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    STRAINED LAYERS WITHIN SEMICONDUCTOR BUFFER STRUCTURES
    2.
    发明公开
    STRAINED LAYERS WITHIN SEMICONDUCTOR BUFFER STRUCTURES 有权
    VERSPANNTE SCHICHTEN在HALBLEITERPUFFERSTRUKTUREN

    公开(公告)号：EP2050125A1

    公开(公告)日：2009-04-22

    申请号：EP07799093.5

    申请日：2007-06-27

    申请人： ASM America, Inc. ,  S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

    发明人： CODY, Nyles, W. ,  FIGUET, Christophe ,  KENNARD, Mark

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532

    摘要： A semiconductor workpiece including a substrate 10, a relaxed buffer layer 14, 18 including a graded portion formed on the substrate, and at least one strained transitional layer 16 within the graded portion of the relaxed buffer layer 14, 18 and method of manufacturing the same. The at least one strained transitional layer 16 reduces an amount of workpiece bow due to differential coefficient of thermal expansion (CTE) contraction of the relaxed buffer layer 14, 18 relative to CTE contraction of the substrate 10.

    摘要翻译： 包括衬底，包括形成在衬底上的渐变部分的松弛缓冲层以及缓和缓冲层的渐变部分内的至少一个应变过渡层的半导体工件及其制造方法。 至少一个应变过渡层由于弛豫缓冲层相对于衬底的CTE收缩的差热膨胀系数（CTE）收缩而减少了工件弓的数量

    STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES
    3.
    发明公开
    STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES 审中-公开

    公开(公告)号：EP3872839A1

    公开(公告)日：2021-09-01

    申请号：EP21170134.7

    申请日：2015-09-17

    申请人： SOITEC

    发明人： KONONCHUK, Oleg ,  LANDRU, Didier ,  FIGUET, Christophe

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

    摘要： Structure (1) pour des applications radiofréquences comprenant :
    • un substrat support (2) semi-conducteur ;
    • une couche de piégeage (3) disposée sur le substrat support (2) ;
    la couche de piégeage (3) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une densité de défauts supérieure à une densité de défauts prédéterminée ; la densité de défauts prédéterminée est la densité de défauts au-delà de laquelle la résistivité électrique de la couche de piégeage (3) est supérieure ou égale à 10kohm.cm sur une gamme de température [-20°C ; +120°C].

    STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFRÉQUENCES
    10.
    发明公开
    STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFRÉQUENCES 审中-公开
    结构应用无线电通信

    公开(公告)号：EP3227905A1

    公开(公告)日：2017-10-11

    申请号：EP15788467.7

    申请日：2015-09-17

    申请人： Soitec

    发明人： KONONCHUK, Oleg ,  LANDRU, Didier ,  FIGUET, Christophe

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H04B1/03 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76297 ,  H01L41/0477 ,  H01M4/663

    摘要： The invention relates to a structure (1) for radiofrequency applications which includes: a semiconducting supporting substrate (2); a trapping layer (3) arranged on the supporting substrate (2); the trapping layer (3) being characterised in that it includes a higher defect density than a predetermined defect density; the predetermined defect density is the defect density beyond which the electric resistivity of the trapping layer (3) is no lower than 10 Kohm.cm over a temperature range of [-20 °C; +120 °C].

    摘要翻译： 本发明涉及用于射频应用的结构（1），其包括：半导体支撑衬底（2）; 设置在所述支撑基板（2）上的捕获层（3）; 所述俘获层（3）的特征在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度; 预定的缺陷密度是在[-20℃的温度范围内俘获层（3）的电阻率不低于10Kohm.cm的缺陷密度; +120°C]。