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    PHOTODETECTION
    42.
    发明公开
    PHOTODETECTION 审中-公开
    LICHTDETEKTION

    公开(公告)号：EP2923383A4

    公开(公告)日：2016-07-06

    申请号：EP13856504

    申请日：2013-10-23

    申请人： NOKIA TECHNOLOGIES OY

    发明人： COLLI ALAN ,  ECHTERMEYER TIM ,  EIDEN ANNA ,  FERRARI ANDREA

    IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

    CPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547

    摘要： Apparatus and methods are provided. A first apparatus includes: a semiconductor film; and at least one semiconductor nanostructure, including a heterojunction, configured to modulate the conductivity of the semiconductor film by causing photo-generated carriers to transfer into the semiconductor film from the at least one semiconductor nanostructure. A second apparatus includes: a semimetal film; and at least one semiconductor nanostructure, including a heterojunction, configured to generate carrier pairs in the semimetal film via resonant energy transfer, and configured to generate an external electric field for separating the generated carrier pairs in the semimetal film.

    摘要翻译： 提供了装置和方法。 第一装置包括：半导体膜; 以及包括异质结的至少一个半导体纳米结构，其被配置为通过使光生载流子从所述至少一个半导体纳米结构转移到所述半导体膜中来调制所述半导体膜的导电性。 第二装置包括：半金属膜; 以及包括异质结的至少一个半导体纳米结构，其被配置为经由谐振能量传递在所述半金属膜中产生载流子对，并且被配置为产生用于分离所述半金属膜中产生的载流子对的外部电场。

    PHOTODETECTION
    43.
    发明公开
    PHOTODETECTION 审中-公开
    光探测

    公开(公告)号：EP2923383A1

    公开(公告)日：2015-09-30

    申请号：EP13856504.9

    申请日：2013-10-23

    申请人： Nokia Technologies OY

    发明人： COLLI, Alan ,  ECHTERMEYER, Tim ,  EIDEN, Anna ,  FERRARI, Andrea

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L27/144

    CPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547

    摘要： Apparatus and methods are provided. A first apparatus comprises: a semiconductor film (10); and at least one semiconductor nanostructure (20), comprising a heterojunction (21), configured to modulate the conductivity of the semiconductor film by causing photo-generated carriers (31) to transfer (37) into the semiconductor film (10) from the at least one semiconductor nanostructure (20). A second apparatus comprises: a semimetal film; and at least one semiconductor nanostructure, comprising a heterojunction, configured to generate carrier pairs in the semimetal film via resonant energy transfer, and configured to generate an external electric field for separating the generated carrier pairs in the semimetal film.

    INFRARED SENSOR
    46.
    发明公开
    INFRARED SENSOR 审中-公开
    红外传感器

    公开(公告)号：EP2426739A1

    公开(公告)日：2012-03-07

    申请号：EP10780380.1

    申请日：2010-04-16

    申请人： Japan Science and Technology Agency

    发明人： KOMIYAMA, Susumu ,  NICKELS, Patrick ,  UEDA, Takeji

    IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L31/0264

    CPC分类号： H01L27/14649 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/112

    摘要： Provided is an infrared light detector 100 wherein a light coupling mechanism 110 is configured by a metal thin film or metal thin plate in which a plurality of windows apart from each other are formed. Each of the windows is formed by multangular shapes in which a part of the internal angles are obtuse angles. The plurality of windows are periodically arrayed in postures having translational symmetry in at least two directions. The array cycle p of the plurality of windows are set according to a wavelength λ' of the infrared light of a substrate including a first electronic layer 110 so as to fall within a range with reference to a value at which a perpendicular oscillating electric field component in a first electronic region 10 indicates a peak value.

    摘要翻译： 本发明提供一种红外光检测器100，其中光耦合机构110由形成有彼此分开的多个窗口的金属薄膜或金属薄板构成。 每个窗口由多角形形成，其中一部分内角为钝角。 多个窗周期性排列成在至少两个方向上具有平移对称性的姿势。 多个窗的阵列周期p根据包括第一电子层110的基板的红外光的波长λ'设定，以落入参考垂直振荡电场分量 在第一电子区域10中指示峰值。

    Capteur d'images à semiconducteur à éclairement par la face arrière
    48.
    发明公开
    Capteur d'images à semiconducteur à éclairement par la face arrière 有权
    VON HINTEN BELEUCHTETER HALBLEITER-BILDSENSOR

    公开(公告)号：EP2216817A1

    公开(公告)日：2010-08-11

    申请号：EP10151480.0

    申请日：2010-01-22

    申请人： STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STMicroelectronics (Grenoble) SAS

    发明人： Roy, François ,  Descure, Pierrick

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14679 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/112

    摘要： L'invention concerne un capteur d'images à semiconducteur à éclairement par la face arrière, dans lequel chaque cellule de photodétection comprend un corps semiconducteur (11) d'un premier type de conductivité d'un premier niveau de dopage délimité par un mur d'isolement (23, 24), des paires électrons-trous étant susceptibles de se former dans ledit corps par suite d'un éclairement par la face arrière ; du côté de la face avant dudit corps, un caisson annulaire (13) du deuxième type de conductivité, ce caisson délimitant une région sensiblement centrale (17) dont la partie supérieure (18) est du premier type de conductivité d'un second niveau de dopage supérieur au premier niveau de dopage ; et des moyens (V TG ; V wall ) de contrôle du transfert de porteurs de charge dudit corps vers ladite partie supérieure.

    摘要翻译： 光电检测单元具有由绝缘壁（23）限定的轻掺杂的N型层（11）。 在背面照明后的层中形成电子 - 空穴对。 在该层的前表面侧形成有P型环形孔（13），以限定具有重掺杂N型上部（18）的中心区域。 控制单元被配置为控制电荷载体从层到上部的转移。

    DISPLAY DEVICE
    49.
    发明公开
    DISPLAY DEVICE 有权
    显示设备

    公开(公告)号：EP2149914A1

    公开(公告)日：2010-02-03

    申请号：EP08752944.2

    申请日：2008-05-19

    申请人： Sharp Kabushiki Kaisha

    发明人： SATOH, Masakazu ,  KATOH, Hiromi ,  HADWEN, Benjamin James

    IPC分类号： H01L31/10 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L31/02164 ,  G01J1/4204 ,  G01J2001/0276 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/112

    摘要： A light shield (204) for blocking light traveling toward a PIN photodiode (413) from a glass substrate (314) side is formed of a conductive material, and a reference electric potential (Vr - nVoc) equal to that of a cathode of the PIN photodiode (413) is applied to the light shield (204) from a power supply circuit (266). Thus, inductive noise for a photoelectric conversion device used for an ambient light sensor is further reduced in a display device.

    摘要翻译： 用于阻挡从玻璃基板（314）侧朝PIN光电二极管（413）传播的光的遮光罩（204）由导电材料形成，并且参考电位（Vr-nVoc）等于 PIN光电二极管（413）从电源电路（266）施加到遮光罩（204）。 因此，在显示装置中，用于环境光传感器的光电转换装置的感应噪声进一步降低。

    Halbleiter-Bauelement bestehend aus einem Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
    50.
    发明公开
    Halbleiter-Bauelement bestehend aus einem Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung 失效
    一种半导体装置，包括产生所述的场效应晶体管，并且方法

    公开(公告)号：EP0802571A3

    公开(公告)日：1998-10-21

    申请号：EP97106579

    申请日：1997-04-21

    申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH

    发明人： MARSO MICHEL ,  HORSTMANN MANFRED ,  LUETH HANS

    IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/18

    摘要： In einem Halbleiter-Bauelement mit einem Substrat und mit einem auf dem Substrat ausgebildeten Feldeffekttransistor bzw. in einem Feldeffekttransistor, bei dem ein durch einen leitenden Halbleiterkanal zwischen einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode fließender Strom über ein senkrecht auf den Kanal einwirkendes Feld zwischen einer einzelnen Gateelektrode und dem Kanal steuerbar ist und der eine relativ große aktive Transistorfläche aufweist, sind die Sourceelektrode (9, 9.1), die Drainelektrode (11, 11.1) und die Gateelektrode (7, 7.1) überkreuzungsfrei ausgebildet.
    Ein. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes mit einem Feldeffekttransistor umfaßt die Schritte

    Ätzen des Transistors zur Definition einer Transistorfläche,
    Aufbringen einer ohmschen Source- und Drainmetallisierung auf einer Oberflächenschicht,
    wenigstens teilweises Wegätzen der Oberflächenschicht und Unterätzen der Metallisierungen von Source und Drain,
    selbstjustiertes Aufbringen einer Gateelektrode,
    Aufbringen von Kontaktanschlüssen.