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    Method of plasma chemical vapor deposition of layer with improved interface
    4.
    发明公开
    Method of plasma chemical vapor deposition of layer with improved interface 失效
    一种用于从汽相层的等离子体增强化学气相沉积法以改进的接口。

    公开(公告)号：EP0630989A2

    公开(公告)日：1994-12-28

    申请号：EP94109547.3

    申请日：1994-06-21

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： Robertson, Robert ,  Kollrack, Marc Michael ,  Lee, Angela T. ,  Takehara, Takako ,  Feng, Guofu Jeff ,  Connolly, Robert ,  Law, Kam ,  Maydan, Dan

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/02 ,  B05D3/06 ,  B05D3/04

    CPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/0245

    摘要： The present invention is directed to a method of improving the interface between a surface and a layer which is deposited on the surface. The surface can be the surface of a body (38) or the surface of a layer deposited on a body (38). The surface is subjected to the plasma of an inactive gas which does not adversely affect the surface or deposit a layer thereon. Then the surface is subjected to a plasma of a deposition gas which causes the deposition gas to decompose and deposit a layer on the surface.

    摘要翻译： 本发明涉及一种改进的表面和一个层中的所有其表面上沉积之间的界面的方法。 该表面可以是一个主体（38）或沉积在主体（38）的层的表面的表面上。 的表面进行惰性气体不产生不利的影响表面或在其上的层沉积的等离子体。 然后，将表面进行这导致沉积气体分解，在表面上沉积一个层的沉积气体的等离子体。

    Method of limiting sticking of body to a susceptor in a deposition treatment
    5.
    发明公开
    Method of limiting sticking of body to a susceptor in a deposition treatment 失效
    限制上在沉积处理的支撑体的粘附的方法。

    公开(公告)号：EP0630990A2

    公开(公告)日：1994-12-28

    申请号：EP94109548.1

    申请日：1994-06-21

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： Robertson, Robert ,  Kollrack, Marc Michael ,  Lee, Angela T. ,  Law, Kam ,  Maydan, Dan

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  B05D3/06 ,  B05D3/04

    CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/509

    摘要： A method of limiting sticking of a body (38, substrate) to a susceptor (18) after the body (38) has been coated with a layer in a deposition chamber (12) by plasma chemical vapor deposition includes subjecting the coated body (38) to a plasma of an inactive gas, e.g., hydrogen, nitrogen, argon or ammonia, which does not adversely affect the coating and does not add additional layers to the body (38). After the coated body (38) is subjected to the plasma of the inactive gas, the body (38) is separated from the susceptor (18).

    摘要翻译： （38）已被涂覆有在沉积室（12）通过等离子体化学气相沉积包括使包覆体（38层限制的主体（38，衬底）的粘到身体后的基座（18）的方法 ），以惰性气体，例如，氢气，氮气，氩气或氨，其中不会不利地影响涂层，并且不向所述主体（38）添加额外的层的等离子体。 上述包覆体（38）进行的惰性气体的等离子体以后，主体（38）从基座（18）分离。

    Method for multilayer CVD processing in a single chamber
    6.
    发明公开
    Method for multilayer CVD processing in a single chamber 失效
    在einer einzigen Kammer的Verfahren zur CVD-Beschichtung einer Mehrschichtstruktur。

    公开(公告)号：EP0608633A2

    公开(公告)日：1994-08-03

    申请号：EP93310555.3

    申请日：1993-12-24

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： Law, Kam S. ,  Robertson, Robert ,  Lou, Pamela ,  Kollrack, Marc Michael ,  Lee, Angela ,  Maydan, Dan

    IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/67167 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67236 ,  H01L29/66765

    摘要： Multilayer deposition of thin films onto glass substrates to form thin film transistors can be carried out in the same chamber (120) under similar reaction conditions at high deposition rates. We have found that sequential thin layers of silicon nitride and amorphous silicon can be deposited in the same chamber by chemical vapor deposition using pressure of at least 0.5 Torr and substrate temperatures of about 250-370 o C. Subsequently deposited different thin films can also be deposited in separate chemical vapor deposition chambers (122, 124, 126) which are part of a single multichamber vacuum system (111).

    摘要翻译： 可以在相同的反应条件下，在相同的室（120）中以高沉积速率在薄膜晶体管上进行多层薄膜沉积到玻璃基板上以形成薄膜晶体管。 我们已经发现，通过使用至少0.5托的压力和约250-370℃的衬底温度的化学气相沉积，可以在相同的室中沉积顺序的氮化硅和非晶硅薄层。 随后沉积的不同薄膜也可以沉积在作为单个多室真空系统（111）的一部分的分离的化学气相沉积室（122,124,126）中。