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    Monolithisch integrierte Ladungsverschiebeschaltung
    64.
    发明公开
    Monolithisch integrierte Ladungsverschiebeschaltung 失效
    单片集成电荷转移器件。

    公开(公告)号：EP0017159A1

    公开(公告)日：1980-10-15

    申请号：EP80101606.4

    申请日：1980-03-26

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Lüder, Rainer, Dr. Ing.

    IPC分类号： H03H15/02

    CPC分类号： H03H15/02

    摘要： Monolitisch integrierte Abtastschaltung mit einem Signalabtaster (Abtastfrequenz f A ), einem ersten durch den Signalabtaster mit Ladungspaketen versorgten taktgesteuerten MIS-Ladungsverschiebesystem (CCD mit H(w)) und einer diesem MIS-Ladungsverschiebesystem nachgeschalteten, der Wiederherstellung eines zeitkontinuierlichen Signals dienenden, taktgesteuerten Ausgangsstufe (S + H). Es ist Aufgabe, die bekannten Halbleitervorrichtungen dieser Art hinsichtlich ihrer Ubertragungseigenschaften und Integrierbarkeit zu verbessern.
    Hierzu werden an den Ausgang des ersten MIS-Ladungsverschiebesystems mehrere (m) vom gleichen Takt gesteuerte MIS-Ladungsverschiebesysteme im Parallelbetrieb angeschaltet. Diese Ladungsverschiebesysteme bilden Filter gleicher oder unterschiedlicher Art. Die von ihnen abgegebenen Ladungspakete werden unterschiedlich verzögert und dann in eine Spannung umgewandelt. Diese Spannung wird mit einer gegenüber dem ersten Abtaster höheren Abtastfrequenz (f'A) abgetastet. Die abgetastete und gehaltene Spannung wird schließlich durch ein einfaches Tiefpaßfilter (TP) geglättet. Zu bemerken ist noch, daß die Übergabe der Ladungspakete von der ersten MIS-Ladungsverschiebeanlage auf die nachgeschalteten Ladungsverschiebeanlagen durch gewichtete Teilung erfolgt.

    摘要翻译： 具有信号采样器（采样频率为fA），第一通过与电荷包的信号采样器提供的时钟控制的MIS-电荷转移系统（CCD与H（w）的）和下游的这个MIS电荷传输系统中，服务于一个时间连续信号，时钟控制输出级的恢复（单片集成采样电路S + H）。 这是相对于它们的传输特性和易于集成的改进这种类型的常规半导体器件的任务。 为了这个目的，多个由相同的时钟控制MIS（米）进行充电地连接到所述第一MIS电荷转移系统的并行操作的输出传输系统。 这形成由它们发出相同或不同类型的过滤器的电荷转移系统电荷包被不同地延迟，然后转换成电压。 在相比于第一采样器的采样频率（f¹A）更高的该电压进行采样。 的采样和保持的电压最终通过一个简单的低通滤波器（TP）平滑。 还应当指出的是，电荷包从第一电荷转移MIS系统由加权分割转移到下游的电荷转移系统发生。

    Filtre à échantillonnage
    65.
    发明公开
    Filtre à échantillonnage 失效
    采样滤波器。

    公开(公告)号：EP0014604A1

    公开(公告)日：1980-08-20

    申请号：EP80400036.2

    申请日：1980-01-11

    申请人： THOMSON-CSF

    发明人： Picquendar, Jean-Edgar

    IPC分类号： H03H19/00 ,  H03H15/02

    CPC分类号： H03H19/00 ,  H03H15/00 ,  H03H15/02

    摘要： L'invention concerne les filtres utilisant un dispositif à transfert de charge comme élément actif.
    Elle consiste à munir un tel filtre (101) d'un circuit de sortie (A I - A3) du type interpolateur d'ordre 1 ; ce circuit peut être externe au dispositif à transfert de charge ou intégré en partie dans celuici en lui adjoignant une cellule de pondération supplémentaire et en utilisant un autre jeu de coefficients de pondération.
    Elle permet de réaliser des filtres pour autocommutateurs téléphoniques sans filtrage analogique complémentaire.

    Ladungsverschiebeanordnung und Verfahren zu ihrem Betrieb
    67.
    发明公开
    Ladungsverschiebeanordnung und Verfahren zu ihrem Betrieb 失效
    Ladungsverschiebeanordnung und Verfahren zu ihrem Betrieb。

    公开(公告)号：EP0009100A1

    公开(公告)日：1980-04-02

    申请号：EP79102735.2

    申请日：1979-07-31

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Pfleiderer, Hans-Jörg, Dr. ,  Knauer, Karl, Dipl.-Ing.

    IPC分类号： G11C27/02 ,  H03H15/02

    CPC分类号： H03H15/02 ,  G11C27/04

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Betrieb einer Ladungsverschiebeanordnung (CTD). Um einen möglichst hohen Signal-Rausch-Abstand des Ausgangssignals zu erreichen, wird die Ausgangsstufe (11-23) der Ladungsverschiebeanordnung mit einer in bezug auf die CTD-Taktfrequenz so niedrigen Frequenz (∅ A , ∅ B ) betrieben, daß mehrere Perioden der CTD-Taktfrequenz (∅ 1 -∅ 4 ) in eine Ausleseperiode fallen. Dabei addieren sich die der Ausgangsstufe zugeführten, signalabhängigen Ladungsmengen arithmetisch, die zueinander nichtkorrelierten Rauschanteile geometrisch, so dass sich der Signai-Rausch-Abstand erhöht. Der Anwendungsbereich der Erfindung umfaßt insbesondere CTD-Transversalfilterschaltungen, die in System mit unterschiedlichen Taktfrequenzen eingesetzt sind.

    摘要翻译： 本发明涉及电荷转移装置（CTD）的操作方法。 为了实现输出信号的最高可能的信噪比，电荷转移装置的输出级（11-23）以与（...）相当低的频率（phi A，phi B）工作 CTD同步频率（phi 1- phi 4）的多个周期落在一个读出周期内的CTD同步频率。 在这种情况下，馈送到输出级并且依赖于信号的电荷量被算术地加上，而彼此不相关的噪声分量被几何地相加，使得信噪比是 增加。 本发明的应用范围特别涉及在具有不同同步频率的系统中采用的CTD横向滤波器电路。

    Formation de voies sonar par des dispositifs à transfert de charges
    68.
    发明公开
    Formation de voies sonar par des dispositifs à transfert de charges 失效
    声纳波束形成使用的电荷转移器件。

    公开(公告)号：EP0007864A1

    公开(公告)日：1980-02-06

    申请号：EP79400517.3

    申请日：1979-07-20

    申请人： THOMSON-CSF

    发明人： Guyot, Joel ,  Vernet, Jean-Louis

    IPC分类号： G01S7/52 ,  G01S3/80 ,  G10K11/34 ,  H03H15/02

    CPC分类号： H03H15/02 ,  G01S3/801 ,  G01S7/52003 ,  G01S7/6218 ,  G10K11/346 ,  Y10S367/905

    摘要： Formation de voies pour sonar passif panoramique par la technique des dispositifs a transfert de charges.
    Le registre à décalage (30) reçoit les signaux multiplexés des M transducteurs formant la base d'écoute du sonar. Un ensemble de sous-prises (310.1; ....; 310.R) du registre permet d'obtenir après sommation (33.m) une valeur interpolée du signal d'un transducteur retardé de façon précise. Les pondérations (al.m; ....; aR.m) réalisent un filtre transversal.
    Application à un sonar panoramique ayant une base d'écoute de diamètre supérieur à 1 m et ayant des lobes secondaires réduits et le diagramme ne variant pas avec la fréquence.

    Semiconductor charge coupled device with split electrode configuration
    69.
    发明公开
    Semiconductor charge coupled device with split electrode configuration 失效
    Ladunggekoppeltes Halbleiterbauelement mit Spaltelektrodensystem。

    公开(公告)号：EP0000655A1

    公开(公告)日：1979-02-07

    申请号：EP78300185.2

    申请日：1978-07-24

    申请人： Western Electric Company, Incorporated

    发明人： Tompsett, Michael Francis

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/10 ,  H03H15/00

    CPC分类号： H03H15/02 ,  G11C27/00 ,  H01L29/1062 ,  H01L29/40 ,  H01L29/76 ,  H01L29/76875

    摘要： A semiconductor charge coupled device (CCD) (10) with spiit electrode charge sensors (8,1,8,2; 12,1,12,2) contains a localized connecting impurity doped region (8, 3, 12, 3), of opposite conducdvity type from that of the semiconductor transfer sites, underlying the gap between each pair of split electriodes, and each such connecting region is contiguous with both transfer sites underlying each pair of split electrodes, thereby serving to puilibrate the potentials of both such transfer sites. The entire downstream edge of each of these connecting regions is bounded by a separate locafized channel stopping auxiliary barrier region (8. 4, 12, 4) of higher threshold than that of the charge transfer channel, in order to suppress dynamic signal charge transfer inefficiency caused by spurious contributions of charge from the con- nesting regions to the propagating signal charge packets.

    摘要翻译： 具有分离电极电荷传感器（8,1,8,2,2,12,2）的半导体电荷耦合器件（CCD）（10）包含局部连接的杂质掺杂区域（8,3,23,3）， 与半导体传输部位的导电类型相反的导电类型，位于每对分裂电极之间的间隙的下面，并且每个这样的连接区域与每对分裂电极下面的两个转移位点相邻，从而用于平衡两个这样的转移的电位 站点。 这些连接区域中的每一个的整个下游边缘由比电荷转移通道的阈值高的单独的局部通道停止辅助屏障区域（8,4,12,4）限制，以便抑制动态信号电荷转移效率低下 由连接区域到传播信号电荷包的电荷的杂散贡献引起的。