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    Metal plating composition and method for the deposition of copper-zinc-tin suitable for manufacturing thin film solar cell
    74.
    发明公开
    Metal plating composition and method for the deposition of copper-zinc-tin suitable for manufacturing thin film solar cell 有权
    适用于制造薄膜太阳能电池的铜 - 锌 - 锡的沉积金属电镀组合物和方法

    公开(公告)号：EP2336394A3

    公开(公告)日：2011-11-30

    申请号：EP11160198.5

    申请日：2007-05-15

    申请人： ATOTECH Deutschland GmbH

    发明人： Kühnlein, Holger ,  Voß, Torsten ,  Schulze, Jörg

    IPC分类号： C25D3/58 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C23C18/48 ,  H01L31/032 ,  H01L31/06 ,  H01L21/288 ,  C23C18/40

    CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C18/40 ,  C23C18/48 ,  C25D3/58 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/541

    摘要： To be able to form a copper-zinc-tin alloy which optionally comprises at least one chalcogenide and thus forms a semiconductor without the use of toxic substances a metal plating composition for the deposition of a copper-zinc-tin alloy is disclosed, wherein said metal plating composition comprises at least one copper plating species, at least one zinc plating species, at least one tin plating species and at least one complexing agent and further, if the alloy contains at least one chalcogen, at least one chalcogen plating species. The metal plating composition additionally comprises at least one additive, selected from the group comprising disubstituted benzene compounds having general chemical formula I, wherein R 1 and R 2 are the same or different, are selected independently from the group comprising OH, SH, NR 3 R 4 , CO-R 5 , COOR 5 , CONR 3 R 4 , COSR 5 , SO 2 OR 5 SO 2 R 5 , SO 2 NR 3 R 4 and the salts thereof or have the aforementioned meanings and form a common condensation chain; with R 3 and R 4 being the same or different, being selected independently from the group comprising H and alkyl; and with R 5 being selected from the group comprising H, alkyl and hydroxyalkyl. Such alloys comprising at least one of sulfur and selenium may be used as an absorber in a thin film solar cell, which comprises a substrate (a) being coated with a back contact (b), the absorber layer (c), a buffer layer (d), a TCO / window layer (e) and a front grid (f).

    摘要翻译： 为了能够形成任选包含至少一种硫属元素化物并由此形成半导体而不使用有毒物质的铜 - 锌 - 锡合金，公开了用于沉积铜 - 锌 - 锡合金的金属镀覆组合物，其中所述 金属电镀组合物包含至少一种铜电镀物质，至少一种锌电镀物质，至少一种锡电镀物质和至少一种络合剂，并且如果合金含有至少一种硫族元素，则还包含至少一种硫族元素电镀物质。 金属电镀组合物还包含至少一种添加剂，选自包括具有I，其中R1和R2是相同或不同，独立地选自OH，SH选择化学通式二取代的苯化合物，NR3R4，CO- R5，COOR 5，CONR 3 R 4，COSR5，SO2OR5 SO2R5，SO2NR3R4以及它们的盐或具有上述含义和形成公共缩合链; 其中R 3和R 4相同或不同，独立地选自H和烷基; 并且R5选自H，烷基和羟烷基。 这种包含硫和硒中的至少一种的合金可以用作薄膜太阳能电池中的吸收体，该薄膜太阳能电池包括涂覆有背接触件（b）的衬底（a），吸收层（c），缓冲层 （d），TCO /窗口层（e）和前栅格（f）。

    Elément céramique incrusté d'au moins un décor métallique
    76.
    发明公开
    Elément céramique incrusté d'au moins un décor métallique 有权
    Verfahren zur Herstellung eines Keramikelements mit mindestens einem Metalldekoreinsatz

    公开(公告)号：EP2380864A1

    公开(公告)日：2011-10-26

    申请号：EP11159635.9

    申请日：2011-03-24

    申请人： Omega SA

    发明人： Grossenbacher, Pascal ,  Caillaud, Michel ,  Netuschill, Alexandre

    IPC分类号： C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  G04B37/00 ,  B44C1/26

    CPC分类号： C25D5/00 ,  B44C1/26 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C25D5/10 ,  G04B19/18 ,  G04B19/28 ,  C04B35/00 ,  C04B35/48 ,  C04B41/4541 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/522 ,  C04B41/5062 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/51 ,  C04B41/4568 ,  C04B41/4576 ,  C04B41/5066

    摘要： L'invention se rapporte à un élément céramique incrusté (10) comportant un corps (11) en céramique comportant au moins un évidement (12) formant l'empreinte d'un décor (13). Selon l'invention, ledit au moins un évidement est entièrement rempli par une première et une deuxième couches (14, 15) électriquement conductrices de sensiblement 50 nm et un dépôt (16) galvanique métallique afin de former un élément céramique (10) incrusté d'au moins un décor métallique (13) à la qualité visuelle améliorée.
    L'invention se rapporte également au procédé de fabrication de l'élément céramique incrusté.
    L'invention concerne le domaine des pièces céramiques décorées.

    摘要翻译： 制造装饰陶瓷元件的过程包括通过烧结来形成陶瓷体（11），使用激光蚀刻在陶瓷体的表面上的凹部（12），在整个陶瓷体上放置50nm的第一层（14） 通过化学自动催化和物理气相沉积包括凹部的表面，通过回收第一层和物理气相沉积，在包括凹部的整个表面上放置50nm的第二导电层（15），并电镀放置金属材料（16） 从第二导电层到完全填充凹部。 制造装饰陶瓷元件的过程包括通过烧结来形成陶瓷体（11），使用激光蚀刻在陶瓷体的表面上的凹部（12），在整个陶瓷体上放置50nm的第一层（14） 通过化学自动催化和物理气相沉积包括凹部的表面，通过回收第一层和物理气相沉积，在包括凹部的整个表面上放置50nm的第二导电层（15），以电镀方式将金属材料（16）从 所述第二导电层完全填充所述凹部，除去所述凹部的凹槽内的陶瓷体表面以外的所有沉积物，并且设置透明层以保护所述老化的设定。 每个凹槽形成一个装饰印记（13）。 每个凹槽包括没有边缘的内表面，以便于电沉积步骤。

    ELEKTROCHEMISCHES BESCHICHTUNGSVERFAHREN
    78.
    发明公开
    ELEKTROCHEMISCHES BESCHICHTUNGSVERFAHREN 审中-公开

    公开(公告)号：EP2342371A2

    公开(公告)日：2011-07-13

    申请号：EP09740674.8

    申请日：2009-10-21

    申请人： Happy Plating GmbH

    发明人： HANSAL, Selma ,  HALMDIENST, Martina ,  HANSAL, Wolfgang

    IPC分类号： C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D15/00 ,  C23C28/00

    CPC分类号： C25D5/10 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/31 ,  C25D3/66 ,  C25D3/665 ,  C25D5/18 ,  C25D5/48 ,  C25D15/00

    摘要： The invention relates to an electrochemical coating method for depositing at least one layer on at least one work piece in a deposition bath, comprising at least one deposition sequence (P) that is repeated at least once, wherein provided within the at least one deposition sequence (P) are at least two individual sequences (A, B, C), and each individual sequence (A, B, C) comprises a specific deposition method, and the at least two individual sequences (A, B, C) comprise different deposition methods within a deposition sequence (P).

    摘要翻译： 用于在包含重复一次的沉积序列（P）的沉积浴中的金属工件或非金属工件上沉积金属层的电化学涂覆方法包括提供两个单独的序列（A，B，C） 在沉积顺序内，其中两个单独序列在沉积序列内包含不同的沉积过程。 每个单独的序列包括直流电流，纯阴极脉冲，阴极和阳极脉冲的组合以及阴极和阳极脉冲与多达500个单个脉冲的组合。 用于在包含重复一次的沉积序列（P）的沉积浴中的金属工件或非金属工件上沉积金属层的电化学涂覆方法包括提供两个单独的序列（A，B，C） 在沉积顺序内，其中两个单独序列在沉积序列内包含不同的沉积过程。 每个单独的序列包括直流电流，纯阴极脉冲，阴极和阳极脉冲的组合，阴极和阳极脉冲的组合以及高达500个单个脉冲，斜坡和/或三角形脉冲，并且每个过程与基极电流 。 在两个连续的单个过程之间和/或在沉积序列流动之后，执行外部电流的中断。 沉积工艺包括随后的脉冲沉积的直流沉积。 基极电流占沉积电流密度的1-75％。 单个序列的持续时间为1-3000 ms。 沉积浴由盐水盐溶液和/或离子液体组成。 沉积浴由用于安装到沉积层中的固体材料组成。 固体材料是颗粒，纤维，薄片和/或纳米管。 该涂层包括2-12层，其经受直流，纯阴极脉冲，阴极和阳极脉冲的组合，阴极和阳极脉冲的组合与多达500个单个脉冲，斜坡和/或三角形脉冲，以及每个 该过程与基极电流组合。 两层受到不同的处理。 第二层遵循在工件表面上经受的第一主层，其中第二层包括比主层增加的层厚度。 第二上层与第二层相邻，其中上层的层厚小于第二层。 第二层是通过无流程生产的。 在所施加的层之间进行热处理。 这些层被等离子体氧化物处理。

    Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate
    80.
    发明公开
    Process for applying a metal coating to a non-conductive substrate 审中-公开
    亚历山大·维尔法伦

    公开(公告)号：EP2305856A1

    公开(公告)日：2011-04-06

    申请号：EP09171442.8

    申请日：2009-09-28

    申请人： ATOTECH Deutschland GmbH

    发明人： Pan, Ke Liang ,  Wu, Wei Jie

    IPC分类号： C23C18/31 ,  C23C18/40 ,  C23C18/54

    CPC分类号： C25D5/10 ,  C25D3/38 ,  C25D5/56

    摘要： Described is a new process for applying a metal coating to a non-conductive substrate comprising the steps of (a) contacting the substrate with an activator comprising a noble metal/group IVA metal sol to obtain a treated substrate, (b) contacting said treated substrate with a composition comprising a solution of: (i) a Cu(II), Ag, Au or Ni soluble metal salt or mixtures thereof, (ii) 0.05 to 5 mol/I of a group IA metal hydroxide and (iii) a complexing agent for an ion of the metal of said metal salt comprising an organic material having a cumulative formation constant log K of from about 0.73 to about 21.95 for an ion of the metal of said metal salt, characterised in that the composition according to step (b) is treated with an electrical current for a period of time prior to and / or during contacting said solution with the substrate.

    摘要翻译： 描述了将金属涂层施加到非导电基底上的新方法，包括以下步骤：（a）使基底与包含贵金属/ⅣA族金属溶胶的活化剂接触以获得经处理的基底，（b）使所述经处理的 底物，其组合物包含以下溶液：（i）Cu（II），Ag，Au或Ni可溶性金属盐或其混合物，（ii）0.05至5mol / l的IA族金属氢氧化物和（iii） 所述金属盐的金属离子的络合剂包含对于所述金属盐的金属离子具有约0.73至约21.95的累积形成常数log K的有机材料，其特征在于根据步骤（ b）在与基底接触所述溶液之前和/或期间用电流处理一段时间。