / oder anderer Elementzusammensetzung als die p / n -Absorptionsschichten der Halbleiterdiode bestehen, und die Teilspannungsquellen und die Tunneldioden zusammen monolithisch integriert sind, und gemeinsam einen ersten Stapel mit einer Oberseite und einer Unterseite ausbilden, und die Anzahl N der Teilspannungsquellen größer gleich zwei ist, und das Licht an der Oberseite auf den Stapel auftrifft und die Größe der Beleuchtungsfläche an der Stapeloberseite im Wesentlichen der Größe der Fläche des Stapels an der Oberseite ist, und der erste Stapel eine Gesamtdicke kleiner als 12µm aufweist, und bei 300 K der erste Stapel eine Quellenspannung von größer als 2,2 Volt aufweist, sofern der erste Stapel mit einem Photonenstrom mit einer bestimmten Wellenlänge bestrahlt ist, und wobei in Lichteinfallsrichtung von der Oberseite des Stapels hin zu der Unterseite des Stapels die Gesamtdicke der p und n -Absorptionsschichten einer Halbleiterdiode von der obersten Diode hin zu der untersten Diode zunimmt.
摘要:
Techniques for enhancing the absorption of photons in semiconductors with the use of microstructures are described. The microstructures, such as pillars and/or holes, effectively increase the effective absorption length resulting in a greater absorption of the photons. Using microstructures for absorption enhancement for silicon photodiodes and silicon avalanche photodiodes can result in bandwidths in excess of 10 Gb/s at photons with wavelengths of 850 nm, and with quantum efficiencies of approximately 90% or more.
摘要:
A solid-state photodetector with variable spectral response that can produce a narrow or wide response spectrum of incident light. Some embodiments include a solid-state device structure that includes a first photodiode and a second photodiode that share a common anode region. Bias voltages applied to the first photodiode and/or the second photodiode may be used to control the thicknesses of depletion regions of the photodiodes and/or a common anode region to vary the spectral response of the photodetector. Thickness of the depletion regions and/or the common anode region may be controlled based on resistance between multiple contacts of the common anode region and/or capacitance of the depletion regions. Embodiments include control circuits and methods for determining spectral characteristics of incident light using the variable spectral response photodetector.
摘要:
An ambient light sensor integrated in a compact fluorescent lamp (100) comprising a controller (120) and a radiation source (130), wherein the ambient light sensor comprises: a radiation receiver (112) to receive (150) and filter (140) incident radiation to obtain a value of the level of infrared radiation; an electronic module (114) to determine if the value is above a predetermined reference threshold value in order to enable the controller to switch the state of the radiation source.
摘要:
A photodiode (PD) produces signal current output corresponding to the amount of received light. An integrator circuit (10) stores a charge corresponding to the signal current and produces a signal voltage corresponding to the amount of the stored charge. In a CDS circuit (20), the signal voltage from the integrator circuit (10) is applied to a capacitor (C21), and a charge corresponding to the amount of the change of the applied voltage is stored in one selected from capacitors (C22, C23) by switches (SW21 to SW23). A differential amplifier (30) determines the difference in charge stored in the capacitors (C22, C23) of the CDS circuit (20), and produces a signal voltage corresponding to the difference.
摘要:
A large current watchdog circuit for a photodetector (12), the circuit including a current sensing device (52) responsive to current flowing through the photodetector (12), and a variable impedance transistor (50) responsive to the current sensing device and the photodetector (12) which increases in resistance in response to current flowing through the photodetector (12) to protect the photodetector and any front end sensing electronics (16) from high current levels.
摘要:
An electric signal current corresponding to the intensity of the incident light is output by a photodiode PD, electric charge is integrated in an integrating circuit 10 according to this electric signal current, and a signal voltage corresponding to this quantity of electric charge thus integrated is output. In a CDS circuit 20, the signal voltage output by the integrating circuit 10 is input to the capacitor C 21 , and an electric charge corresponding to the amount of change in the input signal voltage is integrated in the capacitor C 22 or C 23 selected by switches SW21 - SW23. In the differential calculating circuit 30, the differential in the electric charges integrated respectively by the capacitors C 22 and C 23 of the CDS circuit 20 is determined, and a signal voltage corresponding to this differential is output.