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    POWER SWITCH
    72.
    发明公开
    POWER SWITCH 审中-公开
    开关;电源开关

    公开(公告)号：EP3255795A1

    公开(公告)日：2017-12-13

    申请号：EP16174027.9

    申请日：2016-06-10

    申请人： Goodrich Control Systems

    发明人： GIETZOLD, Thomas

    IPC分类号： H03K17/689 ,  H03K17/78 ,  H03K17/687

    CPC分类号： H03K17/785 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/689 ,  H03K17/78 ,  H03K2017/6875

    摘要： The disclosure provides a power switch that can be switched by a logic source in an ON or an OFF state. The switch comprises a component (8) to output an optical signal responsive to the control signal and an optical sensitive device (10) to react to the optical signal and self-conducting JFET (11) in cascode configuration with the optical sensitive device.

    摘要翻译： 本发明提供了一种电源开关，可以通过处于ON或OFF状态的逻辑源进行切换。 该开关包括响应于控制信号输出光信号的组件（8）和光敏器件（10），以与光敏器件共射共栅配置对光信号和自导JFET（11）做出反应。

    DIGITALAUSGABEBAUGRUPPE UND AUTOMATISIERUNGSSYSTEM MIT EINER DIGITALAUSGABEBAUGRUPPE
    73.
    发明公开
    DIGITALAUSGABEBAUGRUPPE UND AUTOMATISIERUNGSSYSTEM MIT EINER DIGITALAUSGABEBAUGRUPPE 审中-公开
    数字量输出模块和自动化系统的数字量输出模块

    公开(公告)号：EP3174206A1

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：EP15195952.5

    申请日：2015-11-24

    申请人： Siemens Aktiengesellschaft

    发明人： Briemle, Thomas ,  Engl, Werner ,  Grosser, Stefan ,  Grünewald, Uwe

    IPC分类号： H03K17/689 ,  H02H11/00 ,  H03K17/06

    CPC分类号： H03K17/689 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0081

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Digitalausgabebaugruppe (1) zur Ausgabe digitaler Signale über einen Ansteuerausgang (2) für die Ansteuerung einer Last (L), umfassend einen Versorgungsspannungsanschluss (P24) und einen Masseanschluss (M) zum Anschließen einer ersten Spannungsquelle (V1) für die Baugruppe (1), welche einen Laststrom für die Last (L) bereitstellt, eine Steuerlogik (10), welche ausgestaltet ist ein Halbleiterschaltmittel (11) zu steuern, und das Halbleiterschaltmittel (11) zur Ansteuerung der Last (L) über den Ansteuerausgang (2) mit einem High-Pegel oder einem Low-Pegel ausgestaltet ist, wobei ein Potentialtrennmittel (12) vorgesehen ist um eine zweite Spannungsquelle (V2) für die Versorgung der Steuerlogik (10) von der ersten Spannungsquelle (V1) galvanisch zu trennen, um für den Fall, einer angeschlossenen Last (L) und das ein Low-Pegel am Ansteuerausgang (2) vorherrschen soll, aber auf Grund einer Unterbrechung der über den Masseanschluss (M) hergestellten Masseverbindung zur ersten Spannungsquelle (V1), ein Stromfluss (I MB ), ausgehend von dem Versorgungsspannungsanschluss (P24) über die Steuerlogik (10) und das Halbleiterschaltmittel (11) zu dem Ansteuerausgang (2) und weiter über die Last (L) zu einem zentralen Massepunkt (Z M ), mit welchem auch die erste Spannungsquelle (V1) in Verbindung steht, zu unterdrücken.

    A GATE DRIVE CIRCUIT AND A METHOD FOR CONTROLLING A POWER TRANSISTOR
    74.
    发明公开
    A GATE DRIVE CIRCUIT AND A METHOD FOR CONTROLLING A POWER TRANSISTOR 审中-公开
    栅极驱动电路及其控制方法功率晶体管

    公开(公告)号：EP3017542A1

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：EP13888610.6

    申请日：2013-07-04

    申请人： Freescale Semiconductor, Inc.

    发明人： SICARD, Thierry

    IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K17/689

    CPC分类号： H02M7/53871 ,  H02M1/08 ,  H02M7/537 ,  H02M7/5387 ,  H03K3/037 ,  H03K5/24 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/06 ,  H03K17/567 ,  H03K17/689

    摘要： A gate drive circuit (10a) to drive a gate terminal (G) of a power transistor (12a). The gate drive circuit (10a) includes a first capacitor (C1), a first switch (SW1), a measurement circuit (5) and a reference source (6) to generate a reference voltage (Vref). The first capacitor (C1) has a first terminal (T11) electrically coupled to the gate terminal (G) of the power transistor (12a). The first switch (SW1) is arranged between a second terminal (T21) of the first capacitor (C1) and a first predetermined voltage (Vp1). The measurement circuit (5) is used to measure a differential voltage across the first capacitor (C1). The gate drive circuit (10a) is configured to pre-charge the first capacitor (C1) to obtain a second predetermined voltage (Vp2) across the first capacitor (C1). The gate drive circuit (10a) is further configured to arrange the first switch (SW1) in an on state to turn on the power transistor (12a) and to electrically couple the first predetermined voltage (Vp1) to the second terminal (T21) of the first capacitor (C1). The first capacitor (C1) is initially pre-charged at the second predetermined voltage (Vp2). The measurement circuit (5) is configured to arrange the first switch (SW1) in an off state when the differential voltage across the first capacitor (C1) has changed with respect to the second predetermined voltage (Vp2) by the reference voltage (Vref). By using the measurement circuit (5) to measure the differential voltage across the first capacitor (C1) and to turn off the first switch (SW1) when the differential voltage across the first capacitor (C1) has changed with respect to the second predetermined voltage (Vp2) by the reference voltage (Vref), an accurate control of the charge change in the first capacitor (C1) is provided. The charge change proportional to the reference voltage (Vref) is a measure of an amount of charge that is transferred to the gate terminal (G) of the power device (12a) to turn on the power device (12a).

    Ansteuerschaltung für Drei-Level-Inverter
    76.
    发明公开
    Ansteuerschaltung für Drei-Level-Inverter 有权
    AnsteuerschaltungfürDrei-Level-Inverter

    公开(公告)号：EP2871766A1

    公开(公告)日：2015-05-13

    申请号：EP14186232.6

    申请日：2014-09-24

    申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

    发明人： Herzer, Reinhard ,  Vogler, Bastian

    IPC分类号： H02M7/487 ,  H03K17/689 ,  H03K17/687

    CPC分类号： H02M7/537 ,  H02M7/487 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/689 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0081

    摘要： Es wird eine Ansteuerschaltung (32, 70) mit einem primärseitigen Schaltungsteil (4) mit einer Ansteuerlogik (42) und einem primärseitigen Bezugspotential (420) und vier sekundärseitigen Schaltungsteilen (6) jeweils mit einer Treiberstufe (61, 62, 63, 64) ausgebildet zur Ansteuerung einer Phase eines Drei-Level-Inverters (10) mit jeweils einem ersten bis vierten Halbleiterschalter (T 1 , T 2 , T 3 , T 4 ) vorgestellt, wobei jeder Halbleiterschalter und der ihm zugeordnete sekundärseitige Schaltungsteil ein zugeordnetes erstes bis viertes sekundärseitiges Bezugspotential (610, 620, 630, 640) aufweist und wobei jeweils ein Levelshifter (81, 82, 83, 84) den primärseitigen Schaltungsteil mit dem jeweiligen sekundärseitigen Schaltungsteil verbindet und somit jeweils beiden Schaltungsteilen zugeordnet ist. Hierbei entspricht das primärseitige Bezugspotential dem ersten sekundärseitigen Bezugspotential entspricht. Weiterhin sind zumindest die Ansteuerlogik der erste und zweite Levelshifter sowie die erste und zweite Treiberstufe monolithisch in einem HVIC integriert.

    摘要翻译： 具有初级侧电路部分的致动电路，其具有致动逻辑电路和初级侧参考电位，以及四个次级侧电路部件，每个次级侧电路部件具有设计成用于致动三电平逆变器的相位的一个驱动级，并且第一至 第四半导体开关，其中分配给其的每个半导体开关和次级侧电路部分具有相应的第一至第四二次侧参考电位，并且其中在每种情况下电平移位器将初级侧电路部分连接到相应的次级侧 电路部分，因此在每种情况下分配给两个电路部分。 在这方面，初级侧参考电位对应于第一次级侧参考电位。 此外，至少致动逻辑电路，第一和第二电平移位器以及第一和第二驱动器级是单片集成的。

    DC ISOLATION SEMICONDUCTOR RELAY DEVICE
    77.
    发明公开
    DC ISOLATION SEMICONDUCTOR RELAY DEVICE 审中-公开
    直流隔离半导体器件RELAY

    公开(公告)号：EP2720375A4

    公开(公告)日：2015-01-28

    申请号：EP12797491

    申请日：2012-05-30

    申请人： OPTEX CO LTD

    发明人： MURATA YASUHITO

    IPC分类号： H03K17/687 ,  G01J1/46 ,  G08B13/19 ,  H03K17/689 ,  H03K17/94 ,  H03K17/945

    CPC分类号： H03K17/941 ,  G01J1/46 ,  G01J5/34 ,  G08B13/19 ,  H03K17/6874 ,  H03K17/689

    摘要： A semiconductor relay device (1) includes a signal input unit (2) for inputting an alternating current signal for relay driving purpose, a direct current insulation member (3) for blocking a direct current electricity of the alternating current signal, a voltage multiplying circuit (5) for multiplying the signal voltage, after the direct current electricity has been blocked, by an integer number, and a relay circuit (4) including two metal-oxide semiconductor field-effect transistors (6, 7) having respective sources connected with each other and connected in a reverse series with each other and also having respective gates connected with each other. Those metal-oxide semiconductor field-effect transistors (6, 7) are caused to undergo a bidirectional ON·Off operation when the respective gates of those metal-oxide semiconductor field-effect transistors (6, 7) are brought into a conducting state by a signal of which voltage has been multiplied by the voltage multiplying circuit (5).

    Schaltung zur galvanischen Trennung von Stromkreisen
    79.
    发明公开
    Schaltung zur galvanischen Trennung von Stromkreisen 审中-公开

    公开(公告)号：EP2387154A1

    公开(公告)日：2011-11-16

    申请号：EP11165726.8

    申请日：2011-05-11

    申请人： Aquametro AG

    发明人： Schulz, Wolfgang

    IPC分类号： H03K17/689 ,  H04L25/02

    CPC分类号： H03K17/689 ,  H04L25/0266

    摘要： Zur galvanischen Trennung zweier, auf unterschiedlichen Bezugspotentialen arbeitender Stromkreise, zwischen denen elektrische Impulse übertragen werden,dient eine kapazitive Brückenschaltung aus vier in Form einer H-Brücke angeordneten Kondensatoren (5-8), die seriell und parallel nicht abgeglichen ist.

    摘要翻译： 隔离电路在不同的参考电位下工作，在两个参考电位之间传输电脉冲。 电容桥式电路（4）由以H-桥形式布置的四个电容器（5,6,7,8）形成。 电容器不是串联和并联的方式。